大陆-台湾-英语-led半导体照明术语对照表

1、半导体照明术语对照表2021年2月序号大叱语英义定义台湾地区术语一、根本术语1-01半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料,这种材料中的载流于浓度随外部条件改变而变化.半醇it1-02半导体器件semiconductordevice其根本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件.半元件1-03半导体二极管(semiconductor)diode具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件.半醇ft二趣ft1-04发光二极管；LEDlight-emittingdiode当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导

2、体二极管.彝光二趣ft1-05固态照明solidstatelighting采用固体发光材料,如发光二极管LED、场致发光EL、有机发光OLED等作为光源的照明方式.固熊照明1-06半导体照明semiconductorlighting米用LED作为光源的照明方式.半醇醴照明1-07衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片.基板1-08外延片epitaxialwafer用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片.磊晶片1-09发光二极管芯片light-emittingdiodechip具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片.彝光二趣ft晶

3、片粒1-10LED模块LEDmodule由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、限制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且/、可拆卸的整体单元.LED模1-12LED组件LEDdiscreteness由LED或LED模块和电子兀器件组合在一起,具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元.LED元件1-13内量子效率innerquantumefficiency有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比.内部量子效率1-14出光效率lightextractionefficiency逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比.出光效率1-15注入效率Injectionefficiency

4、注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比.注入效率序号大叱语英义定义台湾地区术语1-16外量子效率outerquantumefficiency逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比,等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积.外部量子效率二、LED>2-01单色光LEDmonochromaticlightLED发出单一色光的LED有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等.罩色LED2-02白光LEDwhitelightLED用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED,白光LED2-03直插式LED;DIPLEDDualIn-linePackageLED带有

5、正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED,硝弹型封装LED2-04贴片式LED;SMDLEDSurfaceMountedDevicesLED正负电极在封装基板上、适用于外表贴装工艺的LED,外表封装型LED2-05小功率LEDlowpowerLED单芯片工作电流在100mA含100mA以下的发光二极管.小功率LED2-06功率LEDpowerLED工作电流在100mA以上的发光二极管.高功率LED2-07LED数码管LEDnixietube米用LED显示数字或字符的器件或模块.LED尼士管2-08LED显管LEDdisplayer米用LED显示数字、符号或图形的器件或模块.LED小而2-09

6、LED背光源LEDbacklight采用LED作光源,为被动显示提供光源的LED器件或模块.LED背光源三、外延工艺3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺.在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料,称同质外延；在衬底上生长与衬底组分/、同的单晶材料,称异质外延.磊晶3-02量子阱quantumwell组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势茎或势阱,并且具有量子效应的材料结构.量子井3-03单量子阱singlequantumwell只有一个量子阱的材料结构.眼曾量子井3-04多量子阱multi-quantumwell包含多个单量子阱的材料

7、结构.多量子井3-05金属有机化学汽相沉积；MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反响外延生长单晶材料的方法.有械金腐化合物半醇醴磊晶技循13-06超晶格superlattice两种或两种以上组分或导电类型不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构,具薄层厚度远大于材料的晶格常数,但接近于或小于电子的平均自由程或其德布洛意波长.超晶格3-07异质结heterogeneousstructure由两种或两种以上不向的半导体材料形成的异型P-N异质结构或同型P-P或N-N昇K接面序号大叱语

8、英义定义台湾地区术语异质结构.3-08单异质结singleheterojunction由两种小同的半导体材料形成的异型P-N异质结构或同型P-P或N-N异质结构.罩IOC接面3-09双异质结doubleheterojunction包含两个异质结的异质结构.HlOf接面3-10图形化衬底graphicalsubstrate在外延生长前,米用蚀刻的方法,在外表形成一矩图案的衬底.圈形化基板四、芯片工艺4-01湿法蚀刻wetetching将晶片浸没于化学溶液中,通过化学反响去除晶片上不需要的局部,使光刻图形转移到晶片外表.漏式触刻4-02干法蚀刻dryetching将晶片置于等离子气体中,通过气体放

9、电去除晶片上不需要的局部,使光刻图形转移到晶片外表.乾式做刻4-03曝光exposure利用光学的方法,对涂布在晶片外表的光刻胶进行光化学反响的过程.曝光4-04烘胶baking在一定的温度下,使光刻胶固化的过程.烘烤4-05蒸镀evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽,使其在真空状态卜沉积在待镀材料表向.蒸4-06激光剥离laserlift-off利用激光照射在芯片上,使外延层和衬底界面处熔化,从而将二种材料别离的方法.雷射录懈4-07欧姆接触ohmiccontact电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触.欧姆接斶4-08氧化锢锡电极IndiumTinOxideelec

10、trodeITO蒸镀在芯片外表的一种化学成分为氧化锢锡的透明导电膜,以形成欧姆接触,有利于电流扩展及透光.氧化金因金易重趣4-09衬底转移；金属键合substratetransfermetalbonding芯片制造将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法.基板黏合4-10金属反射层reflectivemetalelectrode在LED芯片外表蒸镀一层金属,形成一种可提升外量子效率的光反射层.金腐反射4-11同侧电极结构lateralelectrodestructureP、N电极在芯片的上面,使局部电流横向流过外延层的一种电极结构.4-12垂直电极结构verticalel

11、ectrodestructureP、N电极分别在芯片的上下二端,使电流垂直流过外延层的一种电极结构.垂直雷:趣结情4-13承载基板supportsubstrate芯片制造用来承载外延层或芯片,并提供电极接触的一种材料.承载基板4-14外表粗化surfaceroughening在LED外延片或芯片外表形成可以提升芯片出光效率和外量子效率的粗糙外表结构.表向粗化4-15正装芯片normalchip发光二极管芯片电极在出光面上,衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构.傅统晶片序号大叱语英义定义台湾地区术语4-16倒装芯片flipchip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上,形成一种芯片衬底或靠原衬

12、底面朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构.覆晶晶片4-17芯片分选chipsorting按小同参数例如电压、电流、波长、光强等对芯片进行分档测试选择.晶片分级4-18内陷电极recessedelectrode电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中.嵌入圄H4-19互补电极complementaryelectrode在LED芯片垂直结构中,为防止底部所发光被顶部N电极吸收,在N电极止卜方电极区域制作一个高阻层,使电流分布在N电极投影以外的互补区域.互祷皿14-20N面出光lightextractionfromNside发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出.N趣出光4-21侧面钝化latera

13、lpassivation在LED芯片侧面镀上保护层,使芯片防止沾污、保护芯片稳定性和可靠性.倒!面金屯化五、封装5-01支架；框架leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件.支架5-02点胶coat在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶.MB5-03装架dieattachment(diebond)将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位直上.固晶5-04烧结sinter通过高温加热,使银胶固化.固化5-05引线键合；压焊wirebonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架框架的引出端.打5-06LED封装LEDpackage将LED芯

14、片和焊线包封起来,并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸.LED封装5-07灌封embedding米用模条灌装成型的封装方式.嵌入5-08塑封moulding米用模压成型的封装方式.模具成型5-09点胶封装coatingpackage米用点胶成型的封装方式,也称软包封.黑占封装5-10热沉heatsink与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体.散热片5-12共晶焊eutecticbonding在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料例如金或铅锡等,通过加温加压使之共熔的一种焊接方法.共金结合5-13透明介质transparentmedium无色透明的一种

15、导电或非导电的胶状材料.透明介K5-14固化cure通过高温加热,使封装环氧固化.固化5-15切筋dam-barcut切断LED支架的连筋.切脚5-16气泡airbladderLED封装体内存在的任何局部空隙.氧泡5-17里占八、八、stain外来异物在LED封装体中所形成的点状体.黑黑占序号大叱语英义定义台湾地区术语5-18划痕nickLED封装体表向上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑.刮痕5-19变色discolorationLED封装体及支架镀层上的任何颜色变化.建色八、光度里术语6-01可见光visiblelight能直接引起视觉的光学辐射.其波长范围一般在380780ns可

16、见光6-02辐射通量；辐射功率e；Pradiantfluxradiantpower以辐射形式发射、传播或接收的功率,单位为W幅射通量；幅射功率6-03光通量V；luminousflux从辐射通量中e导出的量,该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的.对于明视觉：Ov=Km/30dC丫入d入J360d入de入式中：-一2是辐射通量的光谱分d入布；va是光谱光视效率.单位为lm注1:Kf1明视觉和Km'值暗视觉参见GB/T2900.65-2004定义845-01-56.注2:LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示.光通量6-04总光通量totalluminousflux总光通

17、量是在光源立体角4兀范围内累积的光通里之和.=日m式中I为发光强度；Q为光源立体角范围.余恩光通量6-05辐射能量Q;Qradiantenergy在给定的持续时间At内,辐射通量中e的时间积分,单位为J.幅射能6-06光量Q;Qquantityoflight在给定的持续时间At内,光通量中v的时间积分,单位为lm/s.余恩光量6-07辐射强度Ie；Iradiantintensity离开辐射源的,在包含给定方向的立体角兀dQ内传播的辐射能量de除以该立体角元,单位为Wsr.幅射弓金度6-08发光强度IV；Iluminousintensity离开光源的,在包含给定方向的立体角兀d内传播的光通量d中

18、v除以该立体角元,单位：cd=lm/sr光弓金度6-09平均发光强度ILEDAe、ILEDAv、ILEDBe、ILEDBvaveragedluminousIntensity光源在一定的立体角内发射的光或辐射通重与该立体角的比,口表小为：v1VF注：CIE推荐标准条件A探测器面积1cm2,光源到平均光弓重度序号大叱语英义定义台湾地区术语探测器间距316mm对应立体角为0.001Q和B探测器面积1cm2,光源到探测器间距100mm对应立体角为0.01Q分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度,可以分别用符号IlEDAe、ILEDAv、IlEDBe、ILEDBv来!1小O6-10辐射亮度rad

19、iance给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强度,与辐射束元垂直于指定方向上的面积之比.其数值与辐射面的性质有关,并且随方向而变化,单位为W/m.sr.幅射率幅射亮度6-11光亮度Lvluminance给定点的光束兀在给定方向上的发光强度,与光束元垂直于指定方向上的面积之比.单2位为cd/m.耀度6-12辐射照度E；Eirradiance包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点2向兀向积之比.单位为W/m.幅射照度6-13光照度Ev；Eilluminance包含该点的面元上所接收的光通量,与该点2向兀向积之比.单位为lx或lm/m.照度6-14平均照度Eaverageilluminance被照外

20、表接收到的光通量与接收面积的比值,单位为lx或lm/m2.平均照度6-15辐射出射度M;MradiantExitance离开包含该点面兀的辐射通量,与该点面兀2面积之比.单位：W/m.幅射樊散度幅射出射度6-16流明lmlumen光通量的SI单位：由一个发光强度为1cd的均匀点光源在单位立体角球向度内发射的光通量.第9届国际度量大会,1948年.等效定义：频率为540X1012挪兹、辐射通量为1/683瓦特的单色辐射束的光通量.流明6-17辐射效率Yeradiantefficiency辐射源发射的辐射功率中e与其消耗的电功率P的比值.幅射效率6-18发光效能；光源的光视效能4Vluminous

21、efficacyluminousefficacyofasource光源发射的光通量中V与其消耗的电功率P的比值,单位为lm/Wo樊光效率6-18辐射的光视效能Kluminousefficacyofradiation光源发射的光通量中V与其发射的辐射功率中e的比值,单位为lm/Wo视效函数光见度6-20眩光glare由于光亮度的分布或范围不恰当,或比照度太强,而引起不舒适感或分辨细节或物体的水平减弱的视觉条件.眩光6-21光轴opticalaxis关于主辐射能分布中央的一条直线.注：除非另有规定,光轴即为最大辐射能的方向.光事由6-22半强度角01/2half-intensityangle发光强

22、度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向法向的夹角.半功率樊射角半弓金度角6-23立体角solidangle以立体角的顶点为球心,以r为半径作一个球面,那么此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比.立ft角序号大叱语英义定义台湾地区术语6-24光出射度luminousexitance离开外表一点处的面兀的光通量除以该面兀的面积.光束彝散度光出射度6-25峰值发射波长入Ppeakemissionwavelength辐射功率最大值所对应的波长.峰值波H6-26中央波长centrewavelength,_'一"光谱带宽两端点处波长九0.5和人0.5的中央处波长定义

23、为九05m,计算式为：_八'J'L,-九0.5m=九0.5+九0.5J/2注：在有些应用中用A九0.1表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽.中央波H6-27重心波长centroidwavelength光谱分布的重心波长兀表示的是“质量中央c的波长,按卜式计算：%=/0网/2&0泌儿九当测量计算不向LED的典型光谱分布的重心波长时,其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响,此处测量的不确定性由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加.重心波晨6-28光谱辐射带宽A入spectralradiationbandwidth光谱辐射功率等于或大于最大

24、值的一半时的波长间隔.儿口日叫市亮皮光音普幅射带宽6-29光谱功率分布P入spectralpowerdistribution光源辐射功率按波长的分布,称为光谱功率分布.以任意单位表示的光谱功率分布,称为相对光谱功率分布.光言普功率分佛6-30辐射通量密度radiantFluxDensity通过单位面积的辐射通量,单位为w/m.幅射通量密度6-31发光效率luminescentefficiency光源消耗每一瓦电能所发出的光.单位为流明每瓦lm/w.樊光效率6-32光通量效率YVluminousfluxefficiency;orLuminousefficiency器件发射的光通量中V与器件的电功

25、率正向电流If乘以正向电压M的比值.光通量效率七、色度量术语7-01显色指数colourrenderingindex光源显色性的度量.以被测光源下物体的颜色和参照光源卜物体的颜色的相符程度来表示.国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定为100.演色指数7-02显色性color-renderingproperties光源显现被照物体真实颜色的水平.物体的真实颜色是指在参照照明体通常为完全辐射体下所呈现的颜色.演色性7-03色温工colourtemperature当光源的色品是与某一温度下完全辐射体的色品相同时,该完全辐射体的绝对温度为此光源的色温,单位为Ko色温序号大叱语英义定义台湾地区术语7-

26、04相关色温correlatedcolourtemperature黑体轨迹上,和某一光源的色品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度,即为该光源的相关色温.相色温7-05主波长dominantwavelength为25c环境温度r一单色刺激的波长,该单色刺激与规定的非彩色刺激按适当比例相加混合,以与所考虑的色刺激相匹配.对于LED,参考色刺激应为色坐标XE=0.3333,YE=0.3333的光源E.主樊光波H(主波晨)7-06色品坐标chromaticitycoordinates一组三色刺激值中的每一个值与它们的总和之比.注1：由于三个色品坐标之和等于1,所以知道其中两个便能确定色品.注2:在CIE

27、标准色度系统中,色坐标用符号x、V、z表不.色度座檄7-07色饱和度colorsaturation色饱和度也称为色纯度,是指彩色的纯洁性.在x-y色度图中,光谱色轨迹所代表的各种波长的单色光,其纯度最高,色饱和度规定为100%色度图内各点所代表的某一颜色,被认为是由某一波长的单色光和白光混合而成,越靠近白点,所混白色越多,其色饱和度也越低.色鲍和度7-08色差colordifference定量表示的色知觉差异.用AE表示.色差7-09色容差colortolerance试验色与规定色之间色差的容许范围.色容差八、热、电测量术语8-01结温junctiontemperatureLED器件中主要发热

28、局部的半导体结的温度.接向温度8-02额定结温ratedjunctiontemperatureLED正常工作时所允许的最高结温.在此温度下,一切启夫的额定值和特性都能得到保证.额定接囿湍度8-03管壳温度casetemperatureLED工作时管壳规定点的温度.外段温度8-04热阻thermalresistance器件的有效温度与外部规定参考点温度之差除以器件中的稳态功率耗散所得的商.都阻8-05结-管壳热阻Rh(J-C)thermalresistancefromjunctiontocaseLEDPN结到管壳之间的热阻.接向-外段温度8-06结-环境热阻Rh(J-A)thermalresis

29、tancefromjunctiontoambientLEDPN结到环境之间的热阻.它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值.接囿-度境热阻8-07静电放电；ESDelectrostaticdischarge具扃小向静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移.静霜放霜8-08静电放电电压敏感值voltage使器件失效的静电放电电压值.ESD失效重屋8-09静电放电耐受电withstandvoltage使器件不失效的最大静电放电电压值.ESD承受重屋序号大叱语英义定义台湾地区术语压8-10人体模式静电放电；HBMhumanbodymodel采用电阻电容组成的放电网络模拟人体指尖的静电放电

30、.人ft放雷模式8-11机器模式静电放电；MMmachinemodel采用200pF电容和零欧姆串联电阻组成放电网络模拟来自机器的静电放电.檄器放雷模式8-12总电容capacitance在规定正向偏压和规定频率卜,LED两端的电容.余恩雷容8-13寿命lifetimeLED在规定工作条件下光输出功率或光通量衰减到初始值50碗70%寸的工作时间.单位为小时h.8-14正向电流IFforwardcurrent发光二极管正常发光时,流过LED器件的电流.向雷;流8-15正向电压forwardvoltage通过LED器件的正向电流If为规定值时,在两极间产生的电压降.8-16反向电流IRrevers

31、ecurrent加在LED器件两端的反向电压为确定值时,流过LED器件的电流.逆向重流8-17反向电压VreversevoltageLED器件通过的反向电流为确定值时,在两极间所产生的电压降.逆向囿器8-18取大正向电流IFMmaximumforwardcurrent允许通过LED的最大的正向直流电流.取大1!向重流8-19最大正向峰值电流IFPMforwardPeak-current允许加于LED两端正向脉冲电流的取大值.最大11向峰值雷:流8-20击穿电压*Rbreakdownvoltage允许加于LED两端的最大反向电压.擎穿囿器8-21额定功耗Pnratedpowerconsumpti

32、on允许加于LED两端电功率的最大值.额定功率8-22电压-电流特性voltage-currentcharacteristic发光二极管的电压与电流的函数关系曲线.W1E-雷流特性8-23响应时间responsetimeLED开通时间、关断时间、上升时间、下降时间和开通或关断的延迟时间的总称.主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗.反鹰畴回8-24扩散电流diffusioncurrentLED热平衡状态遭到破坏,因浓度差引起载流子的扩散运动,产生的电流.散雷流8-25漂移电流driftcurrentLED在外加电场作用下,载流于将在热骚动状态卜做漂移运动,产生的电流.飘移重流8-26势垒

33、电容barriercapacitance在LED的PN结上的电压件-小的变化,即V+V,相应产生的贮存电荷量变化为QQ隔蹄重容障壁重容序号大叱语英义定义台湾地区术语当足够小,可近似认为Q与4V呈线性关系时,定义势垒电容G:cAQdQICttVdVV8-27扩散电容diffusioncapacitance当外加正向电压时,注入P区的少子电子在P区内浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P区有电子的积累.同理,在N区有空穴的积累.正向电流越大,积累的电荷就越多.这样所产生的电容就是扩散电容.散重容8-28微变电阻tinychangeofresistor是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变

34、化之比微燮重阻九、材料9-01LED用jO:粉phosphorforLED指可以被发光二极管LED芯片发出的光激发而发出可见光的无机粉末材料.半蹲醴彝光二趣ft用蛰光粉9-02光谱功率分布Spectralpowerdistribution光源辐射功率按波长的分布,称为光谱功率分布.以任意单位表示的光谱功率分布,称为相对光谱功率分布.光言普功率分佛9-03相对亮度Brelativebrightness在规定的激发条件下,荧光粉试样与同牌号标准样品的亮度之比.相封亮度9-04激发波长入exexcitationwavelength激发荧光粉发光的光源的波长,单位为ns激樊波晨9-05激发光谱exci

35、tationspectrum指荧光粉发出的光的某一谱线或谱带的强度或发光效率随激发波长或频率的变化.激彝光If9-06发射光谱emissionspectrum荧光粉发光的强度按波长或频率的分布曲线,称为发射光谱.彝射光箫9-07发射主峰入emmainemissionpeak荧光粉发射光谱中强度最大的波长,单位为ns主峰值波H9-08半宽度；FWHMFullWidthatHalfMaximum光谱曲线峰值的一半处的总宽度,单位为nm.儿口日叫市亮皮9-09能量功率效率刀penergyefficiency荧光粉的发射荧光能量功率与所吸收的激发能量功率之比.能量功率效率9-10量子效率Yqquant

36、umefficiency发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之比.量子效率序号大叱语英义定义台湾地区术语9-11流明效率Ylluminousefficiency发光的流明数与激发能量之比,称为流明效率.它和能量效率的关系如下：、="p.6831P九丫九d九/jP0d九式中：常数683是光功率的最大流明当量.P九光谱功率分布,lm/W;V九一一光谱光视效率,见GB3102.6-93中的6-37.2.樊光效率9-12劣化；退化deterioration指荧光粉在半导体发光二极管中使用时发光强度随时间逐渐降低的现象.劣化9-13红色比Rredratio红色比为光源所发射白光谱红色局部600

37、780nm占可见光局部380780nm的百分比.缸色比9-14体色bodycolor在自然光下,直接观察荧光粉时所看到的荧光粉的颜色.ft色9-15机械杂质mechanicalimpurity在自然光下,直接观察荧光粉时所看到的不同于粉体的其它夹杂物.檄械用解！9-16比外表积Specificsurfacearea荧光粉颗粒的外表积与其质量或体积之比.单位为cnf/g或cni1比表向稹9-17密度；Pdensity单位体积荧光粉的质量,也称真密度.单位为g/cm3密度9-18松装密度；Paapparentdensity在指定的条件卜.荧光粉自由降落至充满单位体积的质量,即单位体积松装荧光粉的质

38、量.单位为g/cm3祝密度9-19粒度分布particlesizedistribution荧光粉试样按粒度不同分为假设小等级,每一级粉末按质量、数量或体积所占的百分率.粒分佛9-20中央粒径；ch.mediumparticlediameter荧光粉试样粒径累积分布中对应于50%勺颗粒数、体积或质里的粒径.单位为nt指对应于体积与质量相关的中央粒径.中央粒9-21平均粒径dmmeandiameter粒径测量结果的算术平均值.单位为科m平均粒9-22热稳定性thermalstability热稳定性表示荧光粉在半导体发光二极管中工作时对热的稳定性,包括发光亮度、激发光谱、发射光谱及色品坐标等.熟稳定

39、性9-23化学稳定性chemicalstability在存放或使用过程中,荧光粉对空气等周围环境及树脂等封装材料的稳定性.化季稳定性9-24pH值pHvalue荧光粉在一定体积去离子水中的酸碱度.pH值9-25电导率8conductivity荧光粉在一定体积去离子水中可溶性杂质离子浓度图低的度量.单位为S/cm.霜醇率十、LED应用产品序号大叱语英义定义台湾地区术语10-01LED交通信号灯LEDtrafficsignlamp以LED为光源、向往来车辆和行人传递禁止、限制、要求或警告等信息的灯具.LED交通婚燎10-02LED信号灯LEDsignallight以LED为光源、用于发射光信号的装

40、置.LED信虢燎10-03LED标志灯LEDmarkerlight以LED为光源、安装于地面或固定物体上,用来显示位置、形状、符号等信息的可视装置.LED10-04LED航标灯LEDpharoslight以LED为光源、安装在陆地或水上,用来协助飞机或船舶导航的信号灯.LED航帽燃10-05LED汽车灯LEDmotorcarlamp以LED为光源、安装在汽车上的灯具.LED汽事燎10-06LED转向灯LEDturninglight安装在机动车上,用来显示车辆准备向左或向右移动的LED灯.LED方向燎10-07LED前照灯LEDheadlight以LED为光源、安装在机动车上为其前方道路或现场提供照明的聚光灯.LED10-08LED杀IJ车灯LEDbrakelight以LED为光源、安装在机动车上,向前方显不该车止在减速刹车的彳口勺灯.LED煞事燎10-09LED景观灯LEDlandscapelight以