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1、外禀损失外禀损失(snsh)所有这些过程都对所有这些过程都对XPS谱谱的结构有贡献的结构有贡献第一页，共25页。第1页/共25页第二页，共25页。第2页/共25页第三页，共25页。第3页/共25页第四页，共25页。第4页/共25页第五页，共25页。第5页/共25页第六页，共25页。第6页/共25页第七页，共25页。第7页/共25页第八页，共25页。第8页/共25页第九页，共25页。第9页/共25页第十页，共25页。平均来说，只有靠近表面的电子平均来说，只有靠近表面的电子才能无能量损失才能无能量损失(snsh)地逸出，地逸出，分布在表面中较深处的电子将损分布在表面中较深处的电子将损失失(snsh

2、)能量并以减小的动能能量并以减小的动能或增大的结合能的面貌出现，在或增大的结合能的面貌出现，在表面下非常深的电子将损失表面下非常深的电子将损失(snsh)所有能量而不能逸出。所有能量而不能逸出。第10页/共25页第十一页，共25页。第11页/共25页第十二页，共25页。第12页/共25页第十三页，共25页。第13页/共25页第十四页，共25页。第14页/共25页第十五页，共25页。 俄歇电子峰亦可用来进行元俄歇电子峰亦可用来进行元素鉴别，并且可以素鉴别，并且可以(ky)(ky)联合光电子峰的化学位移联合光电子峰的化学位移( (俄俄歇参数歇参数) )对元素化学态进行更对元素化学态进行更准确的鉴别。准确的鉴别。第15页/共25页第十六页，共25页。第16页/共25页第十七页，共25页。第17页/共25页第十八页，共25页。第18页/共25页第十九页，共25页。第19页/共25页第二十页，共25页。第20页/共25页第二十一页，共25页。第21页/共25页第二十二页，共25页。第22页/共25页第二十三页，共25页。O 1s21 eVx4Insulating M ateria

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