晶闸管三相整流电路触发电路本章要点;三相可控整流电路的学习教案

1、会计学1晶闸管三相整流晶闸管三相整流(zhngli)电路触发电路本电路触发电路本章要点章要点;三相可控整流三相可控整流(zhngli)电路的电路的第一页，共70页。第1页/共69页第二页，共70页。第2页/共69页第三页，共70页。第3页/共69页第四页，共70页。第4页/共69页第五页，共70页。第5页/共69页第六页，共70页。第6页/共69页第七页，共70页。第7页/共69页第八页，共70页。第8页/共69页第九页，共70页。第9页/共69页第十页，共70页。第10页/共69页第十一页，共70页。第11页/共69页第十二页，共70页。tICdtIuC1C1c1第12页/共69页第十三页，

2、共70页。)/(/87687e3hRRRRRuu)/(/76876ppRRRRRuu)/(/86786c0c0RRRRRuupuc0upuc0u第13页/共69页第十四页，共70页。cophuuu第14页/共69页第十五页，共70页。第15页/共69页第十六页，共70页。第16页/共69页第十七页，共70页。第17页/共69页第十八页，共70页。第18页/共69页第十九页，共70页。第19页/共69页第二十页，共70页。第20页/共69页第二十一页，共70页。第21页/共69页第二十二页，共70页。C100C700030170su4R第22页/共69页第二十三页，共70页。第23页/共69页第

3、二十四页，共70页。第24页/共69页第二十五页，共70页。第25页/共69页第二十六页，共70页。 KC04移相触发器的管脚分布(fnb) KC04移相触发器各脚的波形移相触发器各脚的波形(b xn) 第26页/共69页第二十七页，共70页。第27页/共69页第二十八页，共70页。第28页/共69页第二十九页，共70页。第29页/共69页第三十页，共70页。第30页/共69页第三十一页，共70页。GFiGFu第31页/共69页第三十二页，共70页。ATOI第32页/共69页第三十三页，共70页。b）单电源）单电源(dinyun)方式方式 （a）单电源）单电源(dinyun)方式方式 （c）双

4、电源方式）双电源方式 （d）脉冲变压器方式）脉冲变压器方式第33页/共69页第三十四页，共70页。v2）用）用P-MOSFET关断关断GTO的门控电路的门控电路(dinl)v下图是用下图是用P-MOSFET关断关断GTO的门控电路的门控电路(dinl)原原理图。理图。第34页/共69页第三十五页，共70页。第35页/共69页第三十六页，共70页。第36页/共69页第三十七页，共70页。第37页/共69页第三十八页，共70页。提供负的栅源电压。提供负的栅源电压。n（6）驱动电源须并联旁路电容，它不仅）驱动电源须并联旁路电容，它不仅(bjn)能滤除噪声，也可给负载提供瞬时电流，加快能滤除噪声，也可

5、给负载提供瞬时电流，加快MOSFET的开关速度。的开关速度。第38页/共69页第三十九页，共70页。栅极直接栅极直接(zhji)驱动的电路原理图驱动的电路原理图（a）用一个晶体管直接）用一个晶体管直接(zhji)驱动驱动 （b）用推挽电路驱动）用推挽电路驱动第39页/共69页第四十页，共70页。 第40页/共69页第四十一页，共70页。 第41页/共69页第四十二页，共70页。第42页/共69页第四十三页，共70页。第43页/共69页第四十四页，共70页。第44页/共69页第四十五页，共70页。第45页/共69页第四十六页，共70页。第46页/共69页第四十七页，共70页。第47页/共69页第

6、四十八页，共70页。第48页/共69页第四十九页，共70页。第49页/共69页第五十页，共70页。第50页/共69页第五十一页，共70页。的保护的保护因因GTR存在存在(cnzi)二次击穿问题，其过程很快，诸二次击穿问题，其过程很快，诸如快熔之类的过电流保护对如快熔之类的过电流保护对GTR类器件基本无用。类器件基本无用。它依赖于特殊的保护电路。它依赖于特殊的保护电路。第51页/共69页第五十二页，共70页。第52页/共69页第五十三页，共70页。第53页/共69页第五十四页，共70页。第54页/共69页第五十五页，共70页。第55页/共69页第五十六页，共70页。 IGBT过流保护原理过流保护

7、原理(yunl)与电路与电路第56页/共69页第五十七页，共70页。第57页/共69页第五十八页，共70页。第58页/共69页第五十九页，共70页。耗型缓冲电路，后一类是反馈型耗型缓冲电路，后一类是反馈型缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，在电力电子器件的容量不大，工在电力电子器件的容量不大，工作频率也不太高的场合下，这种作频率也不太高的场合下，这种电路应用很广泛。电路应用很广泛。第59页/共69页第六十页，共70页。 第60页/共69页第六十一页，共70页。 （a）IGBT桥臂 （b）桥臂模块公用 （c）有反馈(fnku)功能 （d）不对称有反馈(fnku) （e）形

8、吸收电路模块(m kui)的单电容电路 的RCD电路 的RCD电路功能 的RCD电路第61页/共69页第六十二页，共70页。联使用的典型联使用的典型(dinxng)电电路，图中电阻路，图中电阻为静态均压电为静态均压电阻，电感为动阻，电感为动态均压电感。态均压电感。第62页/共69页第六十三页，共70页。 1、强迫、强迫(qing p)均流法均流法 GTO强迫强迫(qing p)均流法的基本电路均流法的基本电路 第63页/共69页第六十四页，共70页。 （a）IGBT桥臂 （b）桥臂模块(m kui)公用 （c）有反馈功能 （d）不对称有反馈 （e）形吸收电路(dinl)模块的单电容电路(din

9、l) 的RCD电路(dinl) 的RCD电路(dinl)功能 的RCD电路(dinl) （a）门极串阻抗后的耦合）门极串阻抗后的耦合 （b）门极直接耦合）门极直接耦合GTO直接并联的基本电路直接并联的基本电路第64页/共69页第六十五页，共70页。但是，由于但是，由于P-MOSFET自身参数自身参数及电路参数不匹配，会导致器件及电路参数不匹配，会导致器件并联应用时出现电流分配不均的并联应用时出现电流分配不均的问题。严重的电流分配不均，会问题。严重的电流分配不均，会使并联使并联P-MOSFET过载以至烧坏。过载以至烧坏。n为了并联器件能够做到动态均流为了并联器件能够做到动态均流运行，应注意以下两

10、个问题。运行，应注意以下两个问题。n1）尽量挑选跨导、栅源开启电压、）尽量挑选跨导、栅源开启电压、输入电容和通态电阻值相近的管输入电容和通态电阻值相近的管子作并联用。子作并联用。n2）精心布局。器件安装位置应）精心布局。器件安装位置应尽量做到完全对称，所有连接线尽量做到完全对称，所有连接线必须一样长，而且尽量加粗和缩必须一样长，而且尽量加粗和缩短。电源引线最好使用多股绞线，短。电源引线最好使用多股绞线，并将电流环的面积做到最小。并将电流环的面积做到最小。第65页/共69页第六十六页，共70页。栅极控制信号电路完全相同，但栅极控制信号电路完全相同，但由于各由于各IGBT的性能、开关速度的性能、开关速度的差异，栅极控制信号线路元器的差异，栅极控制信号线路元器件参数的不一致，线路存在分布件参数的不一致，线路存在分布电感、分布电容等因素，会造成电感、分布电容等因素，会造成各各IGBT的开关动作不一致，这的