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文档简介

1、1述点3DD1556 硅 NPN 型高反压大功率晶体管构 其特点如下击穿电压高 漏电流小开关速度快饱和压降低电流特性好主要用作 25 英寸彩电行输出该产品采用台面结封装形式TO-3P(H)IS22.1限除非另有规定Tamb= 252.2除非另有规定Tamb= 25无锡地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号子有公0510 5807228-2268 2299传真 0510 5800360第 1 页共 2 页17max26.5max4.5参 数 名 称符 号测 试 条 件规 范 值最小典型最大集电极-基极截止电流ICB0VCB=1500V, IE=01mA发射极-基极截止电流IEB0VEB=5V, IC

2、=066200mA共发射极正向电流传输比的静态值h a FEVCE=5V, IC=1A830集电极-发射极饱和电压VataIC=5A, IB=1A5V基 极-发射极饱和电压VBEsataIC=5A, IB=1A1.5V下降时间tfVCC=105V, IC=4A 2IB1=-IB2=0.8A1s特征频率fTVCE=10V, IC=100mA f=0.3MHz1MHza: 脉冲测试 tp 300 s,2%参 数 名 称符号额定值集电极-发射极电压VCE0600V集电极-基 极电压VCB01500V发射极-基 极电压VEB05V集电极电流IC6A耗散功率Ta=25Ptpt3.5WTc=2550结温T

3、j150温度Tstg-55 15015.5max5.5max 3max3.6标 记2max 0.75max3.3min5.45 5.450.9maxB C E华分立件3DD1556低频放大管壳额定双极型晶体管分立器件3DD15563区(直流)Ptot-T关系曲线IC (A)Ptot (W)Tcase=2540130200.1100.010T(050100110100VCE (V)Vat-IC 关系曲线hFE-IC 关系曲线hFEVat (V)T =25Tamb=25 VCE=5VambIC/IB=51100.110.01IC (A)0.110.010.11IC (A)VBEsat-IC 关系曲线Tamb=25 IC/IB=5VBEsat (V)1.

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