半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管PPT学习教案

1、会计学1半导体二极管和三极管半导体二极管和半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管三极管第1页/共43页第2页/共43页14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第3页/共43页共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子第4页/共43页 Si Si Si Si价电子价电子这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴自由电子自由电子第5页/共43页第6页/共43页 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子动画动画第7页/共43页 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴动画

2、动画第8页/共43页第9页/共43页多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差 扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 +动画动画形成空间电荷区形成空间电荷区第10页/共43页PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接接负负 外电场外电场IF内电场内电场PN+动画动画+第11页/共43页动画动画+第12页/共43页 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IR动画动画+第13页/共43页第14页/共43页阴极

3、引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型图图 1 12 半导体二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号 阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D第15页/共43页反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+第16页/共43页第17页/共43页第18页/共43页定性分析：定性分析：判断二极管的工作状

4、态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的，若二极管是理想的，第19页/共43页例例1：D6V12V3k BAUAB+第20页/共43页例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+第21页/共43页V sin18itu t 动画动画第22页/共43页UZIZIZM UZ IZ_+UIO第23页/共43页ZZ ZIUr第24页/共43页第25页/共43页NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC第26页/共43页第27页/共43页EEBRBRC第28页/共43页第29页/共43页BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO第30页/共43页ICIBBE

5、CNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有，有忽略忽略第31页/共43页 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。，是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线第32页/共43页共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+第33页/共43页常数常数 CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO第34页/共43页IB=020 A40 A60 A80 A100 A常数常数 B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区第35页/共43页O第36页/共43页 BCII_ BCII 第37页/共43页53704051BC.II 400400605132BC .II 第3