Touch_Panel产品开发教育训练

1、Touch Panel产品开发教育训练目录1 . Touch Panel简介 1.1. 电容式TP特点 1.8. 电容TP产品基本结构（三） 1.2. 电容式TP工作原理 1.9. 电容TP产品 1.3. 电容式TP分类 1.20. TP常用术语 1.4. 投射电容与表面电容对比 1.21. 无尘室级别的划分 1.5. 自电容与互电容结构 1.22. 生产线代数和玻璃尺寸 1.5.1. 自电容 1.23. TP行业知名厂商（一） 1.5.2. 互电容 1.24. TP行业知名厂商（二） 1.6. 电容TP产品基本结构（一） 1.7. 电容TP产品基本结构（二） 2 . TP各站制程简介 2.1

2、. 黄光制程（前制程） 2.11. Sputter机台（一） 2.2. 黄光制程流程 2.11. Sputter机台（二） 2.2. 黄光制程流程（详解） 2.12. Wash Clean （清洗） 2.2. 黄光制程流程（细化） 2.13. 清洗机台与清洗液 2.3. Sputter（溅镀） 2.14. Coating（涂布） 2.4. Sputter 主要控制参数 2.15. Coating 制程控制点 2.5. ITO Sputter 应用 2.16. Pre-bake（软烤） 2.6. Metal Sputter 应用（一） 2.17. 软烤机台与目的 2.6. Metal Sputt

3、er 应用（二） 2.18. Exposure（曝光） 2.7. SiO2 Sputter 应用 2.19. 曝光技术解析（一） 2.8. Sputter 相关问题 2.20. 曝光技术解析（二） 2.9. Sputter 制程管控参数 2.21. 曝光机台与光罩 2.10. Sputter靶材与机台 2.22. Developer （显影）目录 2.23. 显影机台与流程 2.36. 涂布异常图片 2.24. Post bake（硬烤） 2.37. 显影异常图片 2.25. 硬烤机台与作用 2.38. ITO 蚀刻异常图片 2.26. Etching（蚀刻） 2.39. Metal蚀刻异常图

4、片 2.27. 蚀刻机台与蚀刻液 2.40. 其它异常不良图片 2.28. Stripe（剥膜） 2.41. 可剥胶印刷 2.29. 剥膜机台与剥膜液 2.42. 可剥胶印刷制程参数及异常 2.30. Oven（高温烘烤） 2.43. 可剥胶印刷流程与作用 2.31. 高温烘烤机台 2.44. 可剥胶制程管控项目 2.32. 黄光制程产品（一） 2.45. 可剥胶机台 2.33. 黄光制程产品（二） 2.46. 后段制程 2.34. 黄光制程化学用品 2.47. 切割 2.35. 黄光制程常见不良 2.48. 切割成形与机台目录 2.49. 清洗 2.50. FOG 2.51. FOG邦定制程

5、 2.52. FOG邦定分解图 2.53. ACF贴附主要参数及不良 2.54. FPC热压主要参数及不良 2.55. FOG相关材料及机台 2.56. OCA贴合工艺流程 2.57. OCA贴合制程（一） 2.58. OCA贴合制程（二） 2.59. Final（最终） 目录1. TP技术起源 触控面起源于1970年代美国军方用 途开发,1980年代移转至民间后, 日本开始发展触控面板2. TP的分类 进行触控技术依感应原理可分为电阻式（Resistive）、电容式（Capacitive）、表面音波式（Surface Acoustic Wave）、光学式（Optics）和电磁式（ Digiz

6、er ）等几种. 3. 电容式TP的发展历程 电容式触控技术于20多年前诞生，早期由美商3M（明尼苏达矿业制造）公司独占整个电容式触控面板的国际市场。在几年前由于基本专利到期，全球触控面板的生产业者纷纷加入开发电容式触控面板事业领域中，期待有所发挥。1 . Touch Panel简介u 注：目前我司主要从事电容式触控面板的开发和制造。1.1. 电容式TP特点n 电容式触控产品具防尘、防火、防刮、强固耐用及具有高分辨率等优点， 但也有价格昂贵、容易因静电或湿度造成触控失误等缺点。1.2. 电容式TP工作原理电容式触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的。人是接地物(即导电体)，给工作面通一个很低的电

7、压，当用户触摸荧幕时，手指头吸收走一个很小的电流，这个电流分别从触控面板四个角或四条边上的电极中流出，并且理论上流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成比例，控制器通过对这四个电流比例的精密计算，得出触摸点的位置。在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压手指接触触控屏时从四个角落传到接触点的微量电流被带走产生压降控制器由接触点压降程度计算出 X / Y坐标位置再传给计算机主机I1I2I3I4p 表面电容式 由一个普通的ITO层和一个金属边框，当一根手指触 摸屏幕时，从面板中放出电荷。感应在触摸屏的四角 完成，不需要复杂的ITO图案p 投射

8、电容式（感应电容式） 采用1个或多个精心设计的、被蚀刻的ITO层，这些ITO层通过蚀刻形 成多个水平和垂直电极投射电容式根据不同工作原理又分： n 自感应电容式（自电容）n 互感应电容式（互电容）1.3. 电容式TP分类1.4. 投射电容与表面电容对比1.5. 自电容与互电容结构n 自电容以ITO pattern来看又可分为： 1.轴交错式、2. 独立短阵式两类，当手指Touch时， 手指与电极间会感应成一个耦合电容，经由量测电 容值变化，计算触控点坐标。n 互电容的ITO layer被制成驱动线路和感测 线路 pattern，在线路互相交叉处形成耦合 电容节点，当手指Touch时，会造成耦合

9、电 容值改变，再经由控制器测得触控点坐标。自电容的触摸感应检测方法需要每行和每列都进行检测l 行与列之间存在多个固有的寄生电容(CP)l 行与列距离越近,寄生电容CP越大自电容行或列感应检测1.5.1. 自电容行行行行列列列列列列ITO Pattern1.5.2. 互电容当行列交叉通过时, 行列之间会产生互电容l 驱动和感应单元之间形成边缘电容l 行列交叉重叠处会产生耦合电容l 感应单元的自感应电容依然存在, 但不必进行测量互电容感应检测点行行行行列4-CMCMITO Pattern1.6. 电容TP产品基本结构（一）1. GG结构：即为Cover Glass（盖片玻璃）+ Sensor Gl

10、ass(感应玻璃) 构 成Touch Panel。1.7. 电容TP产品基本结构（二）1.8. 电容TP产品基本结构（三）1. OGS结构：将Cover Glass与Sensor Glass合二为一成为一体式 电容TP，即为One Glass Solution（单片玻璃解决方案）1.9. 电容TP产品随着TP的发展各种各样的TP产品出现在我们的生活里，你喜欢哪一个？产品结构类其它类Cover Glass：盖板玻璃 Sensor：传感器 IC：集成芯片 Substrate：基板 PF：保护膜 FPC：可挠性印刷线路板 Design Feasibility Review Phase：可行性评估阶段

11、 Proto Phase：规划阶段 EVT：工程验证阶段ACF：异方性导电胶 OCA：光学透明胶 LOCA/OCR：液态光学透明胶 ASF：防爆膜 Sponge：泡棉 DVT：设计验证阶段 PVT：试产验证阶段 MP：量产阶段 Process Flow：制程流程ITO Pattern：ITO图形 ITO Jumper：ITO跳线/桥线 PI：光阻绝缘层 Icon：图标 Metal Trace：金属线路Sputter：溅镀 Wash clean：清洗 Coating：涂布 Pre-bake ：软烤 Metal Jumper：金属跳线/桥线Passivation：保护层 Silver Glue：银

12、浆 VA：视区 IR Hole：红外孔 AA：功能区Exposure：曝光 Developer：显影 Post bake：硬烤Etcher：蚀刻 Etcher：蚀刻 Stripping：剥膜Stack Up：堆叠图 Trace Width：线路宽度 Trace Space：线路间距 ITO Bonding Pad：ITO邦定区Oven：高温烘烤 FMAE：失效模式与效应分析 CP：制程能力指数 CPK：量产规格限度 基本类CS: 表面应力 DOL：强化深度 CT：压缩应力、拉深应力 AG：抗炫 AR：抗反射 AS：抗污 AF：抗指纹 ITO：氧化铟锡 BM：黑色材料 Metal：金属（Mo-A

13、l-Mo） SiO2：二氧化硅 IM：Nb2O5+SiO2PR：光阻 POL：偏光片 CF：彩色滤光片 LCD/LCM：液晶显示器、模组Barcode：条形码Spec：规格 Mask：光罩 Mark：靶标 VMI：目检 ESD：静电释放 GND：地线Shielding：防护、屏蔽Hard Coating Film：硬化涂层TFT：薄膜电晶体 Cell：液晶填充制程 OD：光学密度1.20. TP常用术语1.21. 无尘室级别的划分u TP的制造对环境要求很高，必须在洁净度很高的无尘室环境下 进行作业。 （美国联邦标准NO.209B-1973） （个数/ ft3）u 注：目前我司TP无尘室主要为

14、千级，部分贴合区域可达百级1.22. 生产线代数和玻璃尺寸第1代(1990) 300 X 400第2代(1993) 360 X 465 370 X 470 400 X 500第3代(1995) 550 X 650 550 X 670 600 X 720 620 X 750第4代(2000) 680 X 880 730 X 920第5代(2002.5) 1000 X 1200 1100 X 1250 1100 X 1300第6代(2003.5) 1500 X 1800 1500 X 1850第7代 (2004.5) 1870 X 2200u 注：目前我司TP生产线为3代线，玻璃基板尺寸：550

15、x650mm1.23. TP行业知名厂商（一）1.24. TP行业知名厂商（二）2.1. 黄光制程（前制程）o 黄光制程： 通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质(又称为光 刻胶或光阻)，经曝光、显影后留下的部分对底 层起保护作用，然后进行蚀刻并最终获得永久 性的图形的过程。 o为什么光刻区采用黄光照明？ n因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光，就象洗像的暗房采用暗红光照明，并且黄光对人体危害性最小。 2.2. 黄光制程流程u 以上为黄光基本制程，详细制程需根据产品结构来制定 Oven （高温烘烤） Exposure （曝光）Pre-bake（软烤） Coating （涂布）Was

16、h Clean （清洗）Sputter （溅镀） Stripe （剥膜） Etching （蚀刻） Post bake （硬烤） Developer （显影）2.2. 黄光制程流程（详解）镀膜（Sputter）上光阻（Coater）光罩（Mask）显影（Developer）显影液曝光（Exposure）蚀刻（Etch）去光阻（Stripper） 蚀刻液素玻璃剥膜液2.2. 黄光制程流程（细化）镀 膜、上光阻曝 光、显 影蚀 刻剥 膜2.3. Sputter （溅镀）n溅镀原理： 靶材接阴极，基板接正极或接地，导入氩气,利用低压气体（Ar）放电现 象: 电子在电场的作用下加速飞向基板的过程中与A

17、r原子发生碰撞，电离 出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。Ar+在电场的作用下加速轰击 靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)在基板上沉积成膜。玻璃基板靶材u 靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉积到基板2.4. Sputter 主要控制参数参数意义设定范围参数名称加热玻璃基板一般0350ITO：300左右 SiO2：110左右Metal：70左右温度 Temperature1. 产生Ar Plasma，提供Ar离子撞击Target，溅射出的Target原子在基板表面沉积。2.提供反应气体,如O2数10200Sccm气体流量 Ar Flow Rate保证稳定的Plasma和膜

18、质。0.1？Pa保证稳定的膜厚和阻抗。0？KW制程压力Pressure靶材功率Power2.5. ITO Sputter 应用 u 在黄光制程中，主要有ITO、Metal、SiO2需要经过Sputter。ITO 是一种导电氧化物。中文名称是氧化铟锡，具有高导电率、高穿透率、高的机械硬度、良好化学稳定性。因此，它是液晶显示器（LCD）、触摸屏（Touch Panel）的透明电极最常用的薄膜材料。u ITO 特点：透明、导电、稳定性好ITO 应用：1. 面电阻（方块电阻）2. 膜厚3. 穿透率4. 附着力 ITO Sputter制程管控点：方块电阻： 是指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电

19、阻，方块电阻有 一个特性：即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边 长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，方阻仅与导电膜的厚度 及材料的电阻率等因素有关（方阻越大，膜厚越小）。2.6. Metal Sputter 应用（一）Metal：mo/AL/mo（钼/铝/钼），钼的沸点和导电性能突出，线热膨胀系数小，易于加工。钼与大多数玻璃成分在化学上是相容的，且不会由于小量钼溶解在玻璃熔槽内而造成有害的发色效应，所以钼与玻璃间附着力较好。而铝的导电性好，但对玻璃基板的附着力较差，且易氧化腐蚀，所以第一层钼可以提高与玻璃基板之间的附着力，而最后一层钼可以防护铝被氧化和腐蚀。Metal 应用1

20、. 面电阻（方块电阻）2. 膜厚3. 附着力Metal Sputter制程管控：2.6. Metal Sputter 应用（二）u Metal的作用：架桥ITO绝缘材料MetalMetal 在TP中的位置2.7. SiO2 Sputter 应用SiO2膜以其折射率低、透光性好的特性用于光学零件的表面防护以及减反射涂层。此外SiO2膜具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，硬度高、结构精细、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、熔点高而用于多层薄膜传感器的绝缘层。u SiO2 特点：穿透率高、绝缘、抗磨耐腐蚀SiO2 应用：1. 膜厚2. 穿透率3. 附着力SiO2 Sputter制程管控点：在基层上溅镀一层SiO

21、2薄膜，利用此膜层保护其下基层，防止基层上的电路受外界环境的侵蚀而失去其原始设计的功能。SiO2 制程目的：2.8. Sputter 相关问题项 目镀 膜 效 果影响因素基片清洗效果溅射功率溅射气体纯度溅射气体压力原 因基片清洗不净，基片上留有的残余杂质或油迹、灰尘，会在成膜过程中影响淀积原子与基板之间的结合力以及原子之间的结合力。溅射功率增加，使得Ar气的电离率提高，从而提高溅射速率，这样基片表面的膜层与基板的粘附能力及膜层致密性都有所提高，并缩短了溅射时间，提高了膜层质理。Ar气纯度不够；会在膜层中形成很多缺陷，溅射一定厚度膜层后，膜层明显疏松，硬度增加。气压太低，则不能起辉或起辉不足，轰

22、击靶材的氩气离子数目太少；如气压过高，氩离子与靶材原子的碰撞中，靶材原子损失的动能太多，造成淀积到基板上的原子能量低，也影响膜层的附着力和致密性。2.9. Sputter 制程管控参数u 目前我厂Sputter生产主要管控的制程参数：2.10. Sputter 靶材与机台Sputter 机台（厂内）靶 材靶 材靶 材蓝思科技蓝思科技LENS蓝思科技（长沙）有限公司蓝思科技（长沙）有限公司LENS TECHNOLOGY (CHANGSHA)CO.,LTD状态指示灯紧急停止转移站 1LED柔性灯条转移站 2装卸台存储站台车2.11. Sputter 机台（一）u 员工工作区域：挂片，取片蓝思科技蓝

23、思科技LENS蓝思科技（长沙）有限公司蓝思科技（长沙）有限公司LENS TECHNOLOGY (CHANGSHA)CO.,LTD涡轮分子泵浦干式泵浦（dry pump）低真空载入载出腔体高真空载入载出腔体缓冲腔体 制程腔体 缓冲腔体 回转腔体（粗抽到67Pa左右）(可抽到5*10-3 Pa）2.11. Sputter 机台（二）2.12. Wash Clean （清洗）清 洗：通过磨刷、脱脂药液及清水的清洗移除玻璃基板上的污染物、微粒、减少针孔和其他缺陷，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布，提高玻璃与光阻的结合能力。主要参数：清洗液浓度(2000-5A,5%),脱脂毛刷压入量，传送

24、速度，温度，喷洗流量，喷洗压力，AP功率，供气流量，玻璃表面与纯水的接触角小于8（接触角决定清洗后洁净度）。制程主要不良项目：刮伤，叠片和清洗不干净。u 注：目前我们厂内从Sputter之后的黄光段清洗都未使用清洗液，都是使用超纯水。2.13. 清洗机台与清洗液（1）2000-5A：主要成分KOH及表面活性剂，主要用于清洗素玻璃和ITO玻璃。其与一般动植物油脂的反应机理为皂化反应： (RCOO)3C3H5+3KOH3RCOOK+C3H5(OH)3 生成物RCOOK可溶于水。（2）FPD 120：主要成分为氨基三乙酸【分子式为N(CH2COOH)3】、有机羧酸及一些表面活性剂。由于Metal镀层

25、的活性较高，能被2000-5A清洗液侵蚀，因而清洗Metal玻璃必须使用专用的FPD 120清洗剂。清洗机台清洗液相关知识2.14. Coating（涂布）涂 布：将光阻涂布在已镀膜的 Glass表面上，利用光阻保护Glass表面的镀膜层，光阻在经曝光，显影，蚀刻，产生图案在 Glass上。（光阻是一种感光材料，它的组成：树脂、感光剂、溶剂。光阻分为正型光阻和负型光阻）正型光阻：曝光的部分产生解离反应，使感光部分解离成小分子，形成易溶于显影液的结构。（正型光阻一般用于过渡性，如在做ITO、Metal时候，光阻最终被剥除掉，不会保留在产品上）负型光阻：曝光的部分产生链接反应，使感光部分结构加强，

26、形成不溶于显影液的结构。（负型光阻因附着力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保护层时，最终会成为产品本身的一部分而保留下来）u 友情简版：快速区分正负型光阻-正型见光死，负型见光活。l 刮刀速度设定会因为机台及刮刀压力而有不同。刮刀速度太慢：降低产能刮刀速度太快：光阻涂布不均 平坦度极差Coater 刮刀速度u 刮刀压力设定会因为机台及光阻滴下量而有不同。压力太小：会使光阻滴下量太少而造成涂布不均。压力太高：会使光阻滴下量太多而造成膜厚太高。n GAP的大小直接影响到膜厚的高低，所以GAP的调整对涂布是相当重要的一环。涂布机印刷方式Coater GAP调整Coater 刮刀压力2.15.

27、 Coating制程控制点玻璃刮刀光阻GAP2.16. Pre-bake（软烤）软 烤：将玻璃上光阻层的大部分的溶剂去除，并使光阻由原来的液态，经过软烤之后，而成为固态的薄膜，以加强光阻层对玻璃表面的附着能力，软烤后光阻内溶剂降到520%左右，厚度也将减少1020%。主要参数：烘烤温度：90120烘烤时间：13min制程主要不良项目：刮伤、玻璃受热不均，使光阻局部过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显影过显（过度会造成光阻变脆而粘性降低，对光敏感性变差；不够则附着力差溶剂含量高使曝光精准度变差且显影对无曝光的光阻选择性降低，导致图形转移不良）2.17. 软烤机台与目的软烤机台1、去除光阻的残余

28、溶剂。 2、增加光阻的附着力。3、提高照射区与非照射区的 显影速率比。4、降低光阻的内部应力,防止 光阻剂的龟裂。软烤的目的：利用光透过光罩照射光阻剂，使其感光，照射到光的光阻起化学反应，从而将光罩上的图形清晰、准确的投影在玻璃基板表面上。（曝光方式有三种：接触式、接近式和投影式，目前我司采用的曝光方式为接近式。）曝 光：1、曝光能量：正型光阻能量越大幅宽越小，量测线距越大。 负型光祖能量越大幅宽越大，量测线距越小。2、温度：Mask温度235，热胀冷缩影响对位标记的距离。 机板温度：调整CP（冷却段）、Stage段的保温度为23。3、GAP值（50300um）：正型GAP值越大幅宽越小，量测

29、线距越大。 负型GAP值越大幅宽越大，量测线距越小。制程主要参数：曝光偏移、固定光阻残留异常、过曝。（ 对于正型光阻，曝光能量越大，幅宽越小，负型光阻反之。曝光温度对基板的影响是当温度异常时，光罩由于热胀冷缩，图形转移到玻璃基板上时与规格值存在差别，从而影响产品质量）制程主要不良项目：2.18. Exposure（曝光）曝光玻璃基板显 影蚀刻 / 去光阻正光阻负光阻光阻光罩2.19. 曝光技术解析（一）接触式接近式投影式2.20. 曝光技术解析（二）对 比2.21. 曝光机台与光罩Mask类型：乳剂型光罩：菲林Film Mask，干版Emulsion Mask。铬膜型光罩（铬版）：苏打玻璃、硼

30、硅玻璃（低膨胀玻璃）、石英玻璃。（我司目前使用的是铬膜型光罩材质是苏打玻璃）铬膜型光罩保养：铬版为硬掩膜版，为防止其变形，需要竖直存放，为保证其表面的洁净度，一般要保存在1000级以上的无尘室内，温度维持215，湿度5010RH。Mask（光罩）相关知识曝光机台2.22. Developer （显影）显 影：将正型光阻中的被曝光的那部分光阻快速溶解于显影液中(负型光阻正好与之相反,是未曝光的部分溶于显影液中),未曝光的那部分光阻溶解速度缓慢，从而通过控制显影时间，可以显现出光罩上的图形。我司使用的显影液：正型光阻所用显影液为：TMAH（四甲基氢氧化铵），是一种有机弱碱。负型光阻所用显影液为：K

31、OH（氢氧化钾），是种无机碱。主要参数：显影传导速度显影液电导率显影温度显影喷压制程主要不良项目：显影不净，显影过显，光阻回黏。（显影液电导度越高，幅宽越小，线距越大，电导度过高时会造成过显，电导度过低会造成显影不尽。显影时间对产品的影响是显影时间越长，幅宽越小，线距越大，时间过长则会造成过显，而且会影响膜厚）2.23. 显影机台与流程 ISO：隔离区，防止药液回溅，并循环回收药液。DVP：显影区，显影液与被曝光光阻反应。采用的药洗方式为喷洒式，喷头来回摆动以防止显影不均匀。Rinse：循环水洗，设置Rinse水刀是使水洗均匀，防止残留的药液继续和光阻反应。BJ：二流体洗净，主要是利用水包覆气

32、体，并喷向基板时因水泡爆裂，使较小的particle因水泡爆裂而震出，利用水汽喷淋。Back Brush：下毛刷，有些Particle水洗不掉，需用毛刷刷净HP：高压水洗。FR： 最后纯水洗。AK：风刀，将基板上的水吹干。显影机分为显影段和水洗段： ISO（开始） RinseDVP1 BJDVP2 Back BrushDVP3 HPDVP4 FRDVP5 （结束）AK显影机台显影流程2.24. Post bake（硬烤）除去光阻中剩余的溶剂及水气，使光阻内未溶解的感光化合物和树脂间之结合更紧密，以增加光阻对热之稳定性及底层物质之附着力。使经显影后的正面带图形的光阻固化，从而使其图形稳定。对相同

33、的光阻，硬烤温度通常会比软烤的温度还要高些。硬 烤：1. 硬烤温度：100130 C2. 硬烤时间：13min主要参数：硬烤不充分或过烤，造成后续的蚀刻不净或蚀刻过蚀。制程主要不良项目：2.25. 硬烤机台与作用1. 将光阻中的溶剂蒸发去除。2. 改进光阻蚀刻和离子布植的抵抗力。3. 改进光阻的附着力。4. 聚合作用和稳定光阻。5. 光阻流动填满针孔。硬烤的作用：文字文字文字硬烤机台文字2.26. Etching（蚀刻）蚀 刻：利用酸性蚀刻液将材料进行化学反应或者物理撞击作用，使不需材料移除，将玻璃中未受光阻保护的那部分ITO（Metal）腐蚀掉，留下所需要的线路和图形。主要参数：蚀刻液浓度，

34、蚀刻传导速度，蚀刻温度，喷淋压力。制程主要不良项目：蚀刻不净，过蚀，ITO，Metal残留以及蚀刻异常。2.27. 蚀刻机台与蚀刻液ITO 蚀刻液：目前我司ITO所用蚀刻液为王水，其主要成分为： 盐酸（HCl）； 硝酸（HNO3）。Metal蚀刻液：Metal蚀刻液要求仅能蚀刻Metal镀层而不会腐蚀玻璃上的ITO,现公司使用的蚀刻液为铝酸（Al）。 其主要成分为：磷酸（H3PO4），硝酸（HNO3），冰乙酸（俗称冰醋酸 HAc）。蚀刻机台蚀刻液相关知识2.28. Stripe（剥膜）剥 膜：用碱液对光阻进行结构性的破坏，使光阻溶解，以达到去除光阻的目的，得到设计所需图形。剥膜液：目前我司IT

35、O和Metal使用的剥膜液都是N300。其主要成分为：MEA（单乙醇胺）、BDG（二乙二醇丁醚）。主 要 参 数：剥膜传导速度，剥膜液浓度，剥膜温度，喷洒方式。剥膜不净，光阻回黏，剥膜药液残留。制程主要不良项目：2.29. 剥膜机台与剥膜液N300剥膜液的组成成分主要是MEA（单乙醇胺）+ BDG（二乙二醇丁醚），比例为30%MEA+70%BDG。MEA易吸收空气中的水与CO2（二氧化碳），使其浓度降低，制程管控中主要设计管控MEA浓度，以达到制程需求。在生产运行中，高温度及长时间（以控制机台运行速度来控制）的剥离，使剥膜液的利用及剥离效果得到最佳化。剥 膜 液：文字文字文字文字剥膜机台2.3

36、0. Oven（高温烘烤）高温烘烤：高温烘烤之目的在于进一步去除光阻中的溶剂，高温烘烤将光阻中的溶剂含量降到最低。使其进一步固化，增加光阻附着性，避免后制程光阻脱落。之前我们说过光阻可以分为保留性光阻和过渡性光阻，只有保留性光阻才需要经过高温烘烤。（例如负型光阻因附着力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保护层时，最终会成为产品本身的一部分而保留下来）主 要 参 数：烘烤温度：200250烘烤时间：3040min高温烘烤不充分或过烤（如果烘烤不够，则光阻的附着力会不够膜厚变大，过烤则会产生色差膜厚变小）制程主要不良项目：2.31. 高温烘烤机台高温烘烤使用的机台是IR隧道炉，此机台是为了将

37、玻璃基板上的涂布剂，进行干燥及硬化处理, 将玻璃基板放在Cassette内，利用热风干燥玻璃，采用内循环对流运风式设计，可独立分组调节各段温度及虚幻运风，使炉内温度均匀稳定。IR 隧道炉：文字文字文字高温烘烤机台（IR隧道炉）文字2.32. 黄光制程产品（一）u 经过黄光制程最终做出如下产品结构（未包含Metal Trace与Bonding PAD）ITO Pattern玻 璃Metal Bridge（架桥）灰色部分PI（绝缘）黑色部分2.33. 黄光制程产品（二）STEP3文字文字经过黄光制程最终达到所需的设计结构STEP2文字文字STEP1文字文字2.34. 黄光制程化学用品2.35. 黄

38、光制程常见不良涂布不良：1. 涂布针孔 2.箭影 3.气泡 4.刮伤 5.脏污 6.光阻回溅显影不良：1. 显影不净 2.过显 3.刮伤 4.脏污 5.药液残留 6. 光阻脱落 7.显影圈 8.凹点蚀刻不良：1. ITO&Metal残留/过蚀 2.脏污 3.刮伤剥膜不良：1. 剥膜不净 b.脏污 3.刮伤 4.药液残留其它不良：1. MO脱落 2.SiO2脱落 3.静电击伤 4.线阻偏差2.36. 涂布异常图片1. 涂布针孔（部分因脏污、光阻粘度、涂布机台异常等所导致，目视为白色亮点） 2.涂布气泡（部分因脏污、光阻粘度、涂布机台异常等所导致，目视为白色亮点）3.涂布脏污（部分因来料脏

39、污、未清洗干净、机台脏污等所导致） 4.涂布箭影（部分因玻璃上粘有有机物、涂布机台异常、光阻粘度、 风刀水未吹干等所导致）2.37. 显影异常图片1. 显影不净（部分因软烤温度、时间、曝光能量、显影速度等所导致,出现为显影后, 目视白色条状,2D为彩色物质）2. 药液残留（在显影、剥膜清洗后留下的药液残留）3. Metal线上光阻残留（固定光阻残留主要因光罩上粘有脏污等其他物质所导致）4. 光阻脱落（部分因软烤温度、曝光能量、显影速度等所导致，出现为显影后， 目视黑色点状，如脱落不严重目视无法识别）6.顶伤（因机台及导轮毛刺等所导致。出现在每道制程，目视为白色亮点、 2D下成脏污状且透有彩色）

40、 5.光阻刮伤（因机台及导轮毛刺等所导致。出现在每道制程，强光下目视 为白色条、点状）7. 显影圈（部分因显影速度及电导率等所导致，出现在显影后，目视为 小白点、较小且密集）8.锯齿（部分因软烤温度、曝光能量、显影速度等所导致，出现在显影后， 目视锯齿状/外观”老鼠咬”）9. 凹点（大部分是因脏污或其它物质导致光阻无法被显影干净，一般出现 在 TOP OC制程，目视为亮点）10.药液残留（部分是因风刀未吹干及药液回粘水洗不掉，出现在每道制程， 目视背光为白色、未烤前大部分可擦拭）2.38. ITO蚀刻异常图片1 .ITO蚀刻不净/ITO残留（一般因光阻残留、蚀刻速度及药液浓度、光阻回溅等导致

41、蚀刻不净严重的强光下目视为白雾状，白光下不明显，通常借助于2D或万用表）2 .ITO被蚀（一般因涂布异常、蚀刻速度等所导致、光阻被刮伤等目视对光可见,背 光不可见）2.39. Metal蚀刻异常图片2.Metal被蚀（大部分是因涂布异常、蚀刻速度、光阻被刮伤、曝光、显影等）1.Metal蚀刻不净/Metal残留（大部分是因光阻残留、蚀刻速度、药液浓度 等，目视反光且不透光）2.40. 其它异常不良图片2.Metal刮伤（大部分因机台异常、作业手法等所导致。目视为白色点线状 ，背光明显）1.ITO刮伤/表面刮伤（大部分因机台异常、作业手法等所导致。目视为白色点 线状，背光明显）3.静电击伤（最常

42、出现在涂布、曝光、软硬烤段，目视为白色点状，强光下可见）4. SiO2气泡（一般出现在TOP OC显影后、来料，目视为白色亮点）6.ITO线上光阻残留（固定光阻残留主要因光罩上粘有脏污等其他物质所导致）5.MO脱落（部分因存放环境、目视泛白且半透光）7.脏污 8. 偏移（主要出现在曝光光罩偏位及耙标异常所导致）Metal偏移TOP OC偏移Metal偏移9.Metal氧化（部分因存放环境、目视泛白且半透光）10.PI异常 （Metal 蚀刻剥膜时药液渗透）2.41. 可剥胶印刷u 可剥胶印刷介于前段黄光制程和后段白光制程之间，在黄光制程中镀SiO2时 会用到可剥胶印刷，而在产品做完黄光制程后进

43、入后段制程前也会做可剥胶 印刷。可剥胶印刷作业原理： 先将玻璃基板置放在作业平台上再利用网板印 刷方式对玻璃基板作网印涂布作业，将需要保护的地方用可剥胶保护起来。刮印刀回墨刀回墨方向刮印方向玻 璃台 面网 板可剥胶2.42. 可剥胶印刷制程参数及异常刮印刀下压量，玻璃与网版的间距，刮印的速度，以及后面烘烤的时间。印刷破片：刮刀下压量太大，人为破片印刷破洞：网版网塞 对位异常： 靠PIN松脱，网版变形可剥胶残留：刮刀下压量，网版可剥胶印刷位置偏移：人为原因，机台对位异常可剥胶遗胶：粘度偏小，网版网孔偏大制程主要异常及原因制程主要参数2.43. 可剥胶印刷流程与作用在SIO2溅渡之前将需预留Bon

44、ding区域保护起来，避免被溅渡到。A 面可剥胶印刷作用：需将产品可视区全部印刷保护起来，防止在切割磨边时造成刮伤，划伤。B面SIO2溅镀A面可剥胶印刷ICT测试B面可剥胶撕膜B面可剥胶印刷可 剥 胶 作 用可剥胶印刷流程制程管控项目网板GAP值51mm抬板高度105mm回墨刀压入量405mm刮印刀压入量225mm刮刀速度1.50.5网板GAP值是网板和印刷台面之间距离抬板高度的设定是防止印刷时基板出现粘板现象回墨刀压入量是根据回墨效果而调整，一般设定值不宜太大，防止压坏网板刮刀压入量是根据产品印刷效果而调整刮刀速度对机台Tact time及产品印刷质量有一定影响定位精度200um目前是手动靠

45、PIN对位，对位精度大概在400um左右2.44. 可剥胶制程管控项目2.45. 可剥胶机台可剥胶成形效果文字文字文字可剥胶印刷机台文字文字文字2.46. 后段制程切割清洗FOGBondingTestOCA贴合包装出货成品覆膜Fianl Test加压脱泡CG贴合玻璃基板经过了前面的黄光制程后，上面已经形成了金属线路和图案，而后大版的玻璃经过切割成小片，邦定（Bonding）FPC，贴合CG，终测直至到最后的包装出货。u 以下流程为基本流程，详细流程以实际作业及产品结构为准2.47. 切割切割切割目的通过刀轮切割，将做好黄光制程的550 x650mm的玻璃基板切割成所需的小片，再流至下一道制程。

46、主要参数切割深度、切割速度、切割压力。制程主要不良破片、刮伤蹦边、蹦角、延伸性裂痕。2.48. 切割成形与机台 切割机台 切割前 切割成单片2.49. 清 洗在后段使用的超声波清洗机，其原理是：超声波作用于液体中时，液体中每个气泡的破裂会产生能量极大的冲击波，相当于瞬间产生几百度的高温和高达上千个大气压的无数微小气泡随时爆破，这种现象被称之为“空化效应”,超声波清洗正是应用液体中气泡破裂所产生的冲击波来达到清洗和冲刷产品内外表面的作用。超 声 波 清 洗 超音波的频率， 温度设定时间， 水流量计， 压缩气压。制程主要参数及机台FPC与Sensor进行对位贴合，对ACF进行加温、加压，使ACF内的导电离子爆破形成通路FPC正