电路板表面处理化金ppt课件

1、電路板表面處理化化 學學 鎳鎳 / /金金 製製 程程 簡介簡介Electroless Nickel/Immersion GoldElectroless Nickel/Immersion Gold化學化學Ni/Au Ni/Au 板主要應用板主要應用攜帶式電話呼叫器計算機電子字典電子記事本記憶卡筆記型PC掌上型PC(PDA)掌上型遊戲機PC介面卡IC卡ENIG(Electroless NicKle Immersion Gold) SWOTENIG(Electroless NicKle Immersion Gold) SWOT分析分析 優勢優勢(Strenngth) 劣勢劣勢(Weakness)

2、可 Wire Bonding. 表面平整 fine pitch( Cu Pd) Pd)上一層鈀上一層鈀, ,以作為化學鎳以作為化學鎳 反反 應之觸媒應之觸媒 反應反應 陽極反應陽極反應 Cu Cu2+ + 2 e - (E0 = - Cu Cu2+ + 2 e - (E0 = -0.34V)0.34V) 陰極反應陰極反應 Pd2+ + 2 e - Pd (E0 = Pd2+ + 2 e - Pd (E0 = 0.98V)0.98V) 全反應全反應 Cu + Pd2+ Cu2+ + Pd Cu + Pd2+ Cu2+ + Pd化鎳 作用: 在活化後的銅面鍍上一層Ni/P合金, 作為阻 絕金與銅之

3、間的遷移Migration或擴散 （Diffusion的障蔽層. 電化學理論電化學理論 H2PO2 H2O HPO32 2H+ 2e 次磷酸根氧化釋放電子(陽極反應) Ni2 2e Ni 鎳離子得到電子還原成金屬鎳(陰極反應) 2 H+ 2 e H2 氫離子得到電子還原成氫氣(陰極反應) H2PO2 e P2 OH 次磷酸根得到電子析出磷(陰極反應) 總反應式: Ni2 H2PO2 H2O H2PO32 H+ NiPdPdNi-P Grain Ni-P Grain 沉積沉積CuPd2+CuCuCu2+1. 活化活化2. Ni/P 沉積沉積3. Ni/P 持續生長持續生長Ni-P浸鍍金 作用作用

4、 (1) (1) 提供提供Au(CN)2 Au(CN)2 錯離子來源錯離子來源,.,.在鎳面置換在鎳面置換 ( (離子化趨勢離子化趨勢 Ni Au) Ni Au)沉積出金層沉積出金層 (2) (2) 防止鎳表面產生鈍態並與溶出的防止鎳表面產生鈍態並與溶出的Ni2+ Ni2+ 結合成結合成錯錯 離子離子. . (3) (3) 抑制金屬污染物抑制金屬污染物( (減少游離態的減少游離態的Ni2+, Cu2+ Ni2+, Cu2+ 等等). ). 反應反應 陽極反應陽極反應Ni Ni2+ + 2 e- (E0 = 0.25V)Ni Ni2+ + 2 e- (E0 = 0.25V) 陰極反應陰極反應Au(CN)2- + e- Au + 2 CN- (E0 Au(CN)2- + e- Au + 2 CN- (E0 = 0.6V)= 0.6V) Ni + Au(CN)2- Ni2+ + Au + 2 CN- Ni + Au(CN)2- Ni2+ + Au + 2 CN-置換金反應置換金反應離子化趨勢 Ni Au NiNi Ni