二极管的分类及选择

1、半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括 整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极 管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。半导体二极管的主要参数1反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料 和温度有关。在常温下，硅管的为纳安（UA）级，锗管的为微安（1） 级。2额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整 流二极管的IF值可达1000A。最大平均整流电流L在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非 常

2、重要的值。最大浪涌电流侦允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当 大。5最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种 能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器 加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRM指为避 免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的V即值可达几千伏。6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的 值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7最高工作频率f由于PN结的结电容存在，当工作频率超

3、过某一值时，它的单向导电性将变 差。点接触式二极管的值较高，在100MHz以上；整流二极管的较低，一般 不高于几千赫。8反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬 时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢 复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当 二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近寸所需要的时间。大功 率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率？为功率的 最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电

4、流。这个极限参数对稳 压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。几种常用二极管的特点1整流二极管整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向 击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。 例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是 最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。2快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开 关状态下的反向恢复时间较长，约45ms，不能适应高频开关电路的要求。快 速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电 路等，其反向恢复时

5、间可达10ns,快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二 极管。快恢复二极管（简称FRD ）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的 半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中， 作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管在制造上 采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐 压。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管， 即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区1，构成PIN硅片。因基区很薄， 反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反 向击穿电压（耐压值）较高。

6、目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元 件，高频电路中的限幅、嵌位等。肖特基（Schottky二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属 与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小 （约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器 件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流 二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、 小信号检波二极管使用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别， 它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电 场消除

7、材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成， 如图所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端 加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层 变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层 则变宽，其内阻变大。肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功 率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A 以下，反向恢复时间在1040ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较 理想的。3稳压二极管稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制

8、成的器件。稳 压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利 用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一 特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它 既具有普通二极管的单向导电特，性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低 时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二 极管进入击穿区此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反 向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被 彻底击穿而损坏。稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型

9、。 稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装（简称玻 封）稳压二极管和塑料封装（简称塑封）稳压二极管。塑封稳压二极管又分为有 引线型和表面封装两种类型。稳压管的主要参数有：稳压值vz。指当流过稳压管的电流为某一规定值 时，稳压管两端的压降。电压温度系数。稳压管的稳压值VZ的温度系数在VZ 低于4V时为负温度系数值；当VZ的值大于7V时，其温度系数为正值；而VZ 的值在6V左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳 压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温 度系数，可得到很好的温度补偿。动态电阻京表示稳压管稳压性能的优劣， 一

10、般工作电流越大，土越小。允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定，小 功率稳压管的七值为1001000mW,大功率的可达50W。稳定电流。测试稳 压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于时仍能稳压，但土较大。稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变化范围不大的 情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流 电源系统中一般作基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺 点是噪声系数较高，稳定性较差。整流管与稳压管的参数和选择原则电子资料 2009-05-01 11:39 阅读56评论0字号：大中小电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电

11、性，主要用于整流、 稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择 原则。整流二极管的主要参数1.IF-最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的 结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于 此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。VR-最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR) 剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击 穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR 为 1OOOV.3.IR反向

12、电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100C条件IR应小于500uA;在25C时IR应小于5uA4.VR击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则 指给定反向漏电流条件下的电压值。5.tre反向恢复时间。指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。主要由PN结的结电容及扩散电容决定若工作频率超过fm,则二极管 的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。7.CO零偏压电容。指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的 是，由于制造工艺的限制，即使同一

13、型号的二极管其参数的离散性也很 大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参 数也会发生变化，例如在25C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100C时IR则变为小于500uA。（二）稳压二极管的主要参数Vz稳定电压。指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压直该值随工作电流和温 度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值 也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。2.Iz稳定电流。指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并 非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。Rz动态电阻。指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而 改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Q工作电流为1OmA时，Rz为8Q为20mA时，Rz为2Q ; 20mA则基本维持此数值。Pz额定功耗。由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V, Izm为20mA,则该管的Pz为60mWoCtv电压温度系数。是说明稳定电压值受温度影