晶原生产工艺流程、设备及真空泵

1、IC产业可分为设备业、设计业、加工业和支撑业（包括硅晶圆、各种化学试剂、气体、引线框架等）。IC加工业本身按其顺序可分为光掩膜业、制造业（包括IDM#真式和Foundry#模式）、封装业和测试业。IC制造流程见图一。LED晶片生崖流程圜：晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长-晶棒裁切与检测-外径研磨-切片-圆边-表层研磨-蚀刻-去疵-抛光-清洗-检验-包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（MeltDown）:

2、将块状的高纯度复晶硅置于石英培锅内，加热到其熔点1420°C以上,使其完全融化。2）、颈部成长（NeckGrowth）:待硅融浆的温度稳定之后，将1.0.0方向的品种慢慢插入其中，接着将品种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mmfc右），维持此直径并拉长100-200mm以消除品种内的晶粒排列取向差异。3）、品冠成长（CrownGrowth）:颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12时等）。4）、晶体成长（BodyGrowth）:不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。5)、尾部成长(Tail

3、Growth)：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。2、晶棒裁切与检测(Cutting&Inspection)：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。3、外径研磨(SurfaceGrinding&Shaping)：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外因柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4、切片(WireSawSlicing)：由于硅的硬度非

4、常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5、圆边(EdgeProfiling)：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。6、研磨(Lapping)：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。7、蚀刻(Etching)：以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。8、去疵(Gettering):用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利

5、于后序加工。9、抛光(Polishing)：对晶片的边缘和表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得极佳的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工10、清洗(Cleaning)：将加工完成的晶片进行最后的彻底清洗、风干11、检验(Inspection)：进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。12、包装(Packing)：将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。芯片生产工艺流程：芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe

6、)、构装工序(Packaging)、测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序，而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等)，其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一

7、般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多

8、插脚或引线的矩形小块)。4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。晶圆生产工艺流程介绍：表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapord

9、eposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。(1)常压CVD(NormalPressureCVD)(2)低压CVD(LowPressureCVD)(3)热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)(4)电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)(5)MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)(6)外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(prebake)(3)曝光(4)显影(5)后烘(postbake)(6)腐蚀(etching)(7)光刻胶的去除5、此处用干法氧

10、化法将氮化硅去除6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱9、退火处理，然后用HF去除SiO2层10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2,并重新生成品质更好的SiO2薄膜，作为栅极氧化层。14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极

11、结构，并氧化生成SiO2保护层。15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入神(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、镀第一层金属(1) 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。(2) 真空蒸发法(EvaporationDeposition)(3) 溅镀(SputteringDeposition)19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出P

12、AD位置21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性干式机械真空泵的应用是广泛的，主要有以下几个方面：1）低压化学气相沉积中的多晶硅制备工艺中；2）半导体刻蚀工艺。在这些生产工艺中往往用到或生成腐蚀性气体和研磨微粒；3）除半导体工艺外的某些产生微粒的工艺，不希望微粒混入泵油中，而希望微粒排出泵外，则用一定型式的干式机械真空泵可以满足要求；4）在化学工业、医药工业、食品工业中的蒸储、干燥、脱泡、包装等，要防止有机溶剂造成污染，适合用干式真空泵；5）用做一般无油清洁真空系统的前级泵，以防止油污染。Edwards的iGX干式泵具有能耗低的特点，能够应用于大量中小功率的设备，包括：真

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