ICP刻蚀工艺要点

1、ICP考试题库，选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ） RPMA20000B32000C40000D180002、北微ICP本底真空和漏率指标为（A）时，设备能够正常工作A00.1mT2.5mT2mT/minC0.3-0.5mT0.5mT2.5mT/min3、NMC刻蚀机当前SRF时间为（C）时，要求对设备进行开腔清洁A50HB100HC200HD2000H4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程（ABC）A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDE

2、ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程（ABCD ）A.用DI水浸泡石英托盘20minB.用DI水冲洗一遍C.用n2吹干D.用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程（ABC ）A.用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B.用手轻轻地取出石英盖C.用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤（ABC ）A.用小起子将铝盖轻轻翘开B.移开铝板C.用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里二，填空题。1 .蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S2 .蚀刻时一般设置氯气的压力是4Torr当实际压力超过5

3、.2Torr会报警氦漏3 .NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM4 .在NMC工作中氮气的作用是 吹扫腔体 氦气的作用时 冷却晶片（托盘）氧气的作用 是 清洁腔室 三氯化硼的作用是 蚀刻晶片5 . 1 Torr =133 P a6 .清洗晶片时丙酮的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗丙酮7 .曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方，负胶未被光照地方，光刻胶被显影液反应掉1.1 CP的清洁没有做好会造成晶片 死区盲区 等缺陷9 .造成马赛克的因素有 晶片的平整度,匀胶的均匀性，曝光台的清洁度10 .NMC机台连续工作 5 小时需要做Dryclean11 .每周五检查冷冻机冷冻液剩

4、余情况，低于第一个金属环时应添力0异丙醇12 .当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作13 .作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14 .实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15 .实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放16 .每蚀刻完一个RUN，抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员17 .拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差18 .每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站19 .蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过L2mm2的不能蚀刻，收集 到返

5、工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20 .每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产， 负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止 三，判断题：1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷 ( X )2, Corial冷冻机里面装的是ACE ( X )3, ICP石英托盘用ACE清洁 ( X )4,真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固 ( V )5,每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室 ( V )6,操作员可更改ICP生产程序 ( X ) 四，问答题：1 .在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原

6、因。 答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀 前没有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶 片上。边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等 碰到晶片。2 . NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但 是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？答:点击手动模式再点击托盘同步，在“设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存 在，机械手臂为托盘存在托盘1,2,3,4,5的位置都设置为托盘

7、不存在然后点击“与系统 记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘， 这样就可以进行接下来的操作了。3 .什么叫做选择比？如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um,要刻出高度约为1.55um的产品， 那么理想的选择比应该是多少？答：选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。要刻出高度为1.55um 的晶片理想的选择比应该是0.62以上选择比=1.55/2.5=0.624 .下图是一张简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。参数Stable1Etch1Stable2Etch2Stabl e3Etch 3flowPressure(mTorr)

8、33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060PenvlvPositionDelayTime0000001000SRFReflectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoint40404040404040答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W)上电极

9、加载功率，BRFPower下电极加载功率，HeliumPressure(Torr)氯气压力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量， Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV 摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极 反射功率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。5 .简述CORIAL ICP作业流程图6 .简述CORIAL ICP装片工艺步骤1 .装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；2 .用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖；3 .将密封圈均匀内陷于铝板小槽中；4 .石

10、英托盘背面朝上，用真空吸笔吸取晶片背面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平边 对准托盘平边；5 .将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；6 .装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰 到晶片表面。7 .简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图9.简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程A.用DI水浸泡石英托盘20min；B.用DI水冲洗一遍；C.用N2吹干；D.用IPA擦拭；E.用真空硅脂涂抹真空密封圈。10.简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入1玳692其6状态，选择Sequence ” Vent Reactor” ；B

11、.点击Load Sequence显示步骤，再点击Run Sequence；C.等待Sequence结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打开 反应室；D.拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上 IPA擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清 洁完后，按照图示安装石英细管；E.用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；F. 在1玳692其6状态，选择sequence “Reset Current Run Counter” ，将 Current Run Counter 清零，Reset Counter自动加 1；G

12、.结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击EXITmode退出maintenance mode,，等机台进入vacuum ready状态，拧紧反应室上的螺丝.。11 .简述ELEDE ICP作业流程图12 .简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程A.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）；B.用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图），以边缘均匀盖住 密封圈为准（除平边），如左下图（不含石英盖）所示；C.放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封 圈为准（除平边），如右下图（含石英盖）所示；D.拧上螺丝（注意不拧紧，避

13、免衣袖、手套碰到晶片表面）；E.用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检查；F.检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；G.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；H.将装载托盘轻放至片盒上。13 .简述ELEDE ICP蚀刻作业操作1，打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒;2,点击 配方，打开工艺配方，检查所选配方的工艺参数；3，点击片盒配方，打开所选的片盒配方；若没有要选择的配方，则新建一个；4，点击主界面，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击 开始工艺；5，待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下

14、晶片；14 .简述ELEDE ICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图15 .简述ELEDE ICP清洗反应室作业流程图16 .简述ELEDE ICP螺丝清洗标准作业流程A.把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min ；B.用N2把螺丝吹干17.简述ELEDE ICP清洗反应室方法及步骤A.进入维护/工艺模块，在腔室操作中点击吹扫，至少吹扫100次；B.吹扫完毕后，点击吹大气，进行腔室破真空动作；C.按照正确的流程打开反应室；D.移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；E.先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不 到残余物的颜色为止

15、；F.按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是真空测量孔；G.手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针；H.用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面；I.按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环等）；J.安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；K.关闭反应室；L.恢复反应室状态18 .简述SLR ICP作业流程图19 .简述SLR ICP装晶片标准操作流程A:用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；B:判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔 分别为左右两孔；C:用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位置；D:把螺丝放在盖子的小孔里；E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，小心地放在底盘上；F:用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对 均匀地稍微拧紧；G:用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。20 .简述S