材料科学基础选择题和答案

1、选 择 题注：所有题目均为单项选择题，红色字母代表的选项为正确答案。各章题目数：Ch1Ch2Ch3Ch4Ch5Ch6Ch7Ch8Ch938443029222221206第一章 晶体结构1、晶体中由结点构成的空间总体称为空间点阵，空间点阵的特点是：（ ）。A: 阵点周围环境都相同，在空间的位置一定B: 阵点周围环境不同，在空间的位置一定C: 阵点周围环境都相同，在空间的位置无序D: 阵点周围环境不同，在空间的位置无序2、依据晶格特征参数之间关系的不同及空间阵点在空间排列方式不同，结晶学中的晶族、晶系和布拉菲（Bravais）点阵的数目分别为：A: 7、3和14B: 3、7和14C: 7、14和3

2、 D:14、7和33、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ ）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A: 共价键向离子键B:离子键向共价键C: 金属键向共价键 D: 键金属向离子键4、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ ），离子配位数（ ）。A: 增大，降低B:减小，降低C: 减小，增大 D: 增大，增大5、等大球体紧密堆积时，形成了八面体和四面体两种空隙，它们分别由（ ）个等大球体堆积构成。A: 8和4 B: 4和8C: 4和6D:6和46、如果等大球体在空间的堆积按照（ ）的层序堆积，则这样的堆积构成。A: ABAB B: ABCABCC: ABBABB D: AA

3、BAAB7、如果等大球体在空间的堆积按照（ ）的层序堆积，则这样的堆积构成结构。A: ABABB: ABCABCC: ABBABB D: AABAAB8、 当N个等大的球体作面心立方堆积时,形成的四面体空隙个数为( )。A: NB:2NC: 3N D: 4N9、当N个等大的球体作面心立方堆积时,形成的八面体空隙个数为( )。A:N B: 2NC: 3N D: 4N10、某一晶面在a、b、c三个结晶轴上的截距分别为3a、3b、2c，该晶面的晶面指数为（ ）。A: (332)B:(223)C: 332 D: 22311、某一晶面在三a、b、c个结晶轴上的截距分别为3a、2b、c，该晶面的晶面指数为

4、（ ）。A:(236) B: (321)C: 236 D: 32112、某一晶面在a、b、c三个结晶轴上的截距分别为a、2b、2c，该晶面的晶面指数为（ ）。A: (122)B:(211)C: 122 D: 21113、有三种化合物AX、BX、CY，离子半径分别为R=0.181nm，R=0.130nm，R=0.095nm，R=0.169nm，R=0.034nm。这三种化合物的配位数大小顺序是（ ）A: AXBXCYB:BXAXCYC: AXCYBX D: CYBXAX14、现有三种离子化合物MX、MX和MY，M、M和M分别代表三种不同的阳离子，其半径分别为0.95、1.69 和0.34 ，X及

5、Y为阴离子，半径分别为1.81 和1.30 ，根据鲍林规则可判断出这三种化合物的配位数大小有( )关系。A：MXMX MY B：MXMXMYMXD：MX MXMY15、Ag半径为0.115nm，Cl半径为0.181nm，则AgCl晶体中离子的理论配位数为（ ）。A: 3 B: 4C:6 D: 816、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na填充在Cl所构成的（ ）空隙中。A: 全部四面体B:全部八面体C: 1/2四面体 D: 1/2八面体17、在某MX离子晶体中，若其中的阴离子易被极化，则：（）。A:阴阳离子间距增大、配位数增加。B:阴阳离子间距增大、配位数降低。C:阴阳离子间距降低、配位数降

6、低。D:阴阳离子间距降低、配位数增加。18、在一般情况下，离子晶体的结构决定主要取决于正、负离子半径比。若某离子晶体中的正、负离子的半径比为0.564，其正离子的配位数应为（）。A: 3B:6C: 4D: 819、离子晶体的配位数决定主要取决于正、负离子半径比，下列叙述正确的是（）。A:配位多面体是八面体时，正负离子半径比应处于0.4140.732范围B:配位多面体是四面体时，正负离子半径比应处于0.1550.225范围C:配位多面体是八面体时，正负离子半径比应处于0.1550.225范围D:配位数为4时，正负离子半径比应处于0.7321.0范围20、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+

7、填充在Cl-所构成的（）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D: 1/2八面体21、在硅酸盐晶体结构中，当硅氧四面体呈单链相连时，该晶体的O/Si为（）。A: 11/4B:3/1C: 10/4 D: 7/222、在四方晶系中，晶面（110）与晶棱110相互（）。A:正交B:平行C:斜交D:A或B23、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（）个MgO分子。A:2B:4C:6D:824、Mg2SiO4的结构形式为：O2-近似六方紧密堆积，Mg2+和Si4+分别填充在不同的空隙中，被填充的八面体空隙和四面体空隙各占同类空隙数

8、的（）。A:和B:和C:和D:和25、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（）。A:八面体空隙的半数B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙D:全部四面体空隙26、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（）。A:2B:4C:6D:827、CsCl晶体中Cs+的配位数为4，Cl-的配位数为（）。A:2B:4C:6D:828、某离子晶体AB中，阴离子的配位数为8，若不发生离子极化，则r+/r-值的大小应在（）范围内。A:0.1150.225B:0.2250.414C:0.4140.732D:0.732129、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（）。A:同质

9、多晶B:有序无序转变C:同晶置换D:马氏体转变30、叶蜡石Al2Si4O10(OH)2和滑石Mg3Si4O10(OH)2同属于2:1型（三层型）层状结构，它们的区别在于（）。A:结构中的八面体空隙被不同阳离子所占据B:结构中的四面体空隙被不同阳离子所占据C:两者属同质多晶D:前三种情况都不是31、透辉石CaMgSi2O6是（）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构32.镁橄榄石Mg2SiO4是（）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构33、透辉石CaMgSi2O6结构中，SiO44-共用顶点的个数为（）。A:1B:2C:3D:434、层状硅酸盐结构的O/Si比值为（）。

10、A:2B:2.5C:3D:3.535、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（）。A:沸石萤石MgO B:沸石MgO萤石C:萤石沸石MgO D:萤石MgO沸石36、石英晶体存在多晶转变现象，各个变体都有自己稳定存在的热力学范围，-石英和-石英在573的晶型转变属于（）。A:位移性转变B:结构性转变C:重建性转变D: A+B37、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（）。A: 2B:4C: 6D: 838、构成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之间只能（）连接。A:共顶B:共面C

11、:共棱D: A+B+CCh1参考答案1234567891011121314151617181920ABBBDABBABABBDCBCBAC212223242526272829303132333435363738BABDDBBDCACABBAABA第二章晶体结构缺陷1、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（）。A：弗仑克尔缺陷B：肖特基缺陷C：杂质缺陷D：A+B2、热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度（）。A：增加B：降低C：不变D：A或B3、MgO晶体中弗林克尔缺陷的生成能为2.8ev，在1600时，热缺陷浓度为( )波尔兹曼常数

12、k=1.381023，1ev=1.60210-19J）。A：810-9B：110-9C：510-20D：210-34、柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线垂直的位错称为( )，其符号表示为( )。A：刃位错；B：刃位错；VXC：螺位错；D：刃位错；5、柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线平行的位错是（），其符号表示为（）。A:螺位错；B:螺位错；C:刃位错；D:刃位错；6、非化学计量氧化物中的缺陷浓度可受的影响。A:温度B:压力C:气氛D:A+B+C7、MgO晶体中肖特基缺陷的生成能为6ev，在25时，热缺陷浓度为( )（波尔兹曼常数k=1.381023，1ev=1

13、.60210-19J）。A：510-20B：810-9C：1.9210-51D：210-408. CaF2弗伦克尔缺陷的生成能为2.8ev，在1600时，热缺陷浓度为（）。（波尔兹曼常数k=1.3810-23;1ev=1.60210-19J）A: 1.810-6B:1.710-4C: 2.010-2D: 1.510-89、TiO2是还原气氛下烧结时形成常见的（）的半导体材料，其烧结体色泽随着气氛中氧气分压的降低而（）。A:阳离子空位型、加深B:阴离子空位型、变浅C:阴离子空位型、加深D:阴离子填隙型、变浅10、非化学计量氧化物中的缺陷浓度随着环境中氧气的分压增加而（）。A:增大B:减小C:无关

14、D:不一定11、位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少12、晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差（）时，称为小角度晶界（SmallAngleGrainBoundary）。A:大于10oB:小于10oC:小于50oD:大于50o13、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。A:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D:A或B14、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（）。A:正离子

15、空位B:间隙负离子C:负离子空位D:A或B15、在外力作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定的晶面和晶向发生切变，切变之后，两部分晶体的位向以切变面为镜面呈对称关系。这种现象称为晶体在外力作用下的（）。A:偏移B:孪生C:平移D:共生16、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（）。A:稳定晶格B:活化晶格C:固溶强化D: A+B+C17、CaO常作为ZrO2高温立方晶型的稳定剂。为保持电价平衡，可以通过生成带电缺陷的方式形成固溶体。有人曾写出该过程的如下缺陷反应方程式：以下说法正确的是( )。A:方程1、方程2和方程3都正确的B:方程2和方程3是正确的C:方程1和方程3都正确的

16、D:方程1和方程2是正确的18、当引入CaCl2到KCl中而溶解时，有人写出缺陷反应如下：CaCl2CaK+VK+2ClCl(1)CaCl2Cai+2VK+2ClCl(2)CaCl2CaK+Cli+ClCl(3)以下四种说法中正确的是（）。A:方程式(1)是正确的B:方程式(2)是正确的C:方程式(3)是正确的D:三个方程式都正确，须根据实际情况判定19、NaF引入到YF3中而溶解时，可以通过生成带电缺陷的方式形成固溶体。有人曾写出该过程的如下缺陷反应方程式：（1）（2）（3）以下说法正确的是（）。A:方程1、方程2和方程3都正确的B:方程1和方程2是正确的C:方程1和方程3都正确的D:方程2

17、和方程2是正确的20. NiO-MgO之间（）。已知RNi2+=0.069nm；RMg2+=0.072nm。A:可能形成连续固熔体B:可能形成有限固熔体C:不能形成固熔体D:能形成化合物21、NiO-MgO、CaO-Al2O3、MaO-Al2O3和PbO-ZrO2四个系统中，可能生成连续固溶体的系统是（）。A:NiO-MgOB:CaO-Al2O3C:MaO-Al2O3D:PbO-ZrO222、从化学式Ni1-xMgxO可以判断该物质为（）。A:化合物B:机械混合物C:非化学计量化合物D:固溶体23、非化学计量化合物Cd1+xO属（）型。A:阴离子缺位B:阳离子缺位C:阳离子填隙D:阴离子填隙2

18、4、非化学计量化合物ZrO2-x是（）。A:阴离子缺位型B:阴离子填隙型C:阳离子缺位型D:阳离子填隙型25、Cu2-xO为（）非化学计量化合物。A:阴离子缺位型B:阴离子填隙型C:阳离子缺位型D:阳离子填隙型26、UO2+x为（）非化学计量化合物。A:阴离子缺位型B:阴离子填隙型C:阳离子缺位型D:阳离子填隙型27、TiO2-x为（）非化学计量化合物。A:阴离子缺位型B:阴离子填隙型C:阳离子缺位型D:阳离子填隙型28、Fe1-xO为（）非化学计量化合物。A:阴离子缺位型B:阴离子填隙型C:阳离子缺位型D:阳离子填隙型29、阴离子缺位型TiO2-x，其缺陷反应为：，则缺陷浓度与氧分压的关系为

19、（）。A:与氧分压的六分之一次方成正比B:与氧分压的六分之一次方成反比C:与氧分压的二分之一次方成正比D:与氧分压的二分之一次方成反比30、阳离子空位型Fe1-xO，其缺陷反应为：，则缺陷浓度与氧分压的关系为（）。A:与氧分压的六分之一成正比B:与氧分压的六分之一成反比C:与氧分压的二分之一成正比D:与氧分压的二分之一成反比31、在MgO-CoO系统中，如果Co2+和Mg2+的半径分别为0.081nm和0.082nm，则MgO-CoO之间（）。A:可能形成连续固熔体B:可能形成有限固熔体C:不能形成固熔体D:能形成化合物32、对于MgO-CaO系统，Mg2+的半径为0.080nm，Ca2+的半

20、径为1.000nm，则MgO-CaO之间（）。A:可能形成连续固熔体B:可能形成有限固熔体C:不能形成固熔体D:能形成化合物33、在MX离子晶体中，M为二价阳离子，X为二价阴离子，VM表示( )。A:M离子空位，并带两个单位负电荷B: M离子空位，并带两个单位正电荷C: M离子填隙，并带两个单位正电荷D: M离子填隙，并带两个单位负电荷34、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件D:结构相同不是形成固溶体的条件

21、35、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（）。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D:A+B+C36、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D:A+B+C37、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（）。A:杂质质点大小B:晶体（基质）结构C:电价因素D:A+B+C38、使位错发生攀移运动的力包括（）攀移力。A:化学和剪切B:弹性和热剪切C:化学和弹性D:热和剪切39、位错的滑移是指位错在（）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A:外力B:热应力C:化学力D:结构应力40、

22、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加41、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负

23、离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现42、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。A:位错不一定是直线B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部D:位错不能中断于晶体内部43、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移44、晶体缺陷的意义在于（）。A:造成晶体点阵周期势场畸变的一切因素B:晶体中出现原子空位的区域C:晶体中出现原子间隙的区域D:晶体中存在杂质的区

24、域Ch2参考答案1234567891011121314151617181920DAAAADBBCDABDDBDDDBB2122232425262728293031323334353637383940ADCACBACBAABABDDBCAB41:A42:C43:A44:A第三章非晶态结构与性质1、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（）因素的影响。A:组成B:温度C:时间D: A+B+C2、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（），粘度（）。A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变3、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（），粘度（）。A:降低；增加B:不变

25、；降低C:增加；降低D:增加；不变4、B2O3加入到硅酸盐熔体中，其粘度变化为（）。A:降低B:升高C:先升高后降低D:先降低后升高5、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（），随温度下降而（）。A:增大，降低B:降低，增大C:增大，增大D:降低，降低6、能单独形成玻璃的氧化物的单键强度在（）范围。A:大于250KJ/molB:大于335KJ/molC:小于250KJ/molD:250335KJ/mol7、由结晶化学观点知，具有（）的氧化物容易形成玻璃。A:极性共价键B:离子键C:共价键D:金属键8、SiO2、Al2O3、B2O3、CaO、Na2O都是生产玻璃的原料，其中（）是网络形成体。A:Si

26、O2和Na2OB:Al2O3和B2O3C:SiO2和Al2O3D:SiO2和B2O39、Na2OAl2O32SiO2熔体的桥氧数为（）。A: 1 B: 2C: 2.5D: 3.510、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的桥氧数为（）。A: 2.5 B: 3C: 3.5 D: 411、Na2OAl2O3SiO2熔体的非桥氧数（）Na2OAl2O3SiO2熔体的非桥氧数。A:大于B:小于C:等于D:不能确定12、Na2OAl2O34SiO2熔体的桥氧数为（）。A:1B:2C:3D:413、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的桥氧数为（）。A:2.5B:3C:3.5D:414、对于R2O-SiO

27、2体系，当O/Si较小，而碱金属氧化物含量相同时，熔体粘度的大小顺序是（）。A:Li2O-SiO2Na2O-SiO2K2O-SiO2B:Li2O-SiO2Na2O-SiO2Li2O-SiO2K2O-SiO2D:Li2O-SiO2K2O-SiO2Na2O-SiO2K2O-SiO2B: Li2O-SiO2Na2O-SiO2Li2O-SiO2K2O-SiO2D: Li2O-SiO2K2O-SiO2QCQCrB:QCr QCQHC: QCQHQCrD: QCr QHQC6、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在（）的关系。A:Ds Dg DbB:Db Dg Ds DbD:D

28、g Ds空位扩散B:易位扩散间隙扩散=空位扩散C:易位扩散间隙扩散空位扩散D:易位扩散间隙扩散空位扩散15、一般晶体中的扩散为（）。A:空位扩散B:间隙扩散C:易位扩散D:A和B16、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散。A:各种类型固溶体B:间隙型固溶体C:置换型固溶体D:A和B17、扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（），扩散（）。A:越紧密；越困难B:越疏松；越困难C:越紧密；活化能越小D:越疏松；活化能越大18、不同类型的固溶体具有不同的结构，其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比置换型（）。A:难于扩散B:扩散活化能大C:扩散

29、系数小D:容易扩散19、扩散相与扩散介质性质差异越大，（）。A:扩散活化能越大B:扩散系数越大C:扩散活化能不变D:扩散系数越小20、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A:增加缺陷浓度B:使晶格发生畸变C:降低缺陷浓度D:A和B21、通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。A:本征扩散B:非本征扩散C:互扩散D: A+B22、扩散的激活能可对lnD1/T作图（D为扩散系数，T为温度），由斜率求得。在系统中仅有少量杂质时，通常低温区和高温区的不同斜率分别表示了（）。A:本征扩散及非本征扩散激活能B:非本征扩散及本征扩散激活能

30、C:非本征扩散及间隙扩散激活能D:间隙扩散及杂质扩散激活能Ch6参考答案1234567891011121314151617181920DCDABABBCBACDCDCADBD21：A22：B第七章相变1、按热力学方法分类，相变可以分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵不相等，因此一级相变（）。A:有相变潜热，无体积改变B:有相变潜热，并伴随有体积改变C:无相变潜热，并伴随有体积改变D:无相变潜热，无体积改变2、二级相变是指在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵也相等，而二阶偏微熵不等，因此二级相变（）。A:有相变潜热，无体积的不连续性，有居里点B:无相变潜热，有体

31、积的不连续性，有居里点C:无相变潜热，无体积的不连续性，无居里点D:无相变潜热，无体积的不连续性，有居里点3、晶体由一相转化为另一相时，如该相变为一级相变，则在相变温度时，该过程（）。A:自由焓相等，等压热容不等B:自由焓不相等，体积相等C:自由焓相等，体积不等D:自由焓不相等，等压热容相等4、若某一体系进行二级相变，则在相变温度下，二相的（）。A:自由焓相等，体积不相等B:自由焓不相等，体积相等C:自由焓和体积均相等D:自由焓和体积均不相等5、石英与鳞石英之间的转变是（）。A:重建性转变B:位移性转变C:马氏体相变D:有序-无序转变6、成核-长大型相变是材料中常见的一种相变，如结晶釉的形成。成核-长大型相变是由（）的浓度起伏开始发生相变，并形成新相核心。A:程度大，范围小B:程度小，范围小C:程度大，范围大D:以上均不正确7、纯金属和合金具有马氏体相变，马氏体转变特点是（）。A:快速B:无扩散C:无特定温度D:A+B+C8、在多晶转变中，-鳞石英与-鳞石英之间的转变是（）。A:重建性转变B:位移性转变C:马氏体相变D:有序-无序转变9、对于吸热的相变过程，要使相变过程能自发进