场效应管参数解释(精)

1、场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件1. 概念：场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET简称场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件特点：具有输入电阻高（iooooooooiooooooooo吐噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者作用：场效应管可应用于放大由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电

2、容器场效应管可以用作电子开关场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2. 场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型（MOS两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类见下图：3. 场效应管的主要参数:Idss饱和漏源电流是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的

3、漏源电流Up夹断电压是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压Ut开启电压是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压gM跨导是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值gM是衡量场效应管放大能力的重要参数BVDS漏源击穿电压是指栅源电压UGS定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余IDSM最大漏源电流.是一项极限参数

4、,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数,外电路参数di/dt-电流上升率（外电路参数dv/dt-电压上升率（外电路参数ID-漏极电流（直流IDM-漏极脉冲电流ID（on-通态漏极电流IDQ-静态漏极电流（射频功率管IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流IDSS-栅-源短路时,漏极电流IDS（sat-沟道饱和电流（漏源饱和电流IG-栅极电流（直流IGF-正向栅电流IG

5、R-反向栅电流IGDO-源极开路时,截止栅电流IGSO-漏极开路时,截止栅电流IGM-栅极脉冲电流IGP-栅极峰值电流IF-二极管正向电流IGSS-漏极短路时截止栅电流IDSS1-对管第一管漏源饱和电流IDSS2-对管第二管漏源饱和电流Iu-衬底电流Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数gfs-正向跨导Gp-功率增益Gps-共源极中和高频功率增益GpG-共栅极中和高频功率增益GPD-共漏极中和高频功率增益ggd-栅漏电导gds-漏源电导K-失调电压温度系数Ku-传输系数L-负载电感（外电路参数LD-漏极电感Ls-源极电感rDS-漏源电阻rDS(on-漏源通态电阻rDS(of-漏源断态电阻rGD-栅漏

6、电阻rGS-栅源电阻Rg-栅极外接电阻(外电路参数RL-负载电阻(外电路参数R(thjc-结壳热阻R(thja-结环热阻PD-漏极耗散功率PDM-漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率POUT-输出功率PPK-脉冲功率峰值(外电路参数to(on-开通延迟时间td(off-关断延迟时间ti-上升时间ton-开通时间toff-关断时间tf-下降时间trr-反向恢复时间Tj-结温Tjm-最大允许结温Ta-环境温度Tc-管壳温度Tstg-贮成温度VDS-漏源电压（直流VGS-栅源电压（直流VGSF-正向栅源电压（直流VGSR-反向栅源电压（直流VDD-漏极（直流电源电压（外电路参数VGG-栅极（直流电源

7、电压（外电路参数Vss-源极（直流电源电压（外电路参数VGS（th-开启电压或阀电压V（BRDSS-漏源击穿电压V（BRGSS-漏源短路时栅源击穿电压VDS（on-漏源通态电压VDS（sat-漏源饱和电压VGD-栅漏电压（直流Vsu-源衬底电压（直流VDu-漏衬底电压（直流VGu-栅衬底电压（直流Zo-驱动源内阻n-漏极效率（射频功率管Vn-噪声电压aID-漏极电流温度系数ards-漏源电阻温度系数4. 结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至Rxlk档，用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极，另外两电

8、极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大,则为N沟道；若两次测得的阻值都很小,则为P沟道判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极5. 场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管；而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但是各极可以近似对应以便于理解和设计:晶体管:基极

9、发射极集电极场效应管:栅极源极漏极要注意的是,晶体管（NPN型设计发射极电位比基极电位低（约0.6V,场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。1、结型场效

10、应管（JFET（1结构原理它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED定时，如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽,ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。（2特性曲线1转移

11、特性图2（a给出了N沟道结型场效应管的栅压-漏流特性曲线，称为转移特性曲线,它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=O时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时，ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP表示，在OVGSVP的区段内,ID与VGS的关系可近似表示为：ID=IDSS（1-|VGS/VP|其跨导gm为:gm=（AID/AVGSIVDS=常微（微欧I式中：ID-漏极电流增量（微安VGS栅源电压增量（伏图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2（b给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。可变电阻区（图中I区）在I区里VDS

12、比较小，沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随VDS近似线性增大，当VGS<VP时，漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=O时，漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS>IVPI时，漏极电流，IP达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系，故又称线性放大区。击穿区（图中III区）如果VDS继续增加，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大，若不

13、加限制措施，管子就会烧坏。2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=O时也有较大的漏极电流ID。当栅

14、极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。（2）特性曲线1）转移特性（栅压-漏流特性）图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流。图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr为开启电压，当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加。2）漏极特性（输出特性）图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管

15、的输出特性曲线。图5（b为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效应管的主要参数1、夹断电压VP当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。2、饱和漏电流IDSS在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。3、击穿电压BVDS表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的V

16、DS。4、直流输入电阻RGS在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm=ID/AVGS它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安®A/V）或毫安（mA/V）来表示-MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor）