第4章几何设计规则

1、集成电路设计技术与工具集成电路设计技术与工具 第四章第四章 集成电路版图设计与工具集成电路版图设计与工具 内容提要内容提要v4.1 引言引言v4.2 版图几何设计规则版图几何设计规则v4.3 电学设计规则与布线电学设计规则与布线v4.4 晶体管的版图设计晶体管的版图设计v4.5 九天软件下的版图编辑九天软件下的版图编辑v4.6 九天软件下的版图验证九天软件下的版图验证v4.7 本章小结本章小结 4.1 引引 言言v版图（版图（Layout）包含了器件尺寸、各层拓扑定义等）包含了器件尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据，是集成电路从设计走向器件相关的物理信息数据，是集成电路从设计走向制造的

2、桥梁。制造的桥梁。 v由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片上物理层由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。这些的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的，因此，不同的工艺就有不同的技术水平而制定的，因此，不同的工艺就有不同的设计规则。设计者只能根据厂家提供的设计规则进设计规则。设计者只能根据厂家提供的设计规则进行版图设计行版图设计 。4.1 引引 言言v设计规则反映了性能和成品率之间可能是最设计规则反映了性能和成品率之间可能是最好的折衷。好的折衷

3、。v从设计的观点出发，设计规则可以分为三部从设计的观点出发，设计规则可以分为三部分：分： 1）决定几何特征和图形几何尺寸的规定。）决定几何特征和图形几何尺寸的规定。2）确定掩膜制备和芯片制造中都需要的一组）确定掩膜制备和芯片制造中都需要的一组基本图形单元的强制性要求。基本图形单元的强制性要求。 3）定义设计人员设计时所用的电参数范围。）定义设计人员设计时所用的电参数范围。 4.2 版图几何设计规则版图几何设计规则 v版图几何设计规则可看作是对光刻掩模版制版图几何设计规则可看作是对光刻掩模版制备要求。这些规则在生产阶段为电路设计师备要求。这些规则在生产阶段为电路设计师和工艺工程师提供了一种必要的

4、信息联系。和工艺工程师提供了一种必要的信息联系。与版图规则相联系的主要目标是获得有最佳与版图规则相联系的主要目标是获得有最佳成品率的电路，而几何尺寸则尽可能地小，成品率的电路，而几何尺寸则尽可能地小，又不影响器件电路的可靠性。又不影响器件电路的可靠性。 v集成电路的版图设计规则通常有多种方法来集成电路的版图设计规则通常有多种方法来描述，其中包括以微米分辨率来规定的微米描述，其中包括以微米分辨率来规定的微米规则和以特征尺寸为基准的规则和以特征尺寸为基准的规则。规则。 一、工艺层（一、工艺层（Layer） 人们把集成电路版图设计过程抽象成若干易人们把集成电路版图设计过程抽象成若干易于处理的概念性版

5、图层次，也就是版图设计中于处理的概念性版图层次，也就是版图设计中的工艺层，这些层次代表电路转换成硅芯片时的工艺层，这些层次代表电路转换成硅芯片时所必需的掩膜图形。版图的不同层次可以用不所必需的掩膜图形。版图的不同层次可以用不同的形式来区分，例如不同的颜色、不同的线同的形式来区分，例如不同的颜色、不同的线型和不同的填充图案等。型和不同的填充图案等。 某某N阱硅栅工艺的部分工艺层阱硅栅工艺的部分工艺层二、几何设计规则二、几何设计规则 规则介绍规则介绍 vN阱层相关的设计规则及其示意图阱层相关的设计规则及其示意图 vP+、N+有源区层相关的设计规则及其示意图有源区层相关的设计规则及其示意图 vPol

6、y层相关的设计规则及其示意图层相关的设计规则及其示意图 vContact层相关的设计规则及其示意图层相关的设计规则及其示意图 vMetal层相关的设计规则及其示意图层相关的设计规则及其示意图 vPad层相关的设计规则及其示意图层相关的设计规则及其示意图 二、几何设计规则二、几何设计规则 举例及问题讨论举例及问题讨论 当给定电路原理图设计其版图时，必须根据当给定电路原理图设计其版图时，必须根据所用的工艺设计规则，时刻注意版图同一层上所用的工艺设计规则，时刻注意版图同一层上以及不同层间的图形大小及相对位置关系。然以及不同层间的图形大小及相对位置关系。然而对于版图设计初学者来说，第一次设计就能而对于

7、版图设计初学者来说，第一次设计就能全面考虑各种设计规则是不可能的。为此，需全面考虑各种设计规则是不可能的。为此，需要借助版图设计工具的在线设计规则检查要借助版图设计工具的在线设计规则检查（DRC）功能来及时发现存在的问题。）功能来及时发现存在的问题。 参照上述的硅栅工艺设计规则，一个反相器参照上述的硅栅工艺设计规则，一个反相器（不针对具体的器件尺寸）对应版图设计中应（不针对具体的器件尺寸）对应版图设计中应该考虑的部分设计规则如下图所示。该考虑的部分设计规则如下图所示。10283.531.53.52.52.01.51.01.5问题讨论：问题讨论：（1）阱的间距和间隔的规则）阱的间距和间隔的规则N

8、阱通常是深扩散，必须使阱通常是深扩散，必须使N阱边缘与邻近的阱边缘与邻近的N扩散区之间留有足够的间隙，从而保证扩散区之间留有足够的间隙，从而保证N阱阱边缘不与边缘不与P型衬底中的型衬底中的N扩散区短接。内部间扩散区短接。内部间隙由沿阱周围的场区氧化层的渐变区所决定。隙由沿阱周围的场区氧化层的渐变区所决定。虽然有些工艺允许内部的间隙为零，但虽然有些工艺允许内部的间隙为零，但“鸟嘴鸟嘴”效应等问题导致了规则效应等问题导致了规则1.4（N阱外阱外N阱到阱到N+距距离）的设计要求，这是一种保守的估算。离）的设计要求，这是一种保守的估算。问题讨论：问题讨论：（2）MOS管的规则管的规则在多晶硅穿过有源区

9、的地方，源和漏扩散区被多晶硅在多晶硅穿过有源区的地方，源和漏扩散区被多晶硅区所掩蔽。因而，源、漏和沟道是自对准于栅极的。区所掩蔽。因而，源、漏和沟道是自对准于栅极的。重要的是，多晶硅必须完全穿过有源区，否则制成的重要的是，多晶硅必须完全穿过有源区，否则制成的MOS管就会被源、漏之间的扩散通路所短路。为确保管就会被源、漏之间的扩散通路所短路。为确保这一条件得到满足，多晶硅必须超出扩散区边界，例这一条件得到满足，多晶硅必须超出扩散区边界，例如该硅栅工艺中规则如该硅栅工艺中规则3.4中规定的中规定的1.5m，这常常称，这常常称为为“栅伸展栅伸展”。同时，有源区也必须在多晶硅栅两边。同时，有源区也必须

10、在多晶硅栅两边扩扩展，这样才能有扩散区存在，使载流子进入和流出沟展，这样才能有扩散区存在，使载流子进入和流出沟道，例如规则道，例如规则3.5规定的规定的3.0m就是保持源区和漏区就是保持源区和漏区所必需的。所必需的。问题讨论：问题讨论：（3）接触）接触 版图设计中通常需要有多种接触，例如，金版图设计中通常需要有多种接触，例如，金属和属和P型扩散区接触、金属和型扩散区接触、金属和N型扩散区接触、型扩散区接触、金属和多晶硅的接触以及衬底接触等。根据工金属和多晶硅的接触以及衬底接触等。根据工艺不同，还有艺不同，还有“隐埋隐埋”型多晶硅型多晶硅-扩散区接触和扩散区接触和拼合接触。拼合接触。 通常，制作

11、芯片的衬底被划分成多个通常，制作芯片的衬底被划分成多个“阱阱”区，每个孤立的阱必须利用衬底接触来接合适区，每个孤立的阱必须利用衬底接触来接合适的电源电压。将两个或多个金属和扩散区接触的电源电压。将两个或多个金属和扩散区接触用金属连通起来，称为合并接触。用金属连通起来，称为合并接触。 为了工艺上按比例缩小或版图编辑的需要，为了工艺上按比例缩小或版图编辑的需要，合并接触采用图合并接触采用图4.9（a）所示的分离式接触结）所示的分离式接触结构，而不采用图构，而不采用图4.9（b）的合并长孔结构。）的合并长孔结构。4.3 电学设计规则与布线电学设计规则与布线 电学设计规则给出的是由具体工艺参数抽象电学

12、设计规则给出的是由具体工艺参数抽象出的器件电学参数，是晶体管级集成电路模拟出的器件电学参数，是晶体管级集成电路模拟的依据。与几何设计规则一样，对于不同的工的依据。与几何设计规则一样，对于不同的工艺和不同的设计要求，电学设计规则将有所不艺和不同的设计要求，电学设计规则将有所不同。通常，特定工艺会给出电学参数的最小值、同。通常，特定工艺会给出电学参数的最小值、典型值和最大值。上述典型值和最大值。上述N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺的工艺的部分电学设计规则的参数名称及其意义如表部分电学设计规则的参数名称及其意义如表4.8所示。所示。电学设计规则还为合理选择版图布线层提供了电学设计规则还为合理选择版图布线层

13、提供了依据。集成电路工艺为设计者提供了多层布线依据。集成电路工艺为设计者提供了多层布线的手段，最常用的布线有金属、多晶硅、硅化的手段，最常用的布线有金属、多晶硅、硅化物以及扩散区。但这些布线层的电学性能大不物以及扩散区。但这些布线层的电学性能大不相同。相同。随着器件尺寸的减小，线宽和线间距也在减小，随着器件尺寸的减小，线宽和线间距也在减小，多层布线层之间的介质层也在变薄，这将大大多层布线层之间的介质层也在变薄，这将大大增加走线电阻和耦合电容，特别是发展到深亚增加走线电阻和耦合电容，特别是发展到深亚微米级和纳米之后，与门延迟相比，布线延迟微米级和纳米之后，与门延迟相比，布线延迟变得越来越不可忽略

14、。因此，版图布线必须合变得越来越不可忽略。因此，版图布线必须合理选择布线层，尽可能地避免布线层电学参数理选择布线层，尽可能地避免布线层电学参数的影响。的影响。 除了选择合理的布线层外，版图布线还应该除了选择合理的布线层外，版图布线还应该注意以下几点：注意以下几点：1）电源线和地线应尽可能地避免用扩散区和多）电源线和地线应尽可能地避免用扩散区和多晶硅走线，特别是通过较大电流的那部分电源线晶硅走线，特别是通过较大电流的那部分电源线和地线。集成电路的版图设计中电源线和地线多和地线。集成电路的版图设计中电源线和地线多采用梳状走线，避免交叉，或者用多层金属工艺，采用梳状走线，避免交叉，或者用多层金属工艺

15、，提高设计布线的灵活性。提高设计布线的灵活性。2）禁止在一条金属走线的长信号线下平行走过）禁止在一条金属走线的长信号线下平行走过另一条用多晶硅或扩散区走线的长信号线。另一条用多晶硅或扩散区走线的长信号线。3）压焊点离芯片内部图形的距离应不少于）压焊点离芯片内部图形的距离应不少于20 m，以避免芯片键合时，因应力而造成电路损坏。以避免芯片键合时，因应力而造成电路损坏。 4.4 晶体管的版图设计晶体管的版图设计一、双极型晶体管的版图设计一、双极型晶体管的版图设计 1、 双极型集成电路版图设计的特点双极型集成电路版图设计的特点 双极型集成电路设计中首先要考虑的问题是双极型集成电路设计中首先要考虑的问

16、题是元器件之间的隔离。目前常用的隔离方法有元器件之间的隔离。目前常用的隔离方法有PN结隔离和介质隔离，设计者可以根据不同的设结隔离和介质隔离，设计者可以根据不同的设计要求，选择适当的隔离方式。此外，还要注计要求，选择适当的隔离方式。此外，还要注意减小寄生效应如寄生意减小寄生效应如寄生PNP管、寄生电容效应管、寄生电容效应等。注意了这些问题，就可以比较顺利地完成等。注意了这些问题，就可以比较顺利地完成版图设计并制造出合格的电路。版图设计并制造出合格的电路。 根据双极型晶体管的版图特点，其版图设计根据双极型晶体管的版图特点，其版图设计的一般原则包括以下几个方面的内容：的一般原则包括以下几个方面的内

17、容：1）划分隔离区（岛）划分隔离区（岛）2）几何对称设计）几何对称设计3）热对称设计）热对称设计4）图形尺寸选择）图形尺寸选择2、 双极型晶体管的图形设计双极型晶体管的图形设计 版图设计工作决不能脱离工艺实际，离开工版图设计工作决不能脱离工艺实际，离开工艺来谈设计是没有意义的。版图设计者的任务艺来谈设计是没有意义的。版图设计者的任务是在目前工艺许可的条件下，尽可能设计出各是在目前工艺许可的条件下，尽可能设计出各种符合要求的晶体管。集成电路中对双极型晶种符合要求的晶体管。集成电路中对双极型晶体管的要求主要是：体管的要求主要是：（1）有一定的）有一定的特征频率特征频率fT；（2）满足要求的开关时间

18、；）满足要求的开关时间；（3）能承受一定的电流；）能承受一定的电流；（4）具有较低的噪声系数；）具有较低的噪声系数；（5）具有一定的耐压。）具有一定的耐压。v在设计电路中的某一管子时，应首先弄清该在设计电路中的某一管子时，应首先弄清该管在电路中的作用，抓住主要矛盾，设计出符管在电路中的作用，抓住主要矛盾，设计出符合要求的管子。例如，对于逻辑电路设计，电合要求的管子。例如，对于逻辑电路设计，电路的输出管就应该着重考虑能承受电流，并具路的输出管就应该着重考虑能承受电流，并具有较快的开关速度和较低的饱和压降；而对反有较快的开关速度和较低的饱和压降；而对反相管则应着重考虑有较快的开关速度和较高的相管则

19、应着重考虑有较快的开关速度和较高的特征频率。特征频率。v不同的晶体管图形在集成电路中所起的作用不同的晶体管图形在集成电路中所起的作用不同，因此版图设计中一块掩模版上往往就有不同，因此版图设计中一块掩模版上往往就有几种晶体管的图形。下面首先介绍一般双极型几种晶体管的图形。下面首先介绍一般双极型晶体管的图形及其各自的特点。晶体管的图形及其各自的特点。1）一般双极型晶体管的设计）一般双极型晶体管的设计（1）单基极条图形）单基极条图形发射极引线孔（E）集电极引线孔（C）基极引线孔（B）隔离槽发射区基区集电区（2）双基极条图形）双基极条图形EBC（3）马蹄形结构）马蹄形结构BCEBEC（4）梳形结构）梳

20、形结构ECB2）多发射极晶体管的设计）多发射极晶体管的设计3）集成电路中的）集成电路中的PNP管管 BCEECBPPPN+（a）顶视图）顶视图（b）剖面图）剖面图 横向横向PNP晶体管结构晶体管结构 圆形单发射极横向圆形单发射极横向PNP管管 衬底衬底PNP管剖面图管剖面图 二、二、MOS晶体管的版图设计晶体管的版图设计 与双极型晶体管的版图相比，一般与双极型晶体管的版图相比，一般MOS晶体晶体管的版图设计相对简单些，典型的物理表示法管的版图设计相对简单些，典型的物理表示法包括了两个矩形。包括了两个矩形。 表示源极和漏极的N型扩散区表示栅极GWLDSDSDS表示源极和漏极的P型扩散区表示栅极G

21、LWNMOS晶体管的版图晶体管的版图 PMOS晶体管的版图晶体管的版图 1）大尺寸）大尺寸MOS管的版图设计管的版图设计 实际电路中，有时需要的实际电路中，有时需要的MOS管宽度可能是管宽度可能是几百甚至上千微米，而工艺提供的模型参数则几百甚至上千微米，而工艺提供的模型参数则规定了器件的尺寸范围的。为了实现大尺寸的规定了器件的尺寸范围的。为了实现大尺寸的MOS晶体管，在电路图中通过采用并联接法的晶体管，在电路图中通过采用并联接法的一组一组MOS管来实现。这些管来实现。这些MOS管工作时等效管工作时等效于一个沟道宽度较大的于一个沟道宽度较大的MOS管，其沟道宽度等管，其沟道宽度等于所有单个于所有

22、单个MOS管沟道宽度的总和。管沟道宽度的总和。栅极G漏极D源极S 大尺寸大尺寸MOS管的版图一般也采用并联结构，管的版图一般也采用并联结构，或称作梳状栅结构，并且相邻的或称作梳状栅结构，并且相邻的MOS管共用源管共用源区或漏区。这种版图并联结构不但减小了版图区或漏区。这种版图并联结构不但减小了版图面积而且减小了源端和漏端的耗尽层电容面积而且减小了源端和漏端的耗尽层电容. 漏极D/源极S源极S/漏极D栅极G漏极D/源极S源极S/漏极D栅极G4叉指叉指MOS管管 3叉指叉指MOS管管 漏 极 D/源 极 S栅极G源 极 S/漏 极 D漏 极 D/源 极 S折叠式梳状栅折叠式梳状栅MOS管版图示意管

23、版图示意 对于大尺寸器件对于大尺寸器件还可以采用折叠还可以采用折叠的方式以减小一的方式以减小一维方向上的尺维方向上的尺寸寸 。2）器件的失配问题）器件的失配问题M1M2（a）电路图）电路图 （b）管子方向不对称）管子方向不对称（c）垂直对称水平栅极）垂直对称水平栅极 （d）垂直对称垂直栅极）垂直对称垂直栅极 MOS差分对管的版图分布形式差分对管的版图分布形式阴影区源漏离子注入S/DD/S（a）离子注入方向性（）离子注入方向性（b）形成的不对称源漏结构）形成的不对称源漏结构倾角引起的注入阴影倾角引起的注入阴影RRM2M1M1R12M212RRRM112M212（a）简单布局）简单布局 （b）同心

24、布局）同心布局 两两个个叉叉指指的的差差分分对对管管版版图图 总之，与分立元件电路设计相比，集成电路设总之，与分立元件电路设计相比，集成电路设计的一个显著特点在于：设计者能够充分利用计的一个显著特点在于：设计者能够充分利用集成电路特点，通过改变晶体管等元器件的图集成电路特点，通过改变晶体管等元器件的图形结构和几何尺寸，设计出最合理的晶体管来形结构和几何尺寸，设计出最合理的晶体管来满足整体电路的要求。但这要求设计者在设计满足整体电路的要求。但这要求设计者在设计版图前，首先要搞清楚电路中各个晶体管的作版图前，首先要搞清楚电路中各个晶体管的作用，再决定采用哪种图形的晶体管。设计时，用，再决定采用哪种

25、图形的晶体管。设计时，既要考虑工作电流、特征频率、最高振荡频率既要考虑工作电流、特征频率、最高振荡频率以及噪声等电学参数，又要兼顾光刻精度、套以及噪声等电学参数，又要兼顾光刻精度、套准精度等工艺水平，以及占用面积、电路成品准精度等工艺水平，以及占用面积、电路成品率等因素。率等因素。4.5 九天软件下的版图编辑九天软件下的版图编辑 九天（九天（Zeni）系统软件为）系统软件为IC设计者提供了交设计者提供了交互式版图设计环境。交互式版图设计是指利用互式版图设计环境。交互式版图设计是指利用集成电路集成电路CAD版图编辑工具，通过人工参与的版图编辑工具，通过人工参与的方式完成的电路版图设计。由于使用了

26、交互式方式完成的电路版图设计。由于使用了交互式环境，设计者可以根据所设计电路的各种性能环境，设计者可以根据所设计电路的各种性能要求，对图形反复进行布置和连线，达到较佳要求，对图形反复进行布置和连线，达到较佳的布局效果，从而最大限度地利用芯片面积、的布局效果，从而最大限度地利用芯片面积、提高成品率，因而广泛应用于全定制集成电路提高成品率，因而广泛应用于全定制集成电路的版图设计中。的版图设计中。 一、版图设计前的准备一、版图设计前的准备 通常，集成电路制造厂为设计者提供了特定工通常，集成电路制造厂为设计者提供了特定工艺的数据包，或称作工艺设计套件（艺的数据包，或称作工艺设计套件（PDK：Proce

27、ss Design Kits）。设计套件主要包括了）。设计套件主要包括了该工艺条件下的一组文件：该工艺条件下的一组文件：v用于定义版图工艺层信息的工艺文件；用于定义版图工艺层信息的工艺文件；v用于版图验证的各种验证文件；用于版图验证的各种验证文件；v用于电路仿真的器件模型文件；用于电路仿真的器件模型文件； 集成电路版图设计是以工艺为基础的，因此版集成电路版图设计是以工艺为基础的，因此版图设计前要根据工艺提供的信息做好准备工作。图设计前要根据工艺提供的信息做好准备工作。1）建立工艺文件）建立工艺文件 首先要建立版图的工艺文件，确定该工艺版首先要建立版图的工艺文件，确定该工艺版图的工艺层信息，例如

28、对应各层掩膜版的层号、图的工艺层信息，例如对应各层掩膜版的层号、工艺层名称，各层的图案和颜色，以及用于版工艺层名称，各层的图案和颜色，以及用于版图器件提取的标识层的名称、图案以及颜色等。图器件提取的标识层的名称、图案以及颜色等。工艺文件中最重要的就是每层的层号（工艺文件中最重要的就是每层的层号（Level或或Number）。同一个工艺，其工艺层的颜色、图）。同一个工艺，其工艺层的颜色、图案甚至名称可以改变，但每层的层号却是唯一案甚至名称可以改变，但每层的层号却是唯一的。的。建立工艺文件界面示意图建立工艺文件界面示意图 2）建立版图数据库）建立版图数据库Zeni4DM集成环境下，通过集成环境下，

29、通过NewLibrary（新（新建库命令）建立新的数据库。建库命令）建立新的数据库。3）设置全局参数）设置全局参数 在新建的版图库中开始编辑一个版图单元时，在新建的版图库中开始编辑一个版图单元时，往往需要首先设置好版图设计所必须的一些全局往往需要首先设置好版图设计所必须的一些全局参数，如版图的最大、最小显示格点，命令菜单参数，如版图的最大、最小显示格点，命令菜单对话框的弹出方式等。其中，版图设计的最小尺对话框的弹出方式等。其中，版图设计的最小尺寸或分辨率设置应该根据使用工艺能达到的分辨寸或分辨率设置应该根据使用工艺能达到的分辨来合理设置。对于深亚微米的版图设计，版图分来合理设置。对于深亚微米的

30、版图设计，版图分辨率设置与制造工艺分辨率的不一致，有可能引辨率设置与制造工艺分辨率的不一致，有可能引起整个电路失效。因此，版图设计前要了解工艺起整个电路失效。因此，版图设计前要了解工艺水平，合理设置版图格点和尺寸分辨率。水平，合理设置版图格点和尺寸分辨率。二、层次化的版图设计二、层次化的版图设计 随着集成电路电路复杂性和集成度的日益增加，即随着集成电路电路复杂性和集成度的日益增加，即使是一个很有经验的版图设计师，要直接对整个芯片使是一个很有经验的版图设计师，要直接对整个芯片进行交互版图设计也是非常困难的，有时甚至是不可进行交互版图设计也是非常困难的，有时甚至是不可能的。因而，在实际利用交互式版

31、图设计方法时，往能的。因而，在实际利用交互式版图设计方法时，往往采用层次式设计方法：将整个芯片版图划分成若干往采用层次式设计方法：将整个芯片版图划分成若干块块(一般按功能划分一般按功能划分)；先对每；先对每块进行版图设计，每块进行版图设计，每一块设计完成之后可作为宏模块；然后在此基础上通一块设计完成之后可作为宏模块；然后在此基础上通过调用宏模块进行高一级的交互式设计，直至整个芯过调用宏模块进行高一级的交互式设计，直至整个芯片版图的完成。片版图的完成。层次化版图设计方法的好处是：层次化版图设计方法的好处是：v底层单元的任何改动，都会通过层级关系，底层单元的任何改动，都会通过层级关系，自动地将改动

32、传递到使用该子单元的更高层级自动地将改动传递到使用该子单元的更高层级单元中；单元中；v由于可以使用轮廓图显示，加快了版图显示由于可以使用轮廓图显示，加快了版图显示刷新的速度。刷新的速度。 不可取的多个接触单元版图设计方法不可取的多个接触单元版图设计方法 多次使用复制命令多次使用复制命令 层次化设计示例层次化设计示例用轮廓图显示的多个接触单元版图用轮廓图显示的多个接触单元版图 三、全定制版图设计三、全定制版图设计 以设计一个以设计一个CMOS反相器的版图为例，说明反相器的版图为例，说明全定制集成电路版图设计的过程。全定制集成电路版图设计的过程。 INOUTVDDGND10:410:4NMOSPM

33、OS1）新建版图数据库，指定设计采用的工艺文件）新建版图数据库，指定设计采用的工艺文件 2）为层次化版图设计建立一些常用子单元：）为层次化版图设计建立一些常用子单元：a）创建新单元）创建新单元nco，该单元规定，该单元规定N+有源层与金有源层与金属层的连接；属层的连接；b）创建新单元）创建新单元pco，该单元规定，该单元规定P+有源层与金有源层与金属层的连接；属层的连接；c）创建新单元）创建新单元plco，该单元规定多晶硅层与金，该单元规定多晶硅层与金属层的连接。属层的连接。 常用子单元版图常用子单元版图 3）新建版图单元）新建版图单元inv。在。在inv版图单元编辑窗口版图单元编辑窗口中，画

34、中，画PMOS管版图：管版图：a）选择）选择poly层，使用层，使用Path命令，画出栅长为命令，画出栅长为4m的栅极；的栅极；b）选择）选择pdiff层，使用层，使用Rectangle命令，画出命令，画出宽为宽为10m的的P管源漏区；管源漏区；c）选择）选择Create Instance命令，调用一个命令，调用一个2行行1列的列的pco子单元两次，完成子单元两次，完成P管有源区与金属层管有源区与金属层的连接。的连接。d）选择）选择nwell层，画层，画P管衬底。管衬底。 102.01.54.0PMOS管版图管版图 4）选择）选择metal层，画反相器的正电源电压线并层，画反相器的正电源电压线

35、并标识为标识为VDD；画；画P管源极和衬底与电源线管源极和衬底与电源线VDD的连接。调用的连接。调用nco单元作为单元作为N阱与金属层的连阱与金属层的连接，即接，即PMOS管衬底接电源。管衬底接电源。 102.01.54.0ncoVDD1.52.52.05）画）画NMOS管版图管版图 102.01.54.0ncoV D D1.52.52.01.51.54.08.0106）画）画NMOS管源管源极和衬底与地线极和衬底与地线GND的连接，并的连接，并画出反相器的输画出反相器的输入、输出引线。入、输出引线。四、版图数据与工艺制造四、版图数据与工艺制造 最终设计好的集成电路版图数据要转换成最终设计好的

36、集成电路版图数据要转换成集成电路制造厂能够读懂的数据格式。目前，集成电路制造厂能够读懂的数据格式。目前，工业标准的数据格式主要有工业标准的数据格式主要有GDSII数据流格式数据流格式和和CIF中间格式。与中间格式。与CIF相比，相比，GDSII更为普遍，更为普遍，几乎所有的集成电路版图设计工具都能读写几乎所有的集成电路版图设计工具都能读写GDSII。GDSII文件包含了版图的所有信息，文件包含了版图的所有信息，包括库和所有的单元，保留了设计中的层次结包括库和所有的单元，保留了设计中的层次结构和工艺层信息。构和工艺层信息。 GDS数据导入对话框数据导入对话框 GDS数据导出对话框数据导出对话框

37、虽然一个完整的集成电路从前端的电路设计、虽然一个完整的集成电路从前端的电路设计、仿真验证到后端的版图设计、验证都是依据晶仿真验证到后端的版图设计、验证都是依据晶圆厂提供的相应工艺模型参数和版图设计文件圆厂提供的相应工艺模型参数和版图设计文件进行的。然而，当设计者将导出的进行的。然而，当设计者将导出的GDSII标准标准版图数据交付工艺制造厂加工制造时，设计者版图数据交付工艺制造厂加工制造时，设计者和晶圆厂还需要进行最后的工艺信息认证。也和晶圆厂还需要进行最后的工艺信息认证。也就是说，除了就是说，除了GDS数据文件之外，还需要一些数据文件之外，还需要一些信息表。信息表。4.6 九天软件下的版图验证

38、九天软件下的版图验证 上述反相器版图中只标注了部分几何设计规则，其上述反相器版图中只标注了部分几何设计规则，其实同一层次以及不同层次间的设计规则要考虑上下、实同一层次以及不同层次间的设计规则要考虑上下、左右各个方向，因此，即使十分熟悉这些几何规则也左右各个方向，因此，即使十分熟悉这些几何规则也难免会有疏忽，尤其对于版图设计初学者来说，一次难免会有疏忽，尤其对于版图设计初学者来说，一次版图设计就能够全面考虑到所有规则是十分困难的。版图设计就能够全面考虑到所有规则是十分困难的。而且，除了需要考虑几何设计规则外，还要检查版图而且，除了需要考虑几何设计规则外，还要检查版图的连接关系是否与电路图一致，因

39、此，借助计算机辅的连接关系是否与电路图一致，因此，借助计算机辅助设计工具进行全面的版图验证是十分必要的。助设计工具进行全面的版图验证是十分必要的。 一、版图验证概述一、版图验证概述 版图验证的任务是检查版图中可能存在的各版图验证的任务是检查版图中可能存在的各种错误，这些错误可以分成如下三类。种错误，这些错误可以分成如下三类。1）违犯几何设计规则的错误）违犯几何设计规则的错误2）电路连接性错误）电路连接性错误3）电学性能上的错误）电学性能上的错误 图形结果验证命令文件CDL/Spice电路网表网表转换工具SlognetLDC版图验证软件包版图验证软件包版图网表逻辑网表版图数据DRC/ ERC报错文件LVS 验证NGR数据库ZeniPDT版图编辑器版图编辑器LVS查错工具LDXLVS报错文件二、版图验证文件二、版图验证文件 版图验证的前提就是要有为特定工艺编写的版图验证的前提就是要有为特定工艺编写的验证文件。编写验证命令文件是进行版图验证验证文件。编写验证命令文件是进行版图验证不可缺少的部分，命令文件是否完备直接影响不可缺少的部分，命令文件是否完备直接影响到版图验证的质量。所谓命令文件是指一组用到版图验证的质量。所谓命令文件是指一组用UNIX文本编辑器（文本编辑器（Text Editor）编写的）编写的ASCII文件，用于识别设计中的各层及要执