电容加速MOS管开关速度_第1页
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文档简介

1、电容加速MOS管开关速度 HYPERLINK /space-username-getappple.html t _blank getappple对于开关频率 当C4、100n电容足够大时,三极管在 输入信号下降沿时(MOS管关),给Vgs提供放电回路。因为有了D11和C4,Q5Q7都不是工作在深度饱和状态。除了推挽射随器电路,第一次见这么用三极管来驱动MOS的。波形解释如下:第一行:输入PWM信号,频率40KHZ第二行:下面那个三极管Q7的基极电流波形ib第三行:C4电容电压波形Vc4第四行:上面三极管be节电压波形Vbe第五行:上面三极管的c极电流波形ic第六行:MOS的g极电位波形Vg第七

2、行:MOS的输出极也就是d极波形Vd当输入从0跳变为5V时,Q7 be节通,三极管基极流过较大的ib,同时输出集电极电流,从瞬态看Q7的ic通过D11-Cgs(mos的gs电容)-C4-R3抽取mos的gs电荷,达到加速导通的目的。这个电流对C4充电.此瞬态Z1稳压导通,也这个通路给C4持续充电,可以看到Vc4充电电压波形上升过程中有一个最开始的非常一小段斜率的比较大,就是这个通路造成的。C4充电的另一个电流时从40V通过R5 10k而来的另一个电流,相对来说这个电流较小。随着C4电压的上升,D11的加速电流逐渐减小,最后二极管没有电流,C4的充电电流完全由R5提供,因电阻大,时间常数大,所以

3、可以看到C4的充电上升波形 有一个斜率的瞬变变化。就是这个原因,在瞬变之前一小段高斜率就是对MOS的加速导通过程,加速导通过程导致倒数第2行的MOS g极电压的下降有一个非常小的小段,这一小段的MOS g极电压下降非常迅速,而加速电流之后(就是完全由R5为C4充电),MOS的下降斜率明显变缓。在C4充电过程中,因为R4的负反馈作用以及D11的嵌位作用,Q5维持不通,没有电流流过CE节;40V通过R5持续给电容C4充电。当输入从5V跳往0V,Q7截止,40V对Q7的通路被断开。因电容C4电压不瞬变,且无其他放电回路(D11截止),C4电压导致Q5 be节导通,C4电压因通过BE节+R4放电下降;Q5的be节导通的结果就是MOS的Cgs在MOS导通时存储的电荷通过ce节释放,可以看到第5行 Q5 ce电流波形的一个大脉冲就是它,这样就加速了MOS的关断过程。可以从倒数第2行MOS的G极电压波形看到MOS的关断过程比较迅速。【当又一个输入信号的0到5V跳变来临时,三极管的导通不能立即停止,所以会在Q5 ce电流波形出现一个很小脉冲。】由于MOS的开通、关断过程都有低阻抗的加速过程,所以从最下一行的MOS输出电压波形看,其开关还是比较

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