涂胶机设备单机试运转及验收范例

1、涂胶机设备单机试运转及验收范例试运转前应检查以下工程，并应在符合要求后进行单机试运转：1环境温度应为233,相对湿度应为30%70%,洁净度等级应不低于 ISO7级，室内灯光应为黄色；2电源供电电压允许偏差应为额定电压(380V)的10%,电源频率偏差允 许应为标准频率(50Hz)的2%；3压缩空气进气压力应为(0.50.7) MPa,进气流量不小于500L/min；4氮气供气压力应为(0.30.4) MPa；5排气通道应通畅，管道直径应不小于10mm；6接地引出端应与厂房接地系统稳固连接，接地电阻小于4Q。验收工程应符合以下要求：1压缩空气气源接口应能承受不小于0.7 MPa的气源压力；2氮

2、气气源接口应能承受不小于0.5MPa的气源压力；3自动状态下设备能进行晶片涂胶前清洗，涂胶后去边动作；4选6英寸圆片2片，8英寸圆片2片，基片上旋涂膜厚3|am4|jm光刻 胶，待基片干燥后，测量基片厚度。按照图2所示在基片的上、下、左、右、中 五个区域中随机各取一点，利用台阶仪对其厚度进行测量，记录测量值，并计算 出它们的平均值。取基片厚度中的最大值和最小值，使用公式E.1A.2 1得出膜 厚均匀性应不大于3%；/二(Hmax- Hmin) /2P(E.1A.2 1)式中：A一基片膜厚均匀性；Hmax基片厚度最大值；Hmin基片厚度最小值；图涂层厚度均匀性测量点示意图5选25片8英寸圆片进行

3、膜厚3 |am4|jm光刻胶旋涂，按测试膜厚均匀性 的方法，取得各片的膜厚平均值，计算出本组25片的平均值PAVG取膜厚最 大值和最小值，使用公式E.1A.2 1计算本组晶片的片间均匀性应在3%之间；Zb =(Pmax - Pmin)/2Pavg(E.1A.2-1)式中：Zb_基片片间均匀性；Pmax基片膜厚最大值；Pm”一基片膜厚最小值；PMG一基片膜厚平均值。6使用转速仪测量设备最高转速应符合指标要求，测量值与设定值之间的差 值应在土 1 rpm内；7按常用工艺温度要求分别设置温控温度，开启加热，待温度稳定后，使用 外表温度计测量热板工位区域上下左右四个点温度记录测量值，测量值与温控仪 显

4、示值之差不超过1 ;8设备正常运行时，用声级计在其水平面四个方向上，离地高度1.2 m,距离 机壳1 m处测量噪声，以每天暴露时间8 h计，其等效连续A声级噪声不应大于 85 dB(A)oE.3去胶机试运转前应检查以下工程，并应在符合要求后进行单机试运转：1环境温度应为233,相对湿度应为30%70%,洁净度等级应不低于 ISO8 级；2电源供电电压允许偏差应为额定电压(380V)的10%,电源频率偏差允 许应为标准频率(50Hz)的2%；3压缩空气进气压力应为(0,40.6) MPa；4氮气供气压力应为(0.40.6) MPa；5氧气供气压力应为(0.30.45) MPa；6接地引出端应与厂

5、房接地系统稳固连接，接地电阻小于4Q。验收工程应符合以下要求：1压缩空气气源接口应能承受不小于0.7MPa的气源压力;2氮气气源接口应能承受不小于0.7MPa的气源压力；3氧气气源接口应能承受不小于0.5 MPa的气源压力，最大流量不应超过1000 seem；4射频电源功率应在（30150） W范围内连续可调；5使用6寸和8寸的硅片各5片,外表涂覆厚度为Rm5|am微米的光刻胶， 用轮廓测试仪测量得出厚度，在规定的去胶时间3min30min内去胶结束后， 利用轮廓测试仪测量剩余胶的厚度，通过公式E.1B.2 1得出去胶速率，应满足 指标要求；1/ - (B-A) /t式中：v 去胶速率；B去胶

6、前光刻胶厚度；力去胶后剩余光刻胶厚度；t规定去胶时间。6使用6寸和8寸的硅片各3片,外表涂覆一定厚度lum5Hm的胶，在 图2所示位置用轮廓测试仪测量得出片内每点的厚度，在去胶工艺结束后，再次 测量片内每个测试点剩余胶的厚度，通过公式E.1B.2 2计算平均去胶厚度，通 过公式计算每一张硅片的片内去胶均匀性，每一张硅片的片内去胶均 匀性均应不大于10%；(E.1B.2-2)式中：C去胶厚度;Bi一去胶前硅片厚度;Ai去胶后硅片厚度。P = (MAX(Bi-Ai)-MIN(Bi-Ai) )/2C(E.1B.2-3)式中：P去胶均匀性图硅片测试点示意图7取6寸和8寸的硅片各5片，根据硅片尺寸大小分为两组，按E.1B.2 (6) 提供的方法，算出各组中每一张硅片的平均去胶厚度，通过公式(E.1B.24)计 算出本组5片硅片的平均去胶厚度，再用公式(E.1B.2 5)计算出每一组硅片的 片间去胶均匀性，每一组硅片的片间去胶均匀性均应不大于12睨D = UCi/5(E.1B.2-4)式中：D去胶厚度；Ci-一尹均去胶厚度。E= (MAX Ci-MIN Ci ) /2D(E.1