浅析基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究2800字

1、浅析基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究2800字 酞菁氧化钒(IV)，英文名称为oxo29H,31H-phthalocyaninato(2-)-N29,N30,N31,N32vanadium，中文别名为氧钒酞菁，CAS号为13930-88-6，分子式为C32H16N8OV，带有刺激性的化工中间体，防止直接接触。摘 要：四噻吩为聚噻吩类化合物，为平面构造，非常合适作为有机薄膜晶体管的诱导层。酞菁类化合物具有良好的光学特性，是重要的有机光学材料，尤其以酞菁氧钒为代表，酞菁氧钒具有较高的迁移率和开关比。真空蒸镀为现阶段比拟常用用的薄膜蒸镀方法。本实验采用真空蒸镀的方法对四噻吩及酞菁氧钒实现镀膜。之后

2、采用原子力显微镜对其形貌进展观测。关键词：四噻吩;真空蒸镀;酞菁氧钒一、研究方案有机薄膜晶体管的硅片衬底需分别经丙酮、乙醇、蒸馏水擦拭及冲洗，清洗干净后，用氮气吹干，放入烘箱中30min，进展烘干处理。首先，蒸镀alpha;-4T作为诱导层，衬底温度为室温，以更改其蒸镀速度及厚度，在真空度10-4pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度及厚度对其薄膜形貌的影响。薄膜的形貌表征采用日本精工株式会社的SPA300HV原子力显微镜(AFM)，SPI3800控制器，扫描方式为敲击形式(Tapping mode)。二、实

3、验过程及分析2.1 alpha;-4T蒸镀速度对alpha;-4T/VOPc薄膜形貌的影响图1-图3为衬底温度30下在SiO2衬底上基于不同蒸镀速度的alpha;-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸镀速度的增加，VOPc薄膜出现不同的生长机理。当alpha;-4T薄膜的蒸镀速度为0.1nm/min时，VOPc薄膜形貌点粒状，分布及其分散。当alpha;-4T薄膜的蒸镀速度为0.3nm/min时，VOPc薄膜形貌仍然为点状，密集程度稍有增加，还未能到达最正确状态。当alpha;-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min时，VOPc薄膜形貌

4、薄膜形貌由点粒成团状，出现交融变大，分布及其平均，没有重叠现象并且非常致密。此时为VOPc薄膜最正确状态。2.2 alpha;-4T蒸镀厚度对alpha;-4T/VOPc薄膜形貌的影响蒸镀alpha;-4T作为诱导层，衬底温度为30，以定其蒸镀速度为0.5nm/min在真空度10-410-5pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度对其薄膜形貌的影响。图4-图6为衬底温度30下在SiO2衬底上基于不同厚度的alpha;-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸

5、镀厚度的增加，VOPc薄膜出现不同的生长机理。当alpha;-4T薄膜的蒸镀厚度为3nm时，VOPc薄膜形貌点粒状，分布及其分散。当alpha;-4T薄膜的蒸镀厚度为5nm时，VOPc薄膜形貌由点粒成团状，出现交融变大，分布及其平均，没有重叠现象并且非常致密。此时为VOPc薄膜最正确状态。当alpha;-4T薄膜的蒸镀厚度为10nm时，VOPc薄膜形貌成大团状，由于分子团逐渐变大开场出现重叠现象。三、完毕语在SiO2衬底采用alpha;-4T薄膜诱导生长VOPc薄膜，制作了alpha;-4T/VOPc有机薄膜晶体管。通过薄膜原子力图发现：基于不同蒸镀速度，不同厚度的alpha;-4T薄膜生长的

6、蒸镀VOPc薄膜时，alpha;-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min，厚度为5nm时，薄膜形貌成团状，出现交融变大，分布及其平均，没有重叠现象并且非常致密。alpha;-4T/VOPc薄膜呈现最正确状态。参考文献：1H Minemawari，T Yamada，H Matsui，J Tsutsumi，S Haas，R Chiba， R Kumai，T Hasegawa. Inkjet printing of single-crystal films. Nature，2022，475(7356)：364-367.2MM Payne，SR Parkin，JEAnthony，CC Kuo，TN J

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