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文档简介

1、Material being etchedConventionalchemistryNewchemistryBenefitsPolysiliconCL2 or /CCL4BCL3 /CF4 /CHCL3 /CHF3/sidewall passivating gasesSiCL4/CL2BCL3/CL2HBr/CL2/O2HBr/O2Br2/SF6SF6/25%O2No carbon contaminationincreased selectivity to oxide & resistno carbon contaminationhigh etch rate PolycidesCL2+HBr

2、to clearSingle crystal SiCL2 or BCL3+sidewall passivating gasesCF3BrHBr/NF3HICL2/ArHigh selectivity-trenchHigh selectivity-100:1 trenchAlCL2+sidewallBL3 passivating gases SiCL4SiCL3/CL2BCL3/CL2HBr/CL2Better profile controlNo carbon contaminationAl-Si(1%)-Cu(0.5%)Same as AlBCL3/CL2+N2N2 accelerates C

3、u etch rateMaterial being etchedConventionalchemistryNewchemistryBenefitsAl-Cu(2%)BCL3/CL2/CHF3BCL3/CL2+N2+AlAdditional Al helps etch Cu WSF6/CL2/CCL4SF6/ArNF3/CL2CL2/O2Etch stop over TiW and TiNTiWSF6/CL2/O2SF6+Ar or N2TiNAr/CL2WSi2, TiSi2, CoSi2CCL2F2CCL2F2/NF3Controlled etch profileNo carbon contaminationSiO2(BPSG)&(PSG)CCL2F2CF4C2F6C3F8CCL2F2CHF3/CF4CHF3/O2CH3CHF2CFC alternativesPSG on TiSi2 10

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