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文档简介

1、电容加速MOS管开关速度 HYPERLINK /space-username-getappple.html t _blank getappple对于开关频率 当C4、100n电容足够大时，三极管在 输入信号下降沿时（MOS管关），给Vgs提供放电回路。因为有了D11和C4，Q5Q7都不是工作在深度饱和状态。除了推挽射随器电路，第一次见这么用三极管来驱动MOS的。波形解释如下：第一行：输入PWM信号，频率40KHZ第二行：下面那个三极管Q7的基极电流波形ib第三行：C4电容电压波形Vc4第四行：上面三极管be节电压波形Vbe第五行：上面三极管的c极电流波形ic第六行：MOS的g极电位波形Vg第七

2、行：MOS的输出极也就是d极波形Vd当输入从0跳变为5V时，Q7 be节通，三极管基极流过较大的ib，同时输出集电极电流，从瞬态看Q7的ic通过D11-Cgs（mos的gs电容）-C4-R3抽取mos的gs电荷，达到加速导通的目的。这个电流对C4充电.此瞬态Z1稳压导通，也这个通路给C4持续充电，可以看到Vc4充电电压波形上升过程中有一个最开始的非常一小段斜率的比较大，就是这个通路造成的。C4充电的另一个电流时从40V通过R5 10k而来的另一个电流，相对来说这个电流较小。随着C4电压的上升，D11的加速电流逐渐减小，最后二极管没有电流，C4的充电电流完全由R5提供，因电阻大，时间常数大，所以

3、可以看到C4的充电上升波形 有一个斜率的瞬变变化。就是这个原因，在瞬变之前一小段高斜率就是对MOS的加速导通过程，加速导通过程导致倒数第2行的MOS g极电压的下降有一个非常小的小段，这一小段的MOS g极电压下降非常迅速，而加速电流之后（就是完全由R5为C4充电），MOS的下降斜率明显变缓。在C4充电过程中，因为R4的负反馈作用以及D11的嵌位作用，Q5维持不通，没有电流流过CE节；40V通过R5持续给电容C4充电。当输入从5V跳往0V，Q7截止，40V对Q7的通路被断开。因电容C4电压不瞬变，且无其他放电回路（D11截止），C4电压导致Q5 be节导通，C4电压因通过BE节+R4放电下降；Q5的be节导通的结果就是MOS的Cgs在MOS导通时存储的电荷通过ce节释放，可以看到第5行 Q5 ce电流波形的一个大脉冲就是它，这样就加速了MOS的关断过程。可以从倒数第2行MOS的G极电压波形看到MOS的关断过程比较迅速。【当又一个输入信号的0到5V跳变来临时，三极管的导通不能立即停止，所以会在Q5 ce电流波形出现一个很小脉冲。】由于MOS的开通、关断过程都有低阻抗的加速过程，所以从最下一行的MOS输出电压波形看，其开关还是比较

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