电子科大薄膜物理(赵晓辉)第二章 蒸发

1、主要内容主要内容 真空蒸发原理真空蒸发原理 薄膜膜厚分布及纯度薄膜膜厚分布及纯度 蒸发装置蒸发装置 2PVD的特点的特点利用物理过程，实现物质从源到薄膜的转移。利用物理过程，实现物质从源到薄膜的转移。特点：特点： 固态或熔融态作源物质固态或熔融态作源物质 经过物理过程转移经过物理过程转移 较高真空度较高真空度1. 没有化学反应没有化学反应34Evaporation电子束电子束蒸发系统蒸发系统*52-1 Principle of Evaporation （1） 特点：成膜速度快特点：成膜速度快0.150m mm/min，设备比，设备比较简单，容易操作；制得薄膜纯度高；薄膜生长较简单，容易操作；制

2、得薄膜纯度高；薄膜生长机理较简单机理较简单 （2）缺点：薄膜附着力较小，结晶不够完善，工）缺点：薄膜附着力较小，结晶不够完善，工艺重复性不够好艺重复性不够好 （3）结构主要有：真空室；蒸发源；基板；基板）结构主要有：真空室；蒸发源；基板；基板加热器及温度计加热器及温度计 一：真空蒸发的特点一：真空蒸发的特点6二、过程概述二、过程概述1. 加热加热Atoms to gas state 加热原料加热原料 Pvapor 10-4 torr 有的原料是固态升华，有的是液态蒸发有的原料是固态升华，有的是液态蒸发 化合物可能分解化合物可能分解 可能导致薄膜成分变化可能导致薄膜成分变化 SiO2 - SiO

3、2-x 合金蒸发时薄膜成分会变化合金蒸发时薄膜成分会变化 不同组分的蒸发速率不一样不同组分的蒸发速率不一样 可改变原料成分进行调整可改变原料成分进行调整 但合金成分会随时间变化但合金成分会随时间变化 72. 输运输运Transport to substrate 直线沉积直线沉积 避免气体分子的碰撞避免气体分子的碰撞 较长的平均自由程较长的平均自由程 良好的真空良好的真空 let h = source to substrate distance （靶基距）（靶基距）for h of 10 - 100 cm, want P lower P 残余气体无法避免残余气体无法避免!83. 沉积沉积Depo

4、sition onto substrateGas Atoms to Solidn 吸附吸附n 凝结凝结n 成核成核n 生长生长n 形成薄膜形成薄膜首先考虑薄膜的厚度和纯度！首先考虑薄膜的厚度和纯度！然后考虑结构和性能。然后考虑结构和性能。9三、饱和蒸汽压三、饱和蒸汽压Pvap定义：在一定温度下，汽、固或汽、液两相定义：在一定温度下，汽、固或汽、液两相 平衡时，气体的压力称为该物质的饱平衡时，气体的压力称为该物质的饱 和蒸汽压。和蒸汽压。 显然是温度的函数：显然是温度的函数： PvapF(T) 蒸发温度：饱和蒸汽压为蒸发温度：饱和蒸汽压为10-2 Torr时的温度。时的温度。10水蒸汽压力随温度

5、的变化水蒸汽压力随温度的变化T (O C)100250-40-78.5-196P (mbar)1013326.40.136.6 x 10 -410 -24(BOILING)(FREEZING)(DRY ICE)(LIQUID NITROGEN)11饱和蒸气压的理论推导饱和蒸气压的理论推导 克拉伯龙克拉伯龙-克劳修斯方程：克劳修斯方程：Pvap：饱和蒸气压；：饱和蒸气压；Hvap：蒸发热或摩尔气化热。：蒸发热或摩尔气化热。Vg、Vs/l：气相和固相、液相的摩尔体积：气相和固相、液相的摩尔体积显然：显然：VgVs，并且低气压下蒸气分子符合理想气体状态，并且低气压下蒸气分子符合理想气体状态方程方程

6、)(/lsgvapvapVVTHdTdPComes from phase equivalent, dG1=dG2, dG=-SdT+VdP,dP/dT=D DS/D DV,D DS=D DH/T12 Hv：视为常数，积分得：视为常数，积分得 2(ln)1dPvHv dTdPvHvPvRTRdTlnlnHvBPvCPvARTT（2-4）（2-5）13得到：得到： lnPv与与1/T近似为直线！近似为直线！ PvT的近似关系式，应用范围：蒸气压的近似关系式，应用范围：蒸气压小于小于1Torr。 由此可以合理地选择蒸发材料及确定蒸由此可以合理地选择蒸发材料及确定蒸发条件。发条件。 1415四、蒸发速

7、率四、蒸发速率 Evaporation rate 相平衡时，气相平衡时，气液与液与液液气分子数相等气分子数相等 但并非所有气相分子但并非所有气相分子入射到液面时凝结入射到液面时凝结 ae：蒸发系数：蒸发系数 e2ea PvdNJeAdTmKT142PnVamKT 16 动力学理论描述蒸发速率动力学理论描述蒸发速率 where Pvap = vapor pressure (Torr) M = molecular weight cm2 = area of source 223.513 10vapevapPMTMolecules/cm2 sec17 可以转化为质量流量（可以转化为质量流量（mass

8、flux） at Pvap = 10-2 torr, mass flux = 10-4 grams/cm2 sec 25.834 10evapvapMPTg/cm2 sec18 由于由于lnPv与与1/T的近似正比关系，所以当的近似正比关系，所以当T有微小变动时，蒸发速率会有剧烈的变化！有微小变动时，蒸发速率会有剧烈的变化！对于金属，温度变化对于金属，温度变化1%，蒸发速率变化可达，蒸发速率变化可达20%必须精确控制蒸发温度！必须精确控制蒸发温度！19五、蒸发分子的平均自由程与碰撞频率五、蒸发分子的平均自由程与碰撞频率 1）Collision Probability 碰撞频率碰撞频率 在低真空

9、蒸镀时，气体分子入射到基片上，单在低真空蒸镀时，气体分子入射到基片上，单位时间、单位面积入射的气体分子数。位时间、单位面积入射的气体分子数。则在则在25时，一般残余气体的时，一般残余气体的Ng大约为大约为1015个个/cm2S（10-5 Torr），薄膜的沉积速率一般为），薄膜的沉积速率一般为几个埃几个埃/秒秒.223.51 102gPPNmKTMT20 残余气体与蒸发物分子按比例残余气体与蒸发物分子按比例1：1到达基板表到达基板表面。所以要求蒸镀的真空度为面。所以要求蒸镀的真空度为10-6Torr 2）Mean free path 则残余气体压强为则残余气体压强为10-2帕时，帕时，=50c

10、m。 与真空室尺寸一致，蒸发分子在输送过程中几与真空室尺寸一致，蒸发分子在输送过程中几乎不发生碰撞乎不发生碰撞 1822213.107 10()22KTTpdn dPd帕21 大气的残余物（大气的残余物（O2、N2、CO2、H2O），扩），扩散泵油蒸气，真空室吸气，当散泵油蒸气，真空室吸气，当P10-4Pa时，时，主要为真空室吸气。主要为真空室吸气。 水汽易与金属膜反应，或与水汽易与金属膜反应，或与W，Mo等加热器等加热器材料反应。材料反应。 在设计优良的系统中在设计优良的系统中 ，扩散油蒸气不明显。，扩散油蒸气不明显。六、残余气体的组成及其影响六、残余气体的组成及其影响22) sec (at

11、oms 105 . 3 1222cmTMPbbb残余气体残余气体12sec atoms cmMdNaAS蒸发源蒸发源薄膜纯度薄膜纯度薄膜杂质浓度薄膜杂质浓度rate deposition : ddMTMPCabbi23一般情况下蒸发比溅射获得的薄膜纯度更高：一般情况下蒸发比溅射获得的薄膜纯度更高：bhigher and lower Pd近来磁控溅射得到了极大的改善，溅射和蒸发铝时已经可以近来磁控溅射得到了极大的改善，溅射和蒸发铝时已经可以获得相似的结果。获得相似的结果。24蒸发粒子蒸发粒子 粒子具有和蒸发温度相近似的能量粒子具有和蒸发温度相近似的能量 1000oC is about 0.2 e

12、V 蒸发物质的分布取决于源的形状蒸发物质的分布取决于源的形状25影响膜厚分布的因素：影响膜厚分布的因素：A）蒸发源的特性；）蒸发源的特性；B）基板与蒸发源的几何形状，相对位置）基板与蒸发源的几何形状，相对位置C）蒸发物质的蒸发量。）蒸发物质的蒸发量。假设：假设：1）蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；）蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；2）在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞；）在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞；3）蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象）蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象。 2-2 Evaporation Character & Thickness di

13、stribution26一、点蒸发源一、点蒸发源 27dMdme4xh向各个方向等量发射向各个方向等量发射28设薄膜密度为设薄膜密度为 ，单位时间在，单位时间在dS2上的淀积厚上的淀积厚度为度为t。 则则dms= dS2 .t 在在=0处，膜厚最大处，膜厚最大 323222cos*444mm hmhthx024mtr29点蒸发源沉积薄膜厚度分布点蒸发源沉积薄膜厚度分布0.00.51.01.52.02.53.00.00.20.40.60.81.0 t/t0 x/h30二、二、小小平面蒸发源平面蒸发源 31从动从动力力学学理理论论和和实验实验得到得到 lawondistributicosine c

14、oscos2rMAdMdessMore realisticallyMore realistically： coscosn n evaporation lawevaporation law )0(2coscos) 1(2nrnMdAsMdnes- n n与蒸发舟的形状和熔融物深度和表面积比值有关。与蒸发舟的形状和熔融物深度和表面积比值有关。- 当当n n比较大时，蒸发流具有高度的方向性。比较大时，蒸发流具有高度的方向性。32蒸发发射物质服从余弦定律蒸发发射物质服从余弦定律33对于小平面源，有对于小平面源，有 22222222)(11)(coscoshlddlhhMrhrhrMrMdoeee34不

15、同沉积方法的羽辉形状不同沉积方法的羽辉形状35特性：特性： 在在角方向蒸发的材料质量与角方向蒸发的材料质量与cos成正比成正比（余弦分布定律）（余弦分布定律） 点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性要好一些要好一些 但沉积速率要低得多但沉积速率要低得多 36课堂练习课堂练习 请估计采用点蒸发源蒸发请估计采用点蒸发源蒸发1g金，在离蒸发金，在离蒸发源源10cm的基片中心金膜的厚度和离基片中的基片中心金膜的厚度和离基片中心心2.5cm处的厚度。处的厚度。 如果采用小平面源呢？如果采用小平面源呢？37如何获得更好的均匀性如何获得更好的均匀性 缩小样品尺寸缩小样品尺寸

16、 (l) 增加靶基距增加靶基距 (h) 更大的腔体更大的腔体 更高的真空度更高的真空度 更多的浪费更多的浪费 采用多个源采用多个源 沉积过程中移动衬底沉积过程中移动衬底3822 4 cos cos oeeSSrMrMdAMd实现厚度均匀性的小诀窍实现厚度均匀性的小诀窍- 源与衬底的表面位于球面上源与衬底的表面位于球面上39三、细长平面蒸发源三、细长平面蒸发源 相当于热丝，由许多小平面蒸发源构成相当于热丝，由许多小平面蒸发源构成蒸发源蒸发源ds上的蒸发物质量为上的蒸发物质量为dm s可视为小平面蒸发源，则基板小元面积可视为小平面蒸发源，则基板小元面积d上的膜厚为上的膜厚为 mdmdsl2222c

17、oscosdmmdtdsl 40四、环状平面蒸发源四、环状平面蒸发源 蒸发特性蒸发特性 dm相当于小平面源相当于小平面源 2mdmd224242h dmmhdtd 41实际蒸发源的发射特点实际蒸发源的发射特点 1）点源：电子束蒸发源、电弧蒸发源）点源：电子束蒸发源、电弧蒸发源 2）小平面蒸发源：蒸发舟，克努曾槽）小平面蒸发源：蒸发舟，克努曾槽（2r） 3）柱状蒸发源：螺旋丝状蒸发源坩埚可视）柱状蒸发源：螺旋丝状蒸发源坩埚可视为高度定向源为高度定向源 4）磁控靶源：可视为大面积（平面或柱面）磁控靶源：可视为大面积（平面或柱面）蒸发源。蒸发源。 42蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置

18、配置 点源与基板相对位置的配置点源与基板相对位置的配置 小平面源与基板的相对位置配置小平面源与基板的相对位置配置 小面积基板时蒸发源的位置配置小面积基板时蒸发源的位置配置 大面积基板和蒸发源的配置大面积基板和蒸发源的配置 43阴影效应阴影效应 导致器件失效的主要原因导致器件失效的主要原因44阴影效应的计算机模拟阴影效应的计算机模拟45Evaporation of Material to Deposit MEMS Thin FilmsSubstratee- beam gunThermallyEvaporatedMetalDepositedMetal FilmWater-cooledCrucibl

19、ee- beamMetalTo vacuum pumpWhat is the limitation to evaporation?46e- beam gunIon sourceIon beamEvaporant fluxSubstrateFilmIon beam energy spectraJ+(E+)离子束可以控制蒸镀薄膜的性质离子束可以控制蒸镀薄膜的性质472-3 蒸发方法蒸发方法最常用的加热方式：最常用的加热方式： 电阻法电阻法 电子束电子束 高频感应高频感应 48电阻蒸发电阻蒸发蒸发源材料的要求蒸发源材料的要求-W, Mo1）熔点要高；）熔点要高；2）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的

20、）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染；污染；3）化学性质稳定；）化学性质稳定；4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小；较小；5）经济耐用。）经济耐用。 49 镀料与蒸发源的浸润性镀料与蒸发源的浸润性 镀料熔化后，镀料熔化后，沿蒸发源上扩展的倾向沿蒸发源上扩展的倾向 浸润浸润面蒸发源，蒸发状态稳定。面蒸发源，蒸发状态稳定。反之，反之，不浸润不浸润点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱落。落。50蒸发源的性质蒸发源的性质 各种电阻蒸发源的形状各种电阻蒸发源的形状 1）丝式）丝式 2）蒸发舟）蒸发舟 3）坩埚）坩埚 51525

21、3电阻蒸发的缺点电阻蒸发的缺点不能蒸发某些难熔金属；不能蒸发某些难熔金属；也不能制备高纯度薄膜。也不能制备高纯度薄膜。电子束蒸发电子束蒸发 定义：将镀料放入水定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。使其受热蒸发。 54 A）环形枪）环形枪 环状阴极发射电子，结构简单，功率、效率都不高，环状阴极发射电子，结构简单，功率、效率都不高，多用于实验工作。多用于实验工作。 B）直枪）直枪 轴对称的直线加速电子枪，阴极发射电子，阳极加轴对称的直线加速电子枪，阴极发射电子，阳极加速，缺点是体积大，成本高，蒸镀材料会污染枪体，速，缺点是体积大，成

22、本高，蒸镀材料会污染枪体，灯丝逸出的灯丝逸出的Na+离子污染膜层。离子污染膜层。 55蒸发蒸发枪结构枪结构C）e型枪型枪1）电子束偏转电子束偏转270度，避免了正离子对膜的影响。度，避免了正离子对膜的影响。2）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。3）防止极间放电，又避免了灯丝污染。）防止极间放电，又避免了灯丝污染。4）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。5657电子束蒸发电子束蒸发58电子束蒸发电子束蒸发 电子束加热熔融坩埚中的金属，产生金属蒸汽等电子束加热熔融坩埚中的金属，产生金属蒸汽等离子体；离子体； 蒸汽中的离子在低

23、压下反应生成涂层；蒸汽中的离子在低压下反应生成涂层； 施加正偏压时，电子束可以用来加热基板；施加正偏压时，电子束可以用来加热基板； 加负偏压时，电子束可以使氩气电离，增强对基加负偏压时，电子束可以使氩气电离，增强对基板的溅射刻蚀；板的溅射刻蚀；59电子束蒸发特点电子束蒸发特点 优点：优点：基板性能得到提高；基板性能得到提高；涂层致密无缺陷；涂层致密无缺陷；涂层光亮，富有艺术性。涂层光亮，富有艺术性。 缺点：缺点：由于原材料熔融蒸发，因此源的位置只能在系统由于原材料熔融蒸发，因此源的位置只能在系统的底部。的底部。60电子束蒸发特点电子束蒸发特点 为提高涂层的覆盖和厚度均匀性，设置较为复杂；为提高

24、涂层的覆盖和厚度均匀性，设置较为复杂； 由于金属蒸汽的低电离度，需要额外工艺改善附着力；由于金属蒸汽的低电离度，需要额外工艺改善附着力； 涂层厚度和沉积时间受坩埚体积限制；涂层厚度和沉积时间受坩埚体积限制； 涂层易受熔融材料的飞溅，影响表面特性；涂层易受熔融材料的飞溅，影响表面特性；61高频感应蒸发高频感应蒸发 原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁体）而升温蒸发。体）而升温蒸发。 6263特点：特点：1）蒸发速率大，

25、可比电阻蒸发源大）蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右。倍左右。2）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。3）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用与蒸发材料反应最小的材料。与蒸发材料反应最小的材料。缺点：缺点：1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。影响。2）线圈附近压强超过）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使时，高频电场会使残余气体电离。残余气体电离。3）高频发生器昂贵。）高频发生器昂贵。64瞬时蒸发法瞬时蒸发法 又称又称“闪蒸法闪蒸法”，将细小的

26、合金颗粒，逐次送到非常，将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。常用炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。 关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。钨丝锥形筐是作蒸发源的最好结构，若用蒸发舟钨丝锥形筐是作蒸发源的最好结构，若用蒸发舟或坩埚，未蒸发的粉末会残余下来成为普通蒸发。或坩埚，未蒸发的粉末会残余下来成为普通蒸发。 65有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发法。有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发法。原因：原因：A）化合物的熔点较

27、高，电阻加热温度不够。）化合物的熔点较高，电阻加热温度不够。B）许多化合物在高温下会分解，如）许多化合物在高温下会分解，如Al2O3，TiO2等会失氧。等会失氧。原理：将活性气体导入真空室，使之与被蒸发的原理：将活性气体导入真空室，使之与被蒸发的金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，形成所需化合物薄膜。形成所需化合物薄膜。适用：高熔点化合物薄膜，易分解的化合物薄膜，适用：高熔点化合物薄膜，易分解的化合物薄膜，如过渡金属与易解吸的如过渡金属与易解吸的O2，N2组成的化合物。组成的化合物。反应蒸发法反应蒸发法66双源或多源蒸发法双源或多源蒸发法 将合金的每

28、一成分，分别装入各自的蒸发将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。速率，以控制薄膜的组成。为了使膜厚均匀，通常需要旋转。为了使膜厚均匀，通常需要旋转。 实质上是双源蒸发法，分别控制两个蒸发实质上是双源蒸发法，分别控制两个蒸发源的温度及基板温度。源的温度及基板温度。三温度法三温度法67A）外延：是在适当的单晶基片上，沿基板）外延：是在适当的单晶基片上，沿基板晶轴的方向生长一层单晶薄膜的方法。晶轴的方向生长一层单晶薄膜的方法。要求晶格匹配，对称性一致。要求晶格匹配，对称性一致。 过去一般认为过去一般认为m7%时

29、，可获得超晶格。时，可获得超晶格。但最近发现当薄膜非常薄时，晶格富于但最近发现当薄膜非常薄时，晶格富于弹性，也可获得超晶格弹性，也可获得超晶格m=15%。应变超。应变超晶格。晶格。同质外延，异质外延同质外延，异质外延分子束外延（分子束外延（MBE）68B）分子束外延的定义：）分子束外延的定义： 在超高真空下（在超高真空下（10-910-11Torr），将），将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延薄膜。底表面，从而在其上形成外延薄膜。69C）分子束外延的特点）分子束外延的特点1 1）能够严格控制生长过程和生长速率）能够严格控制生长过程

30、和生长速率2 2）是超高真空的物理沉积过程，不需考虑输送过程及）是超高真空的物理沉积过程，不需考虑输送过程及中间的反应，可用快门对生长和中断进行瞬时控制中间的反应，可用快门对生长和中断进行瞬时控制3 3）MBEMBE是个动力学过程，可生长在普通热平衡下难以生是个动力学过程，可生长在普通热平衡下难以生长的薄膜长的薄膜4 4）MBEMBE衬底温度低，降低了热膨胀引入晶格失配和衬底衬底温度低，降低了热膨胀引入晶格失配和衬底材料对外延层的自掺杂扩散影响材料对外延层的自掺杂扩散影响5 5）生长速率低，）生长速率低，1 1个原子层个原子层/1/1秒，有利于精确控制膜厚，秒，有利于精确控制膜厚，结构，成分，

31、特别适用于生长超晶格材料结构，成分，特别适用于生长超晶格材料6 6）装有多种表面分析仪器，有利于科学研究）装有多种表面分析仪器，有利于科学研究701电弧蒸发法电弧蒸发法 在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，通电使其发生电弧放电，使接触部分达到高温通电使其发生电弧放电，使接触部分达到高温的蒸发的蒸发 特点：可蒸发高熔点材料，克服了电阻加热可特点：可蒸发高熔点材料，克服了电阻加热可能存在的污染及反应，又比电子束蒸发便宜。能存在的污染及反应，又比电子束蒸发便宜。 不足：适用于导电材料，蒸发速率难以控制，不足：适用于导电材料，蒸发速率难以控制，放电时飞溅的电极材料微

32、粒会对膜层有影响。放电时飞溅的电极材料微粒会对膜层有影响。其他蒸发方法其他蒸发方法712热壁法热壁法 1 1）蒸发在石英管中进行，通常石英管温）蒸发在石英管中进行，通常石英管温度比基片高，使蒸发原子、分子通过石度比基片高，使蒸发原子、分子通过石英管被导向基板，生成薄膜。英管被导向基板，生成薄膜。 2 2）是个热平衡过程，可制备外延薄膜，）是个热平衡过程，可制备外延薄膜，但可控性、重复性差。但可控性、重复性差。 723激光蒸发法激光蒸发法 利用高能激光作为热源来蒸镀薄膜的方法。利用高能激光作为热源来蒸镀薄膜的方法。 激光有：激光有：CO2，红宝石，钕玻璃，红宝石，钕玻璃，Ar激光器。激光器。优点

33、：优点：1 1）加热温度高，可蒸发任何材料，蒸发速率也极高。）加热温度高，可蒸发任何材料，蒸发速率也极高。2 2）采用非接触式加热，避免了蒸发源的污染，非常适宜于）采用非接触式加热，避免了蒸发源的污染，非常适宜于制备高纯薄膜。制备高纯薄膜。3 3）可使用脉冲激光器进行闪烁蒸发，有利于控制化学成分）可使用脉冲激光器进行闪烁蒸发，有利于控制化学成分和防止分解；气化时间短，不易出现分馏现象。和防止分解；气化时间短，不易出现分馏现象。缺点：缺点：1 1）激光器昂贵，特别是大功率连续激光器；）激光器昂贵，特别是大功率连续激光器；2 2）蒸发温度太高，蒸发粒子易离化，对薄膜性能有影响。）蒸发温度太高，蒸发粒子易离化，对薄膜性能有影响。3 3）膜厚控制难，且容易引起蒸发材料过热分解和喷溅。）膜厚控制难，且容易引起蒸发材料过热分解和喷溅。73金属：作为原子（或原子团簇）蒸发金属：作为原子（或原子团簇）蒸发化合物：绝大多数无机化合物以分子形式蒸发化合物：绝大多数无机化合物以分子形式蒸发薄膜的化学成分与源材料存在一定的差异薄膜的化学成分与