三极管的结构及工作原理学习教案

1、会计学1三极管的结构及工作三极管的结构及工作(gngzu)原理原理第一页，共45页。2.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管 三极管是组成各种电子电路的核心三极管是组成各种电子电路的核心(hxn)器件。通过一定的制造工艺，器件。通过一定的制造工艺，将两个将两个PN结结合在一起，是三极管具有放大作用。三极管的产生使结结合在一起，是三极管具有放大作用。三极管的产生使PN结结的应用发生了质的飞跃。的应用发生了质的飞跃。2.1.1 双极型三极管的基本结构(jigu)类型和符号双极型晶体管分有双极型晶体管分有NPN型和型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的型，虽然它们外形各异，品种繁多，

2、但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个共同特征相同：都有三个分区、两个(lin )PN结和三个向外引出的电极：结和三个向外引出的电极：发射极发射极e发射结发射结集电结集电结基区基区发射区发射区集电区集电区集电极集电极c基极基极b第1页/共44页第二页，共45页。 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极(dn j)型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极(dn j)型。NPN型三极管图符号(fho)大功率低频大功率低频(dpn)三极管三极管小功率高频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管中功率低频三极管P

3、NP型三极管图符号型三极管图符号图中箭头方向为发射极电流的方向。第2页/共44页第三页，共45页。2.1.2 双极型三极管的电流(dinli)分配关系及放大作用晶体管实现电流放大作用的(1)发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。(2)为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低。(3)集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度界于发射极和基极之间。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。第3页/共44页第四页，共45页。晶体管实现(s

4、hxin)电流放大作用的外部条件UBBRB(1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散(kusn)，扩散(kusn)电流即发射极电流ie，扩散(kusn)电子的少数与基区空穴复合，形成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散(kusn)。UCCRC(2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子，收集到集电区的电子形成(xngchng)集电极电流ic。IEICIB 整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： 第4页/共44页第五页，共45页。第5页/共44页第六页，共45页。 由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子(

5、z yu din z)将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流I IB B，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。 集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流I IC C。只要符合三极管发射区高掺杂、基区掺杂浓度很低，集电区的掺杂浓度介于发射区和基区之间，且基区做得很薄的内部内部条件条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。第6页/共44页第七页，共45页。

6、 三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的比值(bzh)在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40A增加到50A时，IC将从3.2mA增大到4mA，即：8010)4050(10)2 . 34(63BCII 显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的值称为三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三极管，值的差异较大，大多数三极管的值通常(tngchng)在几十至几百的范围。 由此可得：微小的基极电流IB可以控制(kngzh)较大的集电极电流IC，故双极型三极管属于电流控制(kngzh)器件。 第7页/共44页第

7、八页，共45页。2.1.3 双极型三极管的特性(txng)曲线 所谓伏安(f n)特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看，外部特性更为重要。(1) 输入(shr)特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明（ UCE为常数时，为常数时，IB和和UBE之间的关系）之间的关系）UCE=0VUBE /VIB / A0UCE =0VUBBUCCRC+RB令令UBB从从0开始增加开始增加IBIE=IBUBE令令UCC为为0UCE=0时的输入特性曲线时的输入特性曲线UCE为为0时时第8页/共44页第九页，共45页。UCE =0.5VUCE=0VUBE /V

8、IB / A0UBBUCCRC+RB令令UBB重新重新(chngxn)从从0开始增加开始增加IBICUBE增大增大(zn d)UCC让让UCE=0.5VUCE =1VUCE=0.5VUCE=0.5V的特性的特性(txng)曲线曲线继续增大继续增大UCC让让UCE=1V令令UBB重新从重新从0开始增加开始增加UCE=1VUCE=1V的特性曲线的特性曲线 继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不再变化。 实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极管的输入特性与

9、二极管的正向特性非常相似。UCE1V的特性曲线的特性曲线第9页/共44页第十页，共45页。(2) 输出特性曲线(qxin)先把先把IB调到某一固定值保持调到某一固定值保持(boch)不变。不变。 当IB不变时，输出回路中的电流IC与管子(gun zi)输出端电压UCE之间的关系曲线称为输出特性。然后调节然后调节UCC使使UCE从从0增大，观察毫安表中增大，观察毫安表中IC的变化并记录下来。的变化并记录下来。UCEUBBUCCRCRBICIBUBEmA AIE 根据记录可给出IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线就是晶体管的输出特性曲线。IBUCE / VIC /mA0第10页/共44页第十一页

10、，共45页。UBBUCCRCRBICIBUBEmA AIE再调节再调节(tioji)IB1至另一稍小的固定值上保持不变。至另一稍小的固定值上保持不变。仍然调节仍然调节UCC使使UCE从从0增增大，继续观察大，继续观察(gunch)毫安表中毫安表中IC的变化并记录下来。的变化并记录下来。UCE 根据电压、电流的记录(jl)值可绘出另一条IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线较前面的稍低些。UCE / VIC /mA0IBIB1IB2IB3IB=0 如此不断重复上述过程，我们即可得到不同基极电流IB对应相应IC、UCE数值的一组输出特性曲线。输出曲线开始部分很陡，说明输出曲线开始部分很陡，说明IC

11、随随UCE的增加而急剧增大。的增加而急剧增大。当当UCE增至一定数值时增至一定数值时(一般小于一般小于1V)，输出特性曲线变得平坦，表明，输出特性曲线变得平坦，表明IC基本上不再随基本上不再随UCE而变化。而变化。第11页/共44页第十二页，共45页。 当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC 。之后即使(jsh)UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。UCE / VIC /mA020 AIB=040 A60 AIB=100 A80 A43211.52.3 当IB增大时，相应IC也增大，

12、输出特性曲线上移， 且IC增大的幅度(fd)比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。从输出特性曲线(qxin)可求出三极管的电流放大系数。IB=40 A取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差；再读出这两条曲线对应的集电极电流之差IC=1.3mA；IC于是我们可得到三极管的电流放大倍数：第12页/共44页第十三页，共45页。UCE / VIC /mA020 AIB=040 A60 AIB=100 A80 A43211.52.3输出特性曲线(qxin)上一般可分为三个区：饱和区。当发射结和集电结均为正向偏置时，三极管处于饱和状态。此时集电极电流饱和区。当发射结和集电结均为正向

13、偏置时，三极管处于饱和状态。此时集电极电流IC与基极电流与基极电流IB之间不再成比例之间不再成比例(bl)关系，关系，IB的变化对的变化对IC的影响很小。的影响很小。截止区。当基极电流截止区。当基极电流IB等于等于0时，晶体管处于截止状态。实际上当发射结电压处在正向时，晶体管处于截止状态。实际上当发射结电压处在正向(zhn xin)死区范围时，晶体管就已经截止，为让其可靠截止，常使死区范围时，晶体管就已经截止，为让其可靠截止，常使UBE小于和等于零。小于和等于零。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。在放大区，集电极电流与基极电流之间成倍的数量关系，即晶体管在放大区时具有电流放大作

14、用。此时UCE小于UBE,规定： UCE=UBE时，为临近饱和状态，用UCES（0.3或0.1）表示，此时集电极临近饱和电流是 /CSBSCCCCCESCCCSIIRVRVVI临近饱和基极电流 管子深度饱和时，硅管的VCE约为0.3V，锗管约为0.1V,由于深度饱和时VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个闭合的开关。第13页/共44页第十四页，共45页。UBBUCCRCRBICIBUBEmA AIE /CSBSCCCCCESCCCSIIRVRVVI临近饱和基极电流 管子处于饱和状态管子处于放大状态，CSCCSCIiIi第14页/共44页第十五页，共45页。例1: 用直流电压表测得放大电路中晶体

15、管T1各电极的对地电位(din wi)分别为V1 = +10V，V2= 0V，V3= +0.7V，如图（a）所示, T2管各电极电位(din wi)V1 = +0V，V2= -0.3V，V3= -5V，如图（b）所示，试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子，x、y、z各是何电极？ 2 3 21T131T1 (a) (b)解：解： 工作在放大区的工作在放大区的NPN型晶体管应满足型晶体管应满足VCVB VE ，PNP型晶体管应满足型晶体管应满足VCVBV3 V2,，所以，所以1为集电极，为集电极，2为发射极，为发射极，3为为基极，满足基极，满足VCVB VE,的关系，管子为的关系，管子为NPN

16、型。型。（2）在图（）在图（b）中，）中，1与与2的电压的电压(diny)为为0.3V，可确定为，可确定为锗管，又因锗管，又因V3V2 V1,，所以，所以3为集电极，为集电极，1为发射极，为发射极，2为基为基极，满足极，满足VCVBICM时，晶体管不一定烧损，但时，晶体管不一定烧损，但值明显下降。值明显下降。集电极最大允许功耗PCMCMP晶体管上的功耗超过晶体管上的功耗超过PCM，管子将损坏。，管子将损坏。第19页/共44页第二十页，共45页。第20页/共44页第二十一页，共45页。第21页/共44页第二十二页，共45页。 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度

17、差别较大晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大(jio d)(jio d)，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。晶体管的发射极晶体管的发射极和集电极能否互和集电极能否互换使用？为什么换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUT、UDS0且较小时(xiosh)当UGS继续增大，UDS仍然(rngrn)很小且不变时，ID随着UGS的增大而增大。此时增大UDS，导电沟道出现梯度，ID又将随着UDS的增大而增大。直到UGD=U

18、GSUDS=UT时，相当于UDS增加使漏极沟道缩减到导电沟道刚刚开启的情况，称为预夹断，ID基本饱和。第36页/共44页第三十七页，共45页。 如果继续增大UDS，使UGDUT时，沟道夹断区延长，ID达到(d do)最大且恒定，管子将从放大区跳出而进入饱和区。 沟道出现预夹断时工作在放大状态，放大区ID几乎与UDS的变化无关，只受UGS的控制。即MOS管是利用栅源电压(diny)UGS来控制漏极电流ID大小的一种电压(diny)控制器件。第37页/共44页第三十八页，共45页。第38页/共44页第三十九页，共45页。3. MOS管使用(shyng)注意事项(1) MOS管中, 有的产品将衬底引

19、出(yn ch)，形成四个管脚。使用者可视电路需要进行连接。P衬底接低电位，N衬底接高电位。但当源极电位很高或很低时 , 可将源极与衬底连在一起。(2)场效应管的漏极与源极通常可以互换，且不会对伏安特性曲线产生明显(mngxin)影响。注意：大多产品出厂时已将源极与衬底连在一起了，这时源极与漏极就不能再进行对调使用。(3)MOS管不使用时 , 由于它的输入电阻非常高, 须将各电极短路 , 以免受外电场作用时使管子损坏。即MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。(4)焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电场，以防止损坏管子。特别是焊接绝缘栅场效应管时，最好断电后再焊接。第

20、39页/共44页第四十页，共45页。单极(dn j)型晶体管和双极型晶体管的性能比较 1. 场效应管的源极场效应管的源极S、栅极、栅极G、漏极、漏极D分别对应于双极型晶体管的发射极分别对应于双极型晶体管的发射极e、基极、基极b、集电极、集电极c，它们它们(t men)的作用相似。的作用相似。 2. 场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体管工作时基场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体管工作时基极总要取一定的电流。所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；极总要取一定的电流。所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应

21、该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用双极型晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大而在允许取一定量电流时，选用双极型晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大倍数。倍数。3. 场效应管是多子导电，而双极型晶体管则是既利用多子，又利用少子。由于少子的浓度易场效应管是多子导电，而双极型晶体管则是既利用多子，又利用少子。由于少子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适。在环境条件（温度等）变化比

22、较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适。4. 场效应管的源极和衬底未连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅场效应管的源极和衬底未连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而双极型晶体管的集电极与发射极由于特性差异很大极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而双极型晶体管的集电极与发射极由于特性差异很大而不允许互换使用。而不允许互换使用。5. 与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级通常选用场与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管。但总的

23、来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管。但总的来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管。效应管。6. 场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为压控电阻使场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为压控电阻使用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因此在电子设备中得到广泛的应用。此在电子设备中得到广泛的应用。第40页/共44页第四十一页，共45页。在使用在使用MOS管时，为什么栅极管时，为什

24、么栅极(shn j)不能悬空？不能悬空？晶体管和晶体管和MOS管的输入电阻有何不同管的输入电阻有何不同(b tn)？当当UGS为何为何(wih)值时，增强型值时，增强型N沟道沟道MOS管导通？管导通？ 双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称晶体管为电流双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称晶体管为电流 控件而称控件而称MOS管为电压控件？管为电压控件？ 第41页/共44页第四十二页，共45页。 1. 双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么(shn me)不同？为什么不同？为什么(shn me)称晶体管为电流称晶体管为电流 控件而称控件而称MOS管为电压控件？管为电压控件？检验(jinyn)学习结果解答 2. 当当UGS为何为何(wih)值时，增强型值时，增强型N沟道沟道MOS管导通？管导通？ 3. 在使用在使用MOS管时，为什么栅极不能悬空？管时，为什么栅极不能悬空？ 4. 晶体管和晶体管和MOS管的输入电阻有何不同？管的输入电阻有何不同？双极型三极管有多子和少子两双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。型三极管只有多子参与导电。