二极管和三极管知识点复习总结

1、第14章二极管和三极管知识点复习总结二极管：概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。5、P型半导体：在纯净半导体掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。6、N型半导体：在纯净半导体掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。7、PN结

2、具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏）,PN结正向导通,P接负、N接正时（称反偏）,PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。8、二极管按材料分有硅管（Si管）和错管（Ge管），9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压:Si管约0.5V,Ge管约为0.1V。其导通压降:Si管约0.7V,Ge管约为0.2V。这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的：加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V,）加反向电压时截止，相当断开。加反

3、向电压并击穿（即满足U>UZ）时便稳压为UZ。10、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。三极管：一、概念1、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。三个区：发射区一一掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。基区一一掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。集电区一一掺杂浓度较高，但面积最大，具作用是收集发射区发射的电子。两个结：集电区一一基区形成的PN结。叫集电结。（JC）基区一一发射区形成的PN结。叫发射结。（Je）三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C（或用a、b、c）对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流I

4、E、集电极电流IC。并有：IE=IB+IC2、三极管也有硅管和错管，型号有NPN®和PNP®。3、三极管的输入电压电流用UBE、IB表示，输出电压电流用UCEIC表示。即基极发射极间的电压为输入电压UBE,集电极发射间的电压为输出电压UCE三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数（3=IC/IB（或IC=（3IB）和开关作用.4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性）与二极管正向特性很相似，也有：死区电压：硅管名勺为0.5V,错管约为0.1V。导通压降：硅管名为0.7V,错管约为0.2V。（这两组数也是判材料的依据）5、三极管的输出特性（指输出电压UCE与输出电流I

5、C的关系特性）有三个区：饱和区：特点是UCEv0.3V,无放大作用，C-E间相当闭合.其偏置条件JC,Je都正偏.截止区：特点是UBE三0,IB=0,IC=0,无放大.C-E间相当断开.其偏置条件JC,Je都反偏.放大区：特点是UBE大于死区电压，UCE>1V,IC=（3IB.其偏置条件Je正偏JC反偏.所以三极管有三种工作状态，即饱和状态，截止状态和放大状态，作放大用时应工作在放大状态，作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、当输入信号Ii很微弱时，三极管可用H参数模型代替（也叫微变电路等效电路）7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是：先画出直流通路（方法是将电容开路，信号源短路，剩下的部分就是直流通路）,求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数AU输入输出电阻RI和R。图解法：是在输入回路求出IB后，在输入特性作直线，得到工作点Q,读出相应的IBQ、UBEQ而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线，得到工作点Q,读出相应的ICQ、UCEQ加入待放大信号ui从输入输出特性曲线可观察输入输出波形，。若工作点Q点设得合适,（在放大区）则波形就不会发生失真。8、失真有三种情况：截止失真：原因是IB、IC太小,Q点过低，使输出波形后半周（正半周）失真。消除办法是调小RB,以增大IB、IC,使Q点上移。饱