第七讲固体光致发光-能带理论-柴

1、 西安邮电大学西安邮电大学固体光致发光原理固体光致发光原理晶体材料的研究目的晶体材料的研究目的v 固体发光的能级、能级间的跃迁是非常根本的概念，它是量子固体发光的能级、能级间的跃迁是非常根本的概念，它是量子论的结果，也是发光学中贯穿一切的主线。论的结果，也是发光学中贯穿一切的主线。v 固体发光现象非常丰富，在不同激发方式或不同应用上，有各固体发光现象非常丰富，在不同激发方式或不同应用上，有各自不同的表现。自不同的表现。v 发光器件的制作方法及条件也是种类繁多，随应用场合有很大发光器件的制作方法及条件也是种类繁多，随应用场合有很大差别。差别。v 各类器件所依据的发光现象之所以能实现，或者比较明显

2、，是各类器件所依据的发光现象之所以能实现，或者比较明显，是靠好材料的发现和研制。正如：靠好材料的发现和研制。正如：“做材料的人离不开材料，做器做材料的人离不开材料，做器件的人更离不开材料。件的人更离不开材料。”v 晶体材料是研究工作的理想对象，应用也非常广泛。晶体材料是研究工作的理想对象，应用也非常广泛。1.发光材料的形态发光材料的形态v晶体晶体v非晶非晶v纳米晶纳米晶v薄膜薄膜 理想晶体是由许多质点（包括理想晶体是由许多质点（包括原子、离子、分子或原子群等）在原子、离子、分子或原子群等）在三维空间作有规则排列而成的固体三维空间作有规则排列而成的固体物质。晶体的外形具有一定的对称物质。晶体的外

3、形具有一定的对称性，反映了晶体粒子在内部的规则性，反映了晶体粒子在内部的规则排列。排列。 晶体包括单晶和多晶。晶体包括单晶和多晶。单晶：整个晶格是连续的。单晶：整个晶格是连续的。多晶：由大量小单晶颗粒组成的集体。多晶：由大量小单晶颗粒组成的集体。每个小晶粒的尺寸为微米量级，呈现每个小晶粒的尺寸为微米量级，呈现出粉末状态，如荧光粉。出粉末状态，如荧光粉。晶体材料具有高的发光效率，是发光材料的主要形态。晶体材料具有高的发光效率，是发光材料的主要形态。u晶体晶体1.发光材料的形态发光材料的形态v 非晶：组成物质的原子或离子排列不具有周期性，如玻璃，有时非晶：组成物质的原子或离子排列不具有周期性，如玻

4、璃，有时称作无定形材料。称作无定形材料。v 非晶中质点的分布类似液体，所以非晶质体也可被认为是过冷液非晶中质点的分布类似液体，所以非晶质体也可被认为是过冷液体，因此严格说来只有晶体才是固体。体，因此严格说来只有晶体才是固体。v 晶体与非晶的不同点在于晶体的内部质点排列是有规律的，长程晶体与非晶的不同点在于晶体的内部质点排列是有规律的，长程有序，具有固定熔点，而非晶内部质点排列是无规律，长程无序有序，具有固定熔点，而非晶内部质点排列是无规律，长程无序但一般短程有序，没有固定熔点。但一般短程有序，没有固定熔点。 非晶材料由于缺陷较多，往往发光强度受到一定限制，但有非晶材料由于缺陷较多，往往发光强度

5、受到一定限制，但有些材料非晶态的制备比生长单晶容易和廉价，也被用作发光材料，些材料非晶态的制备比生长单晶容易和廉价，也被用作发光材料，例如玻璃闪烁体。例如玻璃闪烁体。u非晶非晶1.发光材料的形态发光材料的形态v 颗粒尺度小于颗粒尺度小于100nm的晶粒组成的发光材料。的晶粒组成的发光材料。 与多晶材料（尺度微米量级）相比，其尺度更小。与多晶材料（尺度微米量级）相比，其尺度更小。v 颗粒尺度的减小，具有更大的比表面积，表现出较为明显颗粒尺度的减小，具有更大的比表面积，表现出较为明显的量子限制效应，对于提高发光强度，调节发光波长具有的量子限制效应，对于提高发光强度，调节发光波长具有特殊作用。特殊作

6、用。v 纳米晶可以单独存在，也可以掺入玻璃材料中，形成纳米纳米晶可以单独存在，也可以掺入玻璃材料中，形成纳米晶玻璃。晶玻璃。u纳米晶纳米晶1.发光材料的形态发光材料的形态v 在合适的衬底上镀上发光材料，可以制备出发光薄膜。这在合适的衬底上镀上发光材料，可以制备出发光薄膜。这层发光材料的形态可以是单晶、多晶甚至是非晶。层发光材料的形态可以是单晶、多晶甚至是非晶。v 某些应用场合需要采取薄膜的形态。某些应用场合需要采取薄膜的形态。u薄膜薄膜1.发光材料的形态发光材料的形态2.2.晶体结构晶体结构 （1）空间点阵）空间点阵 在讨论晶体结构的周期性时，一在讨论晶体结构的周期性时，一般假设晶体是无限的。

7、般假设晶体是无限的。 基元：构成晶体的基本结构单元称基元：构成晶体的基本结构单元称为基元。为基元。 基元可以是单个原子或基元可以是单个原子或离子，也可以是若干原子的基团。离子，也可以是若干原子的基团。 每个基元的组成、位形和取向每个基元的组成、位形和取向都相同。例如在都相同。例如在NaCl中中, 一个基元一个基元包含一个包含一个NaCl分子；而在金刚石分子；而在金刚石中中, 一个基元包含两个不同的一个基元包含两个不同的C原原子。子。 2. 晶体结构晶体结构 格点、点阵和布拉维格子格点、点阵和布拉维格子 为讨论晶体结构时的方便，常把晶体中一个基元抽象为为讨论晶体结构时的方便，常把晶体中一个基元抽

8、象为一个几何点，一个几何点， 这些代表着晶体结构中相同位置的几何点称这些代表着晶体结构中相同位置的几何点称为格点。格点的位置可选在基元的重心，为格点。格点的位置可选在基元的重心， 也可选在基元中也可选在基元中相同的原子中心。相同的原子中心。 晶体内部结构可以概括为是由格点在空晶体内部结构可以概括为是由格点在空间有规则地作周期性的无限分布。格点的总体称为空间点阵。间有规则地作周期性的无限分布。格点的总体称为空间点阵。 通过点阵可以作许多平行的直线族和平面族，把点阵分成一通过点阵可以作许多平行的直线族和平面族，把点阵分成一些网格，些网格， 这种网格称为布拉维格子。这种网格称为布拉维格子。 2. 晶

9、体结构晶体结构 布拉维点阵和晶系布拉维点阵和晶系 法国晶体学家布拉维（法国晶体学家布拉维（Bravais）经过研究，选取的晶胞经过研究，选取的晶胞有有14种，称为布拉维点阵。晶胞的形状和大小用相交于某一种，称为布拉维点阵。晶胞的形状和大小用相交于某一定点的三条棱边上的点阵周期定点的三条棱边上的点阵周期a、b、c以及它们之间的夹角以及它们之间的夹角、来表示。一般以来表示。一般以b、c之间的夹角为之间的夹角为，a、c之间的夹角为之间的夹角为，a、b之间的夹角为之间的夹角为。a、b、c和和、称为点阵常数或称为点阵常数或晶格常数。根据点阵常数将晶体点阵分为晶格常数。根据点阵常数将晶体点阵分为7个晶系，

10、每个晶系个晶系，每个晶系有几种点阵类型。有几种点阵类型。7个晶系和个晶系和14种晶格（点阵）种晶格（点阵）v 立方立方11v 四方四方v 斜方斜方v 六方六方v 单斜单斜v 三斜三斜v 三方三方 晶体结构的周期性晶体结构的周期性 晶体结构晶体结构=空间点阵空间点阵+基元，即整个晶体结构可看作是基元，即整个晶体结构可看作是由基元沿空间三个不同方向由基元沿空间三个不同方向, 各按一定的距离周期性地平移各按一定的距离周期性地平移而构成。每一平移距离称为一个周期。在不同的方向上周而构成。每一平移距离称为一个周期。在不同的方向上周期一般不同期一般不同. 光电子技术系光电工程专业光电子技术系光电工程专业1

11、22. 晶体结构晶体结构光电子技术系光电工程专业光电子技术系光电工程专业13143. 晶体缺陷晶体缺陷l理想晶体理想晶体内在结构完全内在结构完全 规则的固体规则的固体l实际晶体实际晶体固体中或多或少固体中或多或少 地存在不规则性，在规则排列地存在不规则性，在规则排列的背景中尚存在微量不规则性的的背景中尚存在微量不规则性的晶体。晶体。缺陷理缺陷理论论理想与实际理想与实际1 1）缺陷的分类）缺陷的分类 点缺陷点缺陷线缺陷线缺陷面缺陷面缺陷体缺陷体缺陷微缺陷微缺陷 在无机发光材料中，对发光性能起重要作用的是掺杂如晶在无机发光材料中，对发光性能起重要作用的是掺杂如晶体基质的稀土元素或者过渡金属元素，即

12、晶体中的点缺陷。体基质的稀土元素或者过渡金属元素，即晶体中的点缺陷。 3. 晶体缺陷晶体缺陷按晶体缺陷的几何构型分：按晶体缺陷的几何构型分：u点缺陷的名称点缺陷的名称 根据点缺陷相对于理想晶格根据点缺陷相对于理想晶格位置的偏差状态，点缺陷具有不同位置的偏差状态，点缺陷具有不同的名称：的名称：空位：空位：正常格点位置出现的原子正常格点位置出现的原子或离子空缺；或离子空缺；杂质原子（离子）：杂质原子（离子）：晶体组分以晶体组分以外的原子进入晶格中，即为杂质。外的原子进入晶格中，即为杂质。杂质原子可以取代晶体中正常格点杂质原子可以取代晶体中正常格点位置上的原子（离子），称为位置上的原子（离子），称为

13、杂质杂质原子（离子）原子（离子）；也可进入正常格点；也可进入正常格点位置之间的间隙位置，称为位置之间的间隙位置，称为间隙原间隙原子（离子）子（离子）。 3. 晶体缺陷晶体缺陷 空位空位 间隙原子间隙原子 杂质杂质原子原子u点缺陷类型点缺陷类型 热缺陷（本征缺陷）热缺陷（本征缺陷） 杂质缺陷（非本征缺陷）杂质缺陷（非本征缺陷） 非化学计量结构缺陷（非整比化合物）非化学计量结构缺陷（非整比化合物） 3. 晶体缺陷晶体缺陷一、热缺陷的定义一、热缺陷的定义 当晶体的温度高于绝对零度时，晶格内原子吸收能量，在其当晶体的温度高于绝对零度时，晶格内原子吸收能量，在其平衡位置附近热振动。温度越高，热振动幅度加

14、大，原子的平均平衡位置附近热振动。温度越高，热振动幅度加大，原子的平均动能随之增加。热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能量，动能随之增加。热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能量，挣脱周围质点的作用，离开平衡位置，进入到晶格内的其它位置，挣脱周围质点的作用，离开平衡位置，进入到晶格内的其它位置，而在原来的位置处产生而在原来的位置处产生1个空位。个空位。 这种由于晶体内部质点热运动而形成的点缺陷称为热缺陷。这种由于晶体内部质点热运动而形成的点缺陷称为热缺陷。热缺陷（本征缺陷）热缺陷（本征缺陷） 按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置，热缺陷以此按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置，热缺陷

15、以此分为两类：分为两类：弗伦克尔缺陷（弗伦克尔缺陷（FrenkelFrenkel） 离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置，晶体中形成了弗伦离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置，晶体中形成了弗伦克尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现，晶体克尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现，晶体体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产生密度变化。体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产生密度变化。肖特基缺陷（肖特基缺陷（SchottkySchottky） 离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置，而晶体离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置，而晶体内仅留有空位，晶体中

16、形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原内仅留有空位，晶体中形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原子层，晶体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀，子层，晶体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀，密度下降。密度下降。二、热缺陷的类型二、热缺陷的类型热缺陷（本征缺陷）热缺陷（本征缺陷） v 外来原子进入主晶格（即原有晶体点阵）而产生的结构为杂质缺陷。外来原子进入主晶格（即原有晶体点阵）而产生的结构为杂质缺陷。 v 点缺陷杂质原子无论进入晶格间隙的位置或取代主晶格原子，都必须点缺陷杂质原子无论进入晶格间隙的位置或取代主晶格原子，都必须在晶格中随机分布，不形成特定的结构。杂质原子在主

17、晶格中的分布在晶格中随机分布，不形成特定的结构。杂质原子在主晶格中的分布可以比喻成溶质在溶剂中的分散，称之为固溶体。可以比喻成溶质在溶剂中的分散，称之为固溶体。 v 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量，而与温度无晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量，而与温度无关，这是杂质缺陷形成（非本征缺陷）与热缺陷形成（本征缺陷）的关，这是杂质缺陷形成（非本征缺陷）与热缺陷形成（本征缺陷）的重要区别。重要区别。 杂质缺陷杂质缺陷非化学计量结构缺陷（非整比化合物）非化学计量结构缺陷（非整比化合物）v原子或离子晶体化合物中，可以不遵守化合物的整数比或化学计量原子或离子晶体化合物中，可以

18、不遵守化合物的整数比或化学计量关系的准则，即同一种物质的组成可以在一定范围内变动。相应的关系的准则，即同一种物质的组成可以在一定范围内变动。相应的结构称为非化学计量结构缺陷，也称为非化学计量化合物。非化学结构称为非化学计量结构缺陷，也称为非化学计量化合物。非化学计量结构缺陷中存在的多价态元素保持了化合物的电价平衡。计量结构缺陷中存在的多价态元素保持了化合物的电价平衡。 v非化学计量结构缺陷的形成：非化学计量结构缺陷的形成： 组成中有多价态元素组分，如过渡金属氧化物；组成中有多价态元素组分，如过渡金属氧化物； 环境气氛和压力的变化。环境气氛和压力的变化。晶体与掺杂晶体与掺杂v 对对于多晶材料，首

19、先要纯度高，但是有时纯度高也还不行，还要于多晶材料，首先要纯度高，但是有时纯度高也还不行，还要进行掺杂，杂质分为进行掺杂，杂质分为 激活剂激活剂-作发光中心作发光中心 共激活剂共激活剂-加强激活剂的作用加强激活剂的作用 敏化剂敏化剂-吸收能量后，再把能量传递给激活剂吸收能量后，再把能量传递给激活剂 猝灭剂猝灭剂-从发光中心抢走能量的有害杂质从发光中心抢走能量的有害杂质 惰性杂质惰性杂质-既无益也无害的杂质。既无益也无害的杂质。v 掺杂的目的掺杂的目的 为了获得某种发光颜色为了获得某种发光颜色 改变材料的电导方式改变材料的电导方式 固体发光机理固体发光机理 晶体材料都呈现一定规律的周期排列，内部

20、原子存在较强的晶体材料都呈现一定规律的周期排列，内部原子存在较强的相互作用，导致原子能级的变化，许多相近能级构成能带。某些相互作用，导致原子能级的变化，许多相近能级构成能带。某些无机物所以具有发光性能是与合成过程中化合物无机物所以具有发光性能是与合成过程中化合物( 发光材料基质发光材料基质) 晶格里产生的结构缺陷和杂质缺陷有关，这些缺陷局部地破坏了晶格里产生的结构缺陷和杂质缺陷有关，这些缺陷局部地破坏了晶体内部的规则排列，从而形成缺陷能级。当外部光源照射时，晶体内部的规则排列，从而形成缺陷能级。当外部光源照射时， 电子就会在各种能级间跃迁，从而产生发光现象。电子就会在各种能级间跃迁，从而产生发

21、光现象。激活发光与杂质激活发光与杂质v 在高温下，向基质晶格中掺入另一种元素的离子或原子时，会出现杂在高温下，向基质晶格中掺入另一种元素的离子或原子时，会出现杂质缺陷，由这种缺陷引起的发光叫激活发光，而激活杂质叫激活剂。质缺陷，由这种缺陷引起的发光叫激活发光，而激活杂质叫激活剂。v 实际上，相当多重要的发光材料大多都是激活型的，即有实际上，相当多重要的发光材料大多都是激活型的，即有选择性地在选择性地在基质中掺入微量杂质的发光材料。基质中掺入微量杂质的发光材料。v 这些杂质大多都充当发光中心（有些用来改变发光体的导电类型。）这些杂质大多都充当发光中心（有些用来改变发光体的导电类型。）v 所以，发

22、光中心的概念和激活剂是相联系的。所以，发光中心的概念和激活剂是相联系的。v 掺杂到基质晶格中的激活剂的价态、在晶格中的位置（晶格离子的置掺杂到基质晶格中的激活剂的价态、在晶格中的位置（晶格离子的置换、点阵的位置）、激活剂周围的情况、是否有共激活剂，所有换、点阵的位置）、激活剂周围的情况、是否有共激活剂，所有这些这些都都决定了发光中心的结构和它的性质。决定了发光中心的结构和它的性质。发光材料的构成发光材料的构成基质：基质：某种绝缘体或半导体材料，某种绝缘体或半导体材料，形成基本的能带结构。对于激发能量形成基本的能带结构。对于激发能量的吸收起到主要作用。的吸收起到主要作用。激活剂：激活剂：掺杂进入

23、基质的某种离子掺杂进入基质的某种离子或基团，通常是高效的发光中心，例或基团，通常是高效的发光中心，例如稀土离子，过渡族金属离子等。激如稀土离子，过渡族金属离子等。激活剂可以在基质形成的能带结构的禁活剂可以在基质形成的能带结构的禁带中形成孤立的能级系统，通过这些带中形成孤立的能级系统，通过这些能级产生发光所需的基态和激发态。能级产生发光所需的基态和激发态。敏化剂：敏化剂：掺杂进入基质的某种离子，掺杂进入基质的某种离子，起到能量传递作用，使能量从吸收处起到能量传递作用，使能量从吸收处传递到发光中心。传递到发光中心。发光材料的构成主要有以下三种形式：发光材料的构成主要有以下三种形式：1.由多晶或单晶

24、形态的基质材料和激活剂（发光中心）组成，由多晶或单晶形态的基质材料和激活剂（发光中心）组成，也可能加入起到能量传递作用的敏化剂；也可能加入起到能量传递作用的敏化剂；2.只有基质材料，利用某种本征缺陷做为发光中心；只有基质材料，利用某种本征缺陷做为发光中心；3.只有基质材料，利用本征激子态或带边电子态产生发光。只有基质材料，利用本征激子态或带边电子态产生发光。发光材料的构成发光材料的构成发光材料的要求发光材料的要求 发光材料发光材料把某种形式的激发能量转化为光能。把某种形式的激发能量转化为光能。 因此对于一个有效的发光材料，应具备如下要求：因此对于一个有效的发光材料，应具备如下要求：1.能够有效

25、地吸收激发能量；能够有效地吸收激发能量；2.能够把吸收的激发能量有效地传递给发光中心；能够把吸收的激发能量有效地传递给发光中心；3.发光中心具有高的辐射跃迁效率。发光中心具有高的辐射跃迁效率。发光材料对激发能的吸收发光材料对激发能的吸收1、激发能量小于材料带隙、激发能量小于材料带隙 （E ex E g ）：）： 基质吸收激发能量，电子基质吸收激发能量，电子从价带被激发到导带，导带出从价带被激发到导带，导带出现自由电子，价带留下空穴；现自由电子，价带留下空穴；被激发的自由电子被激发的自由电子-空穴对弛豫空穴对弛豫到发光中心，使得发光中心被到发光中心，使得发光中心被激发；随后产生发光。激发；随后产

26、生发光。发光材料对激发能的吸收发光材料对激发能的吸收3、激发能量远大于材料带隙（、激发能量远大于材料带隙（ E ex E g ） 此种吸收对应高能射线激发、高能粒子激发或电子束激发。此种吸收对应高能射线激发、高能粒子激发或电子束激发。 基质材料吸收高能光子或高能粒子，产生次级电子，次级电基质材料吸收高能光子或高能粒子，产生次级电子，次级电子再次产生次级电子，直到能量逐步降低到略大于带隙的能量，子再次产生次级电子，直到能量逐步降低到略大于带隙的能量，在通过能量传递和弛豫过程激发发光中心，实现发光。在通过能量传递和弛豫过程激发发光中心，实现发光。发光材料对激发能的吸收发光材料对激发能的吸收发光的实

27、质发光的实质发光过程发光过程稀土族元素能级图稀土族元素能级图发光过程发光过程发光中心发光中心分立中心分立中心复合中心复合中心（激活剂）（激活剂） 被激发的发光中心内的电子虽然获得了跃迁至激被激发的发光中心内的电子虽然获得了跃迁至激发态的能量，但并未离开发光中心，迟早它会释放出发态的能量，但并未离开发光中心，迟早它会释放出激发能，回到基态而发出光来。激发能，回到基态而发出光来。分立中心尽管在晶体分立中心尽管在晶体中，但是发光光过程全部局限在中心内部。中，但是发光光过程全部局限在中心内部。 复合中心上的电子被激发后可离化到导带，也就复合中心上的电子被激发后可离化到导带，也就是把电子送到中心以外，参

28、与到整个晶体的电子群中。是把电子送到中心以外，参与到整个晶体的电子群中。但是它们在导带内不会停留很久，很快会和离化中心但是它们在导带内不会停留很久，很快会和离化中心复合，或者被禁带中由于杂质缺陷形成的陷阱俘获。复合，或者被禁带中由于杂质缺陷形成的陷阱俘获。 光致发光过程及机理光致发光过程及机理光致发光过程光致发光过程 当外部光源如紫外光、可见光甚至激光照射到光致发光材料时，当外部光源如紫外光、可见光甚至激光照射到光致发光材料时，发光材料就会发射出如可见光、紫外光等，实际上光致发光材料的发发光材料就会发射出如可见光、紫外光等，实际上光致发光材料的发光过程比较复杂，一般可以分为能量的吸收，能量传递

29、，辐射能量回光过程比较复杂，一般可以分为能量的吸收，能量传递，辐射能量回到基态等过程，即：到基态等过程，即：（1 1）基质晶格或激活剂（或称发光中心）吸收激活能。）基质晶格或激活剂（或称发光中心）吸收激活能。（2 2）基质晶格将吸收的激发能传递给激活剂。）基质晶格将吸收的激发能传递给激活剂。（3 3）被激活的激活剂发出荧光而返回基态，同时伴随有部）被激活的激活剂发出荧光而返回基态，同时伴随有部 分非发光跃迁，能量以热的形式散发。分非发光跃迁，能量以热的形式散发。 光致发光光致发光v 光致发光是用光激发发光体引起光致发光是用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、的发光现象。它大致经过吸收、

30、能量传递及光发射三个阶段。能量传递及光发射三个阶段。v 光的光的吸收及吸收及发射发射都发生于能级之都发生于能级之间的跃迁，都经过激发态。而间的跃迁，都经过激发态。而能能量传递量传递则是由于激发态的运动。则是由于激发态的运动。 光致发光过程及机理光致发光过程及机理A激发激发发射发射非发光跃迁非发光跃迁荧光粉的光致发光过程 A 激活剂SA能量传递能量传递激发激发发射发射能量从敏化剂向激活剂传递的发光过程 A 激活剂；S 敏化剂 光致发光过程及机理光致发光过程及机理 同基质晶格中的同一发光中心的发光性能通常是不同的, 导致不同基质晶格内同一发光中心不同发光性能的首要因素是共价性, 共价性增加, 则电

31、子之间的相互作用减少, 这是由于它们铺展到更宽的轨道上。因为电子互作用决定能级间的能量差, 所以随共价性增加, 能级间的电子跃迁向低能方向移动, 即称为电子云扩张效应。 辐射吸收不一定必须发生在掺杂的发光中心本身, 也可以发生在基质晶格中, 可以将发生在基质内的吸收跃迁简单分为2类: 产生自由电荷载流子( 电子和空穴) 的和不产生自由电荷载流子的吸收跃迁。 光致发光过程光致发光过程- -光吸收的过程光吸收的过程 能量传递过程是发光材料中极其重要的过程，在很大程度上影响着发光的效率，甚至决定材料是否发光。能量传递：处于激发态的中心，除了我们前面提到的通过辐射跃迁（光发射）和无辐射跃迁（猝灭）回到

32、基态外，还可能把能量传给别的中心。这个过程我们称之为能量传递。40 光致发光过程光致发光过程- -能量传递能量传递1 1、S S首先被激发进入激发态首先被激发进入激发态S S* *2 2、随后把能量传递给、随后把能量传递给A A，使，使A A进入激发态进入激发态A A* *，同时，同时S S* *回到基态回到基态S S3 3、处于激发态的中心、处于激发态的中心A A* *回到基态有两种可能的方式：回到基态有两种可能的方式： 通过辐射跃迁（发光）的方式回到基态，通过辐射跃迁（发光）的方式回到基态，-S-S叫做叫做A A的敏化剂；的敏化剂； 通过无辐射跃迁（猝灭）的方式回到基态，通过无辐射跃迁（猝

33、灭）的方式回到基态，-A-A做做S S的猝灭剂。的猝灭剂。41 光致发光过程光致发光过程- -能量传递能量传递 光致发光过程光致发光过程- -能量传递能量传递半导体中的能量传递半导体中的能量传递 光致发光过程光致发光过程- -能量传递能量传递 晶体材料呈现一定规律的周期性，内部原子存在较强的相互作晶体材料呈现一定规律的周期性，内部原子存在较强的相互作用，导致原子能级的变化，许多相近能级构成能带。某些无机物所用，导致原子能级的变化，许多相近能级构成能带。某些无机物所以具有发光性能是与合成过程化合物（发光材料基质）晶格里产生以具有发光性能是与合成过程化合物（发光材料基质）晶格里产生的结构缺陷和杂质

34、缺陷有关，这些缺陷局部地破坏了晶体内部的规的结构缺陷和杂质缺陷有关，这些缺陷局部地破坏了晶体内部的规则排列，从而形成缺陷能级。当外界光源照射时，电子就会在各种则排列，从而形成缺陷能级。当外界光源照射时，电子就会在各种能级间跃迁，从而产生发光现象。能级间跃迁，从而产生发光现象。（1）由于发光材料基质的热歧化作用出现的结构缺陷所引起的发）由于发光材料基质的热歧化作用出现的结构缺陷所引起的发光叫非激活发光，这种发光不需要掺加激活杂质。光叫非激活发光，这种发光不需要掺加激活杂质。（2）在高温下向基质晶格中掺入另一种元素的离子或原子时会出）在高温下向基质晶格中掺入另一种元素的离子或原子时会出现杂质缺陷，

35、由这种缺陷引起的发光叫激活发光，而激活杂质叫现杂质缺陷，由这种缺陷引起的发光叫激活发光，而激活杂质叫做激活剂。做激活剂。 发光的能带理论发光的能带理论 紫外光能量可以直接被发光材料的发光中心吸收（激活剂或杂质紫外光能量可以直接被发光材料的发光中心吸收（激活剂或杂质吸收），也可以被发光材料的基质所吸收（本征吸收）。吸收），也可以被发光材料的基质所吸收（本征吸收）。第一种情况下第一种情况下，吸收或伴有激活剂的电子壳层内的电子向较高能级吸收或伴有激活剂的电子壳层内的电子向较高能级的跃迁，或电子与激活剂完全脱离及激活剂跃迁到离化态（形成的跃迁，或电子与激活剂完全脱离及激活剂跃迁到离化态（形成“空穴空穴

36、”）；）；第二种情况下第二种情况下，基质吸收能量时，在基质中形成空穴和电子，空穴基质吸收能量时，在基质中形成空穴和电子，空穴可能沿着晶格移动，并被束缚在各个发光中心上。可能沿着晶格移动，并被束缚在各个发光中心上。 辐射是由于电子返回较低能态或电子与空穴复合所致。某些材辐射是由于电子返回较低能态或电子与空穴复合所致。某些材料的发光只与发光中心的电子跃迁有关，这种发光材料叫做料的发光只与发光中心的电子跃迁有关，这种发光材料叫做“特征特征型型”发光材料，过渡元素和稀土金属离子都是这种发光材料的激活发光材料，过渡元素和稀土金属离子都是这种发光材料的激活剂。剂。 发光的能带理论发光的能带理论价价 带带导

37、导 带带1234567A1A2A3半导体型发光材料的能带图半导体型发光材料的能带图A1 基态基态A2 激发态激发态A3 缺陷态缺陷态应用之一：能带理论解释半导体型发光材料的发光机理应用之一：能带理论解释半导体型发光材料的发光机理 发光的能带理论发光的能带理论A1A2价带价带导带导带辐射辐射普勒纳和威廉斯的能带图普勒纳和威廉斯的能带图应用之二：施主受主模型应用之二：施主受主模型 解释半导体型发光材料的发光机理解释半导体型发光材料的发光机理 发光的能带理论发光的能带理论应用之三：能带模型应用之三：能带模型 解释余辉现象解释余辉现象余辉：激发停止后，光发射还余辉：激发停止后，光发射还能维持一定的时间

38、。这个时间需能维持一定的时间。这个时间需要比发光衰减时间长很多。要比发光衰减时间长很多。例如：夜光材料例如：夜光材料起源：部分被激发的载流子被起源：部分被激发的载流子被材料中的材料中的，在一定的温，在一定的温度下，陷阱中载流子被热激发逐度下，陷阱中载流子被热激发逐渐释放到连续带，参与发光。渐释放到连续带，参与发光。 发光的能带理论发光的能带理论应用之四：能带模型应用之四：能带模型 解释热释发光现象解释热释发光现象被俘获的载流子，在热的作用下，产生的发光。被俘获的载流子，在热的作用下，产生的发光。产生条件：产生条件：l 事先激发事先激发l 有适当的陷阱（电子陷阱，空穴陷阱）有适当的陷阱（电子陷阱

39、，空穴陷阱）l 有适当的发光中心有适当的发光中心 发光的能带理论发光的能带理论应用之四：能带模型应用之四：能带模型 解释热释发光现象解释热释发光现象热释发光：热释发光：部分发光材料具有在较低温度下被激发部分发光材料具有在较低温度下被激发, 激发停止后激发停止后, 发光很快消失发光很快消失, 当温度升高时当温度升高时, 其发光强其发光强度又逐渐增强的发光特性。度又逐渐增强的发光特性。 发光的能带理论发光的能带理论应用之四：能带模型应用之四：能带模型 解释热释发光现象解释热释发光现象波长积分强度波长积分强度波长，温度波长，温度三维热释光谱三维热释光谱 发光的能带理论发光的能带理论 导带价带能隙能隙

40、 （禁带（禁带）我们先讨论纯净物质对光的吸收。我们先讨论纯净物质对光的吸收。 基础吸收或固有吸收基础吸收或固有吸收 固体中电固体中电子的能带结构，绝缘体和半导体的能子的能带结构，绝缘体和半导体的能带结构如图所示，其中价带相当于阴带结构如图所示，其中价带相当于阴离子的价电子层，完全被电子填满。离子的价电子层，完全被电子填满。导带和价带之间存在一定宽度的能隙导带和价带之间存在一定宽度的能隙（禁带），在能隙中不能存在电子的（禁带），在能隙中不能存在电子的能级。这样，在固体受到光辐射时，能级。这样，在固体受到光辐射时，如果辐射光子的能量不足以使电子由如果辐射光子的能量不足以使电子由价带跃迁至导带，那么

41、晶体就不会激价带跃迁至导带，那么晶体就不会激发，也不会发生对光的吸收。发，也不会发生对光的吸收。 固体光吸收的本质固体光吸收的本质半导体的光吸收和光导电现象半导体的光吸收和光导电现象 1.1.本征半导体的光吸收本征半导体的光吸收 本征半导体的电子能带结构与绝缘体类似，全部电子充填在价带，且为全满，而导带中没有电子，只是价带和导带之间的能隙较小，约为1ev。在极低温度下，电气全部处在价带中，不会沿任何方向运动，是绝缘体，其光学性质也和前述的绝缘体一样。当温度升高，一些电子可能获得充分的能量而跨过能隙，跃迁到原本空的导带中。这时价带中出现空能级，导带中出现电子，如果外加电场就会产生导电现象。因此，室温下半导体材料的禁带宽度决定材料的性质。本征半导体的光吸收和发光，一般说来都源于电子跨越能隙的跃迁，即直接跃迁。价带中的电子吸收一定波长的可见光或近红外光可以相互脱离而自行漂移，并参与导电，即产生所谓光导电现象光导电现象。当导带中的一个电子与价带中的一个空穴复合时，就会发射出可见光的光子，这就是所谓光光致发光现象致发光现象。 固体光吸收的本质固体光吸收的本质 2. 2. 非本征半导体的光吸收非本征半导体的光吸收 掺入半导体的杂质有三类：施主杂质、受主杂质和等电子杂质。这些杂质的能级定域在能隙中，就构成了图5.3所示的各种光吸收跃迁方式。等电子杂质的存在可能成为电子和空穴复合