电子技术题库(1)全解

1、模拟电子技术模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元

2、件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于一），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制

3、（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数室_信号。2、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑一关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的位权不同。十进制计数各位的基一是10,位权是10的幕。5、8421BCD码和2421-码是有权码；余码和格雷码是无权码。3

4、、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进一制，然后再根据转换的二进制数，按照三位一一组转换成八进制；按四位_一

5、组转换成十六进制。9、8421BCD码是最常用也是最简单的一种BCD代码，各位的权依次为8_、42、.1_。8421BCD码的显著特点是它与二进制数码的4位等值.09完全相同。10、原码、反码和补码是把符号位和数值位一起编码的表示方法，是计算机中数的表示方法。在计算机中，数据常以补码的形式进行存储。8、JK触发器的次态方程为_Qn+1=JQn+KQn_；D触发器的次态方程为Qn+1=Dn_。9、触发器有两个互非的输出端Q和Q，通常规定Q=1，Q=0时为触发器的状态;Q=0，Q=1时为触发器的“0”状态。1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错2、自由电子载流子填补

6、空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（错9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。、选择题（每空2分共30分）1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（C）。A、基本RS触发器B、钟控RS触发器C、D触发器D、JK触发器2、由与非门组成的基本RS触发器不允许输入的变量组合S-R为（A）

7、oA、00B、01C、10D、113、钟控RS触发器的特征方程是（DA、Qn+1=R+QnB、Qn+1=S+QnC、Qn+1=R+SQnD、Qn+1=S+RQn4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（B）。A、JK触发器B、T触发器C、D触发器D、T"触发器5、触发器由门电路构成，但它不同门电路功能，主要特点是（C）A、具有翻转功能B、具有保持功能C、具有记忆功能1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（B）。A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非2、十进制数100对应的二进制数为（C）。A、1011110B、1100010C、1100100D、110001003、和逻辑式AB表示

8、不同逻辑关系的逻辑式是（B）。A、A+BB、ABC、AB+BD、AB+A4、数字电路中机器识别和常用的数制是（A）。A、二进制B、八进制5、56的补码是（D）。A、00111000BB、11000111B6、所谓机器码是指（B）。A、计算机内米用的十六进制码C、带有正负号的二进制数码C、十进制D、十六进制C、01000111BD、01001000BB、符号位数码化了的二进制数码D、八进制数2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。1、稳压二极

9、管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F）状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（B）、（C）、（E）。A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（E）偏置电阻。A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5

10、、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流Ieq近似等于单管集电极电流Icq（B）倍。A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。A、U-U+B、I-I+OC、U0=UiD、Au=15、TTL门电路中，哪个有效地解决了“线与”问题？哪个可以实现“总线”结构？答：TTL门电路中，OC门有效地解决了“线与”问题，三态门可以实现“总线”结构。1、N型半导体中的多子是带负电的自

11、由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是

12、集电极。二极管R=8)，当u<Ei3、图1-29所示电路中，已知E=5V，U=lOsintV，i为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻试画出u0的波形。答：分析：根据电路可知，当u>E时，二极管导通u0=u，iOiu/V时，二极管截止时，u=E。所以u0的波形图如下图所示：5、图1-34所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。答：(a)图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V；(b) 图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；(c) 图：两稳压管反向串联，U0=8.7V；

13、(d) 图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U°=0.7V。图1-3O7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。2、已知NPN型三极管的输入一输出特性曲线如图1-32所示，当（1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？（2）IB=50gA,Uce=5V,IC=?（3）Uce=6V，Ube从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的0二？（9分）CEBEBC解：（1）由（a）曲线查得Ube=0.7V时，对应IB=3

14、0pA,由（b）曲线查得IC3.6mA；BEBC（a）输入特性曲线(V)（b）输出特性曲线(V)15图1-32（2）由（b）曲线可查得此时IC5mA；（3）由输入特性曲线可知，久口从0.7V变到0.75V的过程中，AIB30pA,由输出特性曲线BEB可知，AIca2.4mA，所以心2400/30心80。1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？（5分）答：RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。=1.5KQ,>70o1、如图2-23所示分压式偏置放大电路中，已知RC=3.3KQ,RB,=40KQ,RB2=10KQ,ReCB1B2E图2-23检测题2-5-1电路图解

15、：静态工作点为：1. 用代数法化简下列逻辑函数(门分)(1)F=(AB)CAB=ABCF=A.C十+BCj4C+S、总F4-斗AEC4-AEC+且RC.AS十_A吕十BCF=貝忘十BCD+CD+ABC+ACD=AB+CD+BC142、用卡诺图化简下列逻辑函数(12分) F=rm(3?4?5J0JU2)+Z(1?2J3)=BC+BC+ABD F(ABCD)=ZN?(l?23:5?6J:8J2J3)=.4C+CD+AC®F=(A-.B.C.D二兀的0，1,乞7,&12訂4门5)=乙亘+曲疋万+后匸F=3.玖CaD)=,5,714.15)-d(3,9A2)=ad+BC+ABC+.4

16、CD久完成下列数制之间的转换(8分) (365)io=(1011011.01)2=(555)E=(16D)历 (11101.1)2=(29.5)lo=(35,4)g=(IDS)u (57.625)ia=(71.5)B=(39A)旺1、画出实现逻辑函数F=ABABC十貝C的逻辑电路=（5分）设计：本题逻辑函数式可化为最简式为F=AB+C,逻辑电路为A&2、图出所示是心、迩两输入端门的输入波形，试画出对应下列门的输出波形=(4分 与门 与非门 或非门 异或门与非门UNLT咸非门11异或门rm_rm解：对应输入波形，可画出各门的输出波形如右图红笔所示.试题一答案、填空（每空1分共40分）1、

17、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF1/F10、1+AFfH-L1+AF11共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy二、选择题（每空2分共30分）1、BCF2、CD3、BCE4、BE5、C6、A7、B8、A9、AB模拟电子技术模拟试题二一、填空题（每空1分共32分）1、P型半导体中空穴为（少数）载流子，自由电子为（多数）载流子。5、当温度升高时，三极管的等电极电流1（增加），发射结压降UBE（减小）。6、晶体三极管具有放大作用时，发

18、射结（正偏），集电结（反偏）。8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。10、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。11、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（调频），低频信号称为（调制）信号，高频信号称高频（高频载波）。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（V2U2）。二、选择题（每空2分共30分）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真，下半周失真时为（A）失真。A、

19、饱和B、截止C、交越D、频率5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（A）能力。A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）之间变化。A、020B、20200C、20010007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（C）UzA、0.45B、0.9C、1.29、对功率放大器的主要要求有（B）（C）（E）。A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（C）而来的。A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号试题二答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、导通

20、截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+卩14、正反馈15、M2U2二、选择题（每空2分共30分）1、A2、CE3、BA4、C5、A6、B7、C8、AB9、BCE10、C模拟电子技术模拟试题三一、填空题（每空1分，共15分）1. N型半导体中多数载流子是（自由电子），P型半导体中多数载流子是（空穴），PN结具有单向导电）特性。2. 发射结（正向）偏置，集电结（正向）偏置，则三极管处于饱和状态。3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（耗尽）型场效应

21、管，漏源之间不存在导电沟道的称为（增强）型场效应管。4. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在（线性放大）区，在比较器中工作在（线性）区。5. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入（串联）负反馈，为了降低输出电阻应引入（电压）负反馈。二、选择题（每题2分，共20分）1、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（B）。A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流2、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加0值将（B）。A、增加B、下降C、不变3、三极管的反向电流ICBO是由（B）组成的。A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（A）。A

22、、强B、弱C、一般5、射极跟随器具有（C）特点。A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高，输出电阻低8、工作在线性区的运算放大器应置于（A）状态。A、深度反馈B、开环C、闭环9、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C）。A、引入正反馈B、|AF|±1C、AF=110、测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用（C）。A、交流毫伏表B、直流电压表C、示波器、试题三答案一填空题1.自由电子空穴单向导电2.正向正向3.耗尽增强4.20465.0.11.996.线性放大非线性7,串联电压二选择题1.b）；2.b）；3.b）；4.a）；5.c）；6.c）；7.a）

23、；8a）；9.C）；10.c）；模拟电子技术模拟试题四一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（多数）载流子，空穴为（少数）载流子的杂质半导体称为（N型）半导体。2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（导通），反偏时（截止）。3、扩展运动形成的电流是（正向）电流，漂移运动形成的电流是（反向）。4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成开断。6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（增加），电流放大系数0（增加）。7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。为了稳定输出电流，采用（电流）负反馈。8、负反馈使放大电路

24、增益（下降），但（提高）增益稳定性。10、差模信号是大小（相等），极性（相反），差分电路不抑制（温度）漂移。12、用低频信号去改变高频信号的（幅度）称为调幅，高频信号称为（载波）信号。13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（下降）共基极电路比共射极电路的高频特性（好），fa=（1+0）fp。二、选择题（每空2分，共30分）2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（C），该管是（E）型。A（E、B、C）B（B、C、E）C（B、E、C）D（PNP）E（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时

25、为（A）失真。A饱和B截止C交越D频率6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）变化。A0-20B20-200C200-1000试题四答案一、填空（每空1分共32分)1、多数少数2、导通截止3、正向反向4、零无穷大5、gmugs电压6、增加增加7、串联电流8、下降提高9、(1+AF)Xf/Xo反馈系数10、相等相反温度11、乙类交越12、幅度载波13、下降好1+014、AF=1相位平衡条件15、M2U2二、选择题(每空2分共34分)1、A2、CE3、BA4、C5、A6、B7、C8、AB9、BCE10、C模拟电子技术模拟试题五一、判断下列说法是否正确，用“X”或“丿”表示判断结

26、果。(10分)1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡(X)2引入直流负反馈可以稳定静态工作点(V)3负反馈越深，电路的性能越稳定(X)4零点漂移就是静态工作点的漂移(V)5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻(V)6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同(V)7半导体中的空穴带正电(V)8P型半导体带正电，N型半导体带负电。(X)9实现运算电路不一定非引入负反馈(X)10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入A、D；为了展宽频带，应在放大电路中引入C。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（

27、D）交流负反馈（3）集成运放的互补输出级采用B。（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCBuB（B）A)B)<(C)=(D)W32（7）锗二极管的正向导通压降比硅二极管的BA)大B)小C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。答：二极管截止u0=-6v四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位（V）0.76.23电极名称

28、BEE0610EBC533.7CCB材料SiGeSi类型NPNPNPNPN试题五答案一、（1）X(2)U(3)X(4)V(5)V（6）V(7)U(8)X(9)X(10)X二、（1）A、D(2)C(3)B(4)B(5)B、C（6）B、B(7)B三、二极管D截止,-6V四、管号T1T2T3管号T1T2T3管脚0.76.23电极BEE电位0610EBC(V)533.7名称CCB材料S.1GeS.I类型NPNPNPNPN模拟电子技术模拟试题六一、选择题（每空2分共30分）5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（A）能力。A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低二、填空题

29、（每空1分，共32分）2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为（正偏）反之称为（反偏）4、稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏置状态。5、晶体三极管的集电极电流Ic=（B）lb,所以它是（电流）控制元件。6、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（增加）所以Ic也（也增加）。8、负反馈使放大电路增益（下降）,但它可以（扩展）通频带（减少）失真。11、OCL电路是（双）电源互补功放,OTL是（单）电源互补功放。试题六答案一、选择题（每空2分共30分）1、A2、CE3、B6、B7、C8、A二、填空每空1分共32分）1、多数少数2、正偏反偏3、少数温度无关4

30、、反向正向5、B电流6、增加也增加7、直流电压串联8、扩展减少9、Xf/Xo1+AF10、共模差模11、双单12、调相调制载波13、下降好14、AF=1正15、M2U2、选择4、C9、B5、A10、C模拟电子技术模拟试题七题（每空2分，共34分）2、测某电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是C），该管是（D）。A（E、C、B）B（C、B、E）C（B、C、E）D（PNP）E（NPN）二、填空题（每空1分，共32分）。）。3、扩展运动形成的电流是（正向）电流，漂移运动形成的电流是（反向6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（增加）,电流放大系数0（增加8、负反馈使

31、放大电路增益（下降），但（提高）增益稳定性。10、差模信号是大小（相等），极性（相反），差分电路不抑制（度）漂移。试题七答案一、选择题（每空2分共34分)1、A2、CD3、B6、B7、C8、A二、填空题（每空1分共32分)1、多数少数2、导通截止3、正向反向4、零无穷大5、gmugs电压6、增加增加7、串联电流8、下降提高9、(1+AF)Xf/Xo反馈系数10、相等相反温度11、乙类交越12、幅度载波13、下降好1+014、AF=1相位平衡条件15、M2U2B9、B4、C5、B10、C模拟电子技术模拟试题八一、选择题（每空2分，共30分）2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12

32、V则三极管的三个电极分别是（C），该管是（E）型。A（E、B、C）B（B、C、E）C（B、E、C）D（PNP）E（NPN）5、KmcR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（A）能力。A放大差模抑制共模B输入电阻高C输出电阻低二、填空题：（每空1分共40分）5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻大），输出电阻（小）等特点，所以常用在

33、输入级，输出级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。试题八答案一、选择题（每空2分共30分）1、A2、cE3、BA4、c5、A6、B7、c8、AB9、BcE10、c二、填空（每空1分共40分）1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF1/F10、1+AFfH-L1+AF11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy模拟电子技术模拟试题九一、判断下列说法是否正确，用“X”或“

34、V”表示判断结果。(10分)X)V)1)在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。2)电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。3)使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。X)4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。X)5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。(V)6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。V)(7)未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。(X)(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区(V)(9)只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡(X)(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路(V)二、选择填空10分)(1)为了

35、减小输出电阻，应在放大电路中引入B为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入C(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈(3) 通用型集成运放的输入级多采用D。(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法(4) 两个0相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为B。(A)0(B)02(C)20(D)1+0(5) 在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是B既能放大电流，又能放大电压的电路是(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路6)当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCAABuEA)>(B)<(C)=(D)W(7)

36、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的A。(A)大(B)小(C)相等三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。答：二极管D导通，-3V试题十答案一、(1)X(2)V(3)X(4)V(5)V(6)V(7)X(8)V(9)X(10)V二、(1)B、C(2)B(3)D(4)B(5)B、C(6)A、A(7)A三、二极管D导通，-3VVUBR'四、I=CCBEQ；I二BI；U二VIR；A=L；BQRCQBQCEQCCCQCurBbeR二R/r；R=R；增大；减小；减小；减小iBbe0C模拟电子技术模拟试题十一一、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极

37、管，稳压时工作在(B)状态，但其两端电压必须(C)，它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于(F)状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A)。A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流Ieq近似等于单管集电极电流Icq（B）倍。A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。A、U-U+B、I-I+OC、U0=UiD、Au=1二、填空题（每空1分共32分）1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。3、反向电流是由（少数）

38、载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。5、当温度升高时，三极管的等电极电流1（增加），发射结压降UBE（减小）。6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（V2U2）。试题十一答案一、选择题（每空2分共30分）1、BCF2、CD3、BCE4、BE5、C6、A7、B8、A9、AB二、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4

39、、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+卩14、正反馈15、M2U2模拟电子技术模拟试题十二一、填空题（20分，每空1分）2. 在有源滤波器中，运算放大器工作在线性区；在滞回比较器中，运算放大器工作在非线性区。3. 在三极管多级放大电路中，已知A1=20A2=-10A3=1,则可知其接法分123别为：A1是共基放大器，A2是共射放大器，A3是共集1u2u3放大器。二、基本题：（每题5分，共25分）1. （5分）如图所示电路中D为理想元件，已知u.=5sinetV，试对应u画出u的iio波形图。5205込10题二、1图2（5分）测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。试题十二答案1电流、正向、反向；电压。2线性、非线性。3. 共基、共射、共集。Aod-4. 差模、共模、Aoc。5低通、200、200。V2CC6乙类、0、2R