无机材料科学烧结学习教案

1、无机无机(wj)材料科学烧结材料科学烧结第一页，共79页。烧结的目的(md):粉体转化成致密体第1页/共79页第二页，共79页。第2页/共79页第三页，共79页。第3页/共79页第四页，共79页。第4页/共79页第五页，共79页。第5页/共79页第六页，共79页。显微结构材料性能 烧结 应用领域应用领域: 陶瓷、耐火材料陶瓷、耐火材料(nihucilio)、粉沫冶金、超高温材料、粉沫冶金、超高温材料 现代无机材料现代无机材料 第6页/共79页第七页，共79页。显微结构显微结构晶粒尺寸晶粒尺寸分布分布气孔气孔(qkng)尺寸尺寸分布分布晶界体积晶界体积分数分数多晶多相(du xin)材料的显微结

2、构第7页/共79页第八页，共79页。显微结构影响材料显微结构影响材料(cilio)性质：性质：断裂强度断裂强度G G 晶粒尺寸晶粒尺寸(ch cun)(ch cun)G 强度强度(qingd) 应力集中点应力集中点 强强 度度 散散 射射透明度透明度) G ( f 21-=s 气孔气孔 晶粒晶粒显微结构显微结构第8页/共79页第九页，共79页。 主要内容主要内容 1 1、烧结推动力及模型、烧结推动力及模型 2 2、固相烧结和液相烧结过程中的四种、固相烧结和液相烧结过程中的四种(s zhn)(s zhn)基本传质基本传质 产生的原因、条件、特点和动力学方程。产生的原因、条件、特点和动力学方程。

3、3 3、烧结过程中晶粒生长与二次再结晶的控制。、烧结过程中晶粒生长与二次再结晶的控制。 4 4、影响烧结的因素。、影响烧结的因素。第9页/共79页第十页，共79页。收缩收缩a收缩收缩b收缩收缩无气孔的无气孔的多晶体多晶体c说明：说明：a: 颗粒聚集颗粒聚集b: 开口堆积体中颗开口堆积体中颗 粒中心逼近粒中心逼近(bjn)c: 封闭堆积体中颗封闭堆积体中颗 粒中心逼近粒中心逼近(bjn)烧结烧结(shoji)现象示意图现象示意图10101 1 概述概述(i sh)(i sh)第10页/共79页第十一页，共79页。烧结烧结(shoji)过程中性质的过程中性质的变化：变化：第11页/共79页第十二页

4、，共79页。烧结与烧成烧结与烧成:物理变化物理变化(wlbinhu)/化学变化化学变化烧结与熔融烧结与熔融:液相液相烧结与固相反应烧结与固相反应:反应反应 与烧结有关与烧结有关(yugun)的一些概念的一些概念第12页/共79页第十三页，共79页。烧结烧结(shoji)过程推动力过程推动力 结论：由于烧结推动力与相变和化学反应的能量相比很结论：由于烧结推动力与相变和化学反应的能量相比很 小，因而小，因而(yn r)虽然能自发进行，必须加热虽然能自发进行，必须加热!u粉状物料的表面粉状物料的表面(biomin)能能 多晶烧结体的晶界能多晶烧结体的晶界能粉料烧结石英相变化学反应变化类型能量变化几焦

5、/克几千焦/克几百千焦/克第13页/共79页第十四页，共79页。SVGB 表表面面能能晶晶界界能能SV GB 离子化合物离子化合物Al2O3 : 两者差别两者差别(chbi)较大，易烧结；较大，易烧结； 共价化合物共价化合物Si3N4 : 两者差别两者差别(chbi)较小，难烧结。较小，难烧结。烧结难易程度烧结难易程度(chngd)的判据的判据愈小愈易烧结愈小愈易烧结(shoji)，反之难烧结，反之难烧结(shoji)。第14页/共79页第十五页，共79页。u颗粒堆积颗粒堆积(duj)后有很多细小气孔后有很多细小气孔, 弯曲表面产生压力差弯曲表面产生压力差/r2P 当当为为球球形形： )1r1

6、(P 21r 当当非非球球形形：粉料愈细，由曲率粉料愈细，由曲率(ql)而引起的烧结推动力愈大而引起的烧结推动力愈大!纳米粉体的优点纳米粉体的优点烧结烧结(shoji)过程推动力过程推动力第15页/共79页第十六页，共79页。四、烧结模型四、烧结模型 1945年以前：粉体压块年以前：粉体压块 颗粒形状颗粒形状(xngzhun)不一不一 颗粒大小不一颗粒大小不一 无法进行定量化研究无法进行定量化研究 颗粒在不同部位堆积密度不一颗粒在不同部位堆积密度不一 1945年后，年后，G.C.Kuczynski (库津斯基库津斯基)提出：双球模型提出：双球模型 等径球模型等径球模型:各处环境和几何条件完全相

7、同各处环境和几何条件完全相同 只要研究任意两个球之间变化只要研究任意两个球之间变化,代表了整个压块烧结过程代表了整个压块烧结过程 中的变化中的变化 第16页/共79页第十七页，共79页。中中心心距距不不变变中中心心距距缩缩短短rxVrxArx2/2/4322 = = = =rxVrxArx4/2/4/4322 = = = =rxVrxArx2/2/432 = = = =烧结模型(mxng):适用烧结初期球形颗粒第17页/共79页第十八页，共79页。10102 2 固态固态(gti)(gti)烧结烧结 对对 象：象： 单一单一(dny)粉体的粉体的烧结。烧结。主要传质主要传质(chun zh)方

8、式：方式：蒸发凝聚蒸发凝聚扩扩 散散塑塑 性性 流流 变变第18页/共79页第十九页，共79页。一、蒸发凝聚一、蒸发凝聚(nngj)传质传质适用范围：适用范围：高温高温(gown)下蒸汽压较大的系统。下蒸汽压较大的系统。硅酸盐材料不多见。硅酸盐材料不多见。 rxP 根据根据(gnj)开尔文公式：开尔文公式：)11(ln01xdRTMPP = = 传质原因传质原因：曲率差别产生：曲率差别产生 P条件条件：颗粒足够小，：颗粒足够小，r 10 m定量关系定量关系： P 第19页/共79页第二十页，共79页。根据烧结的模型根据烧结的模型(双球模型中心双球模型中心(zhngxn)距不变距不变)蒸发凝聚机

9、理蒸发凝聚机理(凝聚速率颈部体积增加凝聚速率颈部体积增加) 球形颗粒接触面积颈部生长速率关系式球形颗粒接触面积颈部生长速率关系式31323/122/32/302/3.)23(tdTRPMrx- -= = trx第20页/共79页第二十一页，共79页。x/r t1/3初期初期x/r 增大很快增大很快;时间延长，很快停止。时间延长，很快停止。温度温度(wnd) T 增加，有利于烧结。增加，有利于烧结。颗粒粒度颗粒粒度 愈小烧结速率愈大。愈小烧结速率愈大。烧结时颈部扩大，气孔形状改变，但双球之间中心距不变。烧结时颈部扩大，气孔形状改变，但双球之间中心距不变。31323/122/32/302/3)23

10、(tdTRPMrx-=因此坯体不发生收缩，密度不变。因此坯体不发生收缩，密度不变。此类传质此类传质(chun zh)不能靠延长时间达到烧结。不能靠延长时间达到烧结。第21页/共79页第二十二页，共79页。二、扩散传质二、扩散传质 对象：多数固体材料对象：多数固体材料(cilio)，由于其，由于其蒸汽压低。蒸汽压低。 (一一)、颈部应力模型、颈部应力模型(见书图见书图96) 第22页/共79页第二十三页，共79页。)1x1( s s s s ,x说明：颈部应力主要由说明：颈部应力主要由可以忽略不计。可以忽略不计。产生，产生，xF F(张应力张应力)2s s s s理理想想状状况况静压力静压力2s

11、 s实际实际(shj)状况状况颗粒尺寸、形状、堆积方式不同，颗粒尺寸、形状、堆积方式不同， 颈颈部形状不规则部形状不规则接触点局部产生剪应力接触点局部产生剪应力晶界滑移，颗粒重排晶界滑移，颗粒重排 密度密度(md)，气孔率，气孔率(但颗粒形状不变，气孔不可能完全消除。但颗粒形状不变，气孔不可能完全消除。)颈部颈部(jn b)应力应力第23页/共79页第二十四页，共79页。(二二)、颗粒中心靠近机理、颗粒中心靠近机理 中心距缩短，必有物质向气孔迁移，气孔作为空位源。中心距缩短，必有物质向气孔迁移，气孔作为空位源。 空位消失的部位：空位消失的部位： 自由表面自由表面(biomin)、晶界、位错。、

12、晶界、位错。 考查空位浓度变化。考查空位浓度变化。 第24页/共79页第二十五页，共79页。2s s s s有应力有应力(yngl)存在时空位形成所需的附加功存在时空位形成所需的附加功=-=s/tE(有张应力时有张应力时)=s/cE(有压应力有压应力(yngl)时时)空位形成空位形成(xngchng)能：能：无应力时：无应力时： EV EE )(VV=s：接触点压应力区 EE )(VV-=s：颈表面张应力区结论结论：张应力区空位形成能：张应力区空位形成能无应力区无应力区C0Cc 1C 2C 第27页/共79页第二十八页，共79页。 3、扩散、扩散(kusn)途径途径 ( 结论结论(jiln)：

13、 CtC0Cc 1C 2C )空位扩散：优先由颈表面空位扩散：优先由颈表面接触点；接触点； 其次由颈表面其次由颈表面内部内部(nib)扩散扩散原子扩散：与空位扩散方向相反，扩散终点：颈部。原子扩散：与空位扩散方向相反，扩散终点：颈部。第28页/共79页第二十九页，共79页。第29页/共79页第三十页，共79页。(三三)、扩散、扩散(kusn)传质的动力学关系传质的动力学关系 1、初期：表面扩散显著。、初期：表面扩散显著。 (因为表面扩散温度因为表面扩散温度900 0.01mol% 双球双球 扩散扩散 C=0 0.5mol% LS0 多多 LSW III 液相烧结液相烧结(shoji)(shoj

14、i)类类型型第40页/共79页第四十一页，共79页。二、流动传质二、流动传质 1、粘性流动、粘性流动(粘性蠕变粘性蠕变(r bin)传质传质) (1) 定义：定义：dv/dx剪应力剪应力f牛顿牛顿(ni dn)型型宾汉型宾汉型剪应力剪应力f塑流型塑流型s sdxdv/s=对比对比(dub)粘性蠕变粘性蠕变扩散传质扩散传质相同点相同点在应力作用下，由空位的在应力作用下，由空位的定向流动而引。定向流动而引。整排原子整排原子沿应力方向移动。沿应力方向移动。一个质点一个质点的迁移的迁移区别点区别点第41页/共79页第四十二页，共79页。2*/8KTdDs s = =(2) 粘性蠕变粘性蠕变(r bin

15、)速率速率 s s / = =*28/ DKTd 烧结烧结(shoji)宏观粘度系数宏观粘度系数一般一般(ybn)无机材料烧结时，宏观粘度系数的数量级为无机材料烧结时，宏观粘度系数的数量级为108109dpaS粘性蠕变传质粘性蠕变传质起决定作用的仅限于路程为起决定作用的仅限于路程为0.010.1 m量级的扩散，即通常量级的扩散，即通常限于晶界区域或位错区域限于晶界区域或位错区域。第42页/共79页第四十三页，共79页。初期动力学方程：初期动力学方程：(Frankel双球模型双球模型) 高温下粘性蠕变两个阶段高温下粘性蠕变两个阶段(jidun)：接触面增大，颗粒粘结直至气孔封闭接触面增大，颗粒粘

16、结直至气孔封闭封闭气孔粘性压紧，残留气孔缩小封闭气孔粘性压紧，残留气孔缩小(3) 有液相参与有液相参与(cny)的粘性蠕变的粘性蠕变第43页/共79页第四十四页，共79页。2s s s s颈部颈部(jn b)增长公式：增长公式：212121)23(trrx- -= = 由颗粒中心距逼近而引起由颗粒中心距逼近而引起(ynq)的收缩的收缩trLLVV 493= = = = 适适用用初初期期第44页/共79页第四十五页，共79页。麦肯基粘性流动坯体内的收缩麦肯基粘性流动坯体内的收缩(shu su)方程：方程：(近似法近似法)1(23 - -= =rdtd总结总结：影响粘性流动传质的：影响粘性流动传质

17、的三参数三参数)(Tr 适用适用(shyng)全过程全过程孤立孤立(gl)气孔气孔第45页/共79页第四十六页，共79页。实线实线：表示由式：表示由式)1(23 - -= =rdtd计算结果。计算结果。虚线虚线：表示由式：表示由式计算结果。计算结果。trLLVV 493= = = = 第46页/共79页第四十七页，共79页。2、塑性、塑性(sxng)流动流动(L少少)剪应力剪应力f塑流型塑流型s s)11ln(21)1(23 - - - -= =frrdtd (1)屈服值屈服值 f d/dt ； (2) f=0时，属粘性时，属粘性(zhn xn)流动，是牛顿型；流动，是牛顿型； (3) 当当

18、0， d/dt 0，此时即为终点密度；，此时即为终点密度； (4) 为达到致密烧结，应选择最小的为达到致密烧结，应选择最小的r、和较大的和较大的。第47页/共79页第四十八页，共79页。三、溶解沉淀三、溶解沉淀(chndin)传质传质 液相多液相多固相在液相内有显著的可溶性固相在液相内有显著的可溶性液体润湿固相液体润湿固相2、推动力、推动力:表面能表面能 颗粒颗粒(kl)之间形成的毛细管力。之间形成的毛细管力。r2VL = = P实验结果：实验结果：0.11m的颗粒中间充满硅酸盐液相，其的颗粒中间充满硅酸盐液相，其P = 1.2312.3MPa。 毛细管力造成毛细管力造成(zo chn)的烧结

19、推动力很大的烧结推动力很大!1、条件、条件第48页/共79页第四十九页，共79页。3、传质过程、传质过程 第一阶段：第一阶段：T ，出现足够量液相，固相颗粒在，出现足够量液相，固相颗粒在P 作用下重新作用下重新 排列，颗粒堆积排列，颗粒堆积(duj)更紧密；更紧密； 接触点处高的局部应力接触点处高的局部应力 塑性变形和蠕变塑性变形和蠕变(r bin) 颗粒进一步重排。颗粒进一步重排。第二阶段：第二阶段：颗粒颗粒(kl)被液相薄膜隔开形成被液相薄膜隔开形成“桥桥”第三阶段第三阶段：小颗粒接触点处被：小颗粒接触点处被溶解溶解液相传质液相传质较大颗粒或较大颗粒或自由表面自由表面沉积沉积晶粒长大晶粒长

20、大形状变化形状变化不断重排不断重排而致密化而致密化第四阶段：若第四阶段：若LS不完全润湿，形成固体骨架的再结晶和晶粒不完全润湿，形成固体骨架的再结晶和晶粒 长大。长大。第49页/共79页第五十页，共79页。A 第一阶段：颗粒第一阶段：颗粒(kl)重排重排线性收缩关系式：线性收缩关系式：x1t LL1+x：约大于：约大于1，因为烧结，因为烧结(shoji)进进 行，被包裹的小尺寸气孔减小，毛细管力行，被包裹的小尺寸气孔减小，毛细管力。液相数量决定重排对密度的影响。液相数量决定重排对密度的影响。 L少：颗粒重排但不足以消除少：颗粒重排但不足以消除(xioch)气孔；气孔； L多：颗粒重排并明显降低

21、气孔率。多：颗粒重排并明显降低气孔率。第50页/共79页第五十一页，共79页。3020100 10 20 30 40烧结时液相体积烧结时液相体积(%)总气孔率总气孔率(%)。固相液相的润湿(rn sh)程度不润湿(rn sh)润湿(rn sh)第51页/共79页第五十二页，共79页。B 第三阶段：第三阶段：根据根据(gnj)液相数量多少液相数量多少Kingery模型：颗粒在接触点溶解模型：颗粒在接触点溶解(rngji)到自由到自由 表面沉积。表面沉积。L S W 模型：小晶粒溶解模型：小晶粒溶解(rngji)到大晶粒处沉淀。到大晶粒处沉淀。原理原理(yunl)：接触点处和小晶粒的溶解度接触点处

22、和小晶粒的溶解度 自由表面或大颗粒自由表面或大颗粒 两个部位产生化学位梯度两个部位产生化学位梯度 物质迁移。物质迁移。第52页/共79页第五十三页，共79页。Kingery模型模型(mxng)：31343/100)(trRTVDCKrLLVL- -= = = = V C 00液相体积解度固相在液相中的溶液膜厚度中心距收缩的距离式中：当当T、r一定一定(ydng)：31KtLL= = 影响影响(yngxing)因素：因素：时间时间颗粒的起始粒度颗粒的起始粒度溶解度溶解度润湿性润湿性液相数量液相数量烧结温度。烧结温度。第53页/共79页第五十四页，共79页。例：例：MgO2wt%高岭土在高岭土在1

23、730下的烧结下的烧结(shoji)情况：情况：烧结烧结(shoji)前前MgO粒度粒度: A：3m B：1 m C：0.52 m-1.0-1.5-2.00.5 1.0 1.5L o g L / LLogt(min)CBAK=1,颗粒颗粒(kl)重排重排K=1/3，溶解溶解-沉淀沉淀K=0,近终点近终点第54页/共79页第五十五页，共79页。*四、各种传质四、各种传质(chun zh)机理互相影响机理互相影响某一种机理起主要作用某一种机理起主要作用几种机理同时几种机理同时(tngsh)出现出现外界条件的变化引起机理的变化外界条件的变化引起机理的变化 烧结时间烧结时间 烧结气氛烧结气氛第55页/

24、共79页第五十六页，共79页。10104 4 晶粒生长晶粒生长(shngzhng)(shngzhng)与二次再结晶与二次再结晶基本概念：基本概念： 晶粒生长晶粒生长(shngzhng) 初次再结晶初次再结晶 二次再结晶二次再结晶第56页/共79页第五十七页，共79页。一、晶粒生长一、晶粒生长 概念概念晶粒长大晶粒长大(chn d)不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结果；晶粒生长取决于晶界移动的速率。不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结果；晶粒生长取决于晶界移动的速率。第57页/共79页第五十八页，共79页。推动力：推动力：G差别使晶界向曲率差别使晶界向曲率(ql)中心移动；同时小晶粒长大，界面

25、能中心移动；同时小晶粒长大，界面能 晶界结构晶界结构(jigu)(A)及原子跃迁的能量变化及原子跃迁的能量变化第58页/共79页第五十九页，共79页。)(exp)11(*21RTHRSrrRTVNhRTv - - = = 晶界移动晶界移动(ydng)速率：速率： vTr T，则则，、rv第59页/共79页第六十页，共79页。2、晶粒长大、晶粒长大(chn d)的几何情况的几何情况界面能作用使晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列；界面能作用使晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列；边界表面能相同，界面夹角呈边界表面能相同，界面夹角呈120o夹角，晶粒呈正六边形；实际表面能不同，晶界有一定曲率，夹角

26、，晶粒呈正六边形；实际表面能不同，晶界有一定曲率， 使晶界向曲率中心移动。使晶界向曲率中心移动。晶界上杂质、气泡如果晶界上杂质、气泡如果(rgu)不与主晶相形成液相，则阻碍晶界移动。不与主晶相形成液相，则阻碍晶界移动。 120o第60页/共79页第六十一页，共79页。晶粒长大晶粒长大(chn d)定律定律DKdtdD= =KtDD= =- -202D0 :t=0时，晶粒平均时，晶粒平均(pngjn)尺寸尺寸当晶粒生长当晶粒生长(shngzhng)后期后期(理论理论)：DD021KtD = =21logtlogD= =作图，斜率作图，斜率由由直线斜率为直线斜率为1/21/3,且更接近于且更接近于

27、1/3。 原因原因：晶界移动晶界移动时时遇到杂质或气孔遇到杂质或气孔 而限制了晶粒的生长。而限制了晶粒的生长。第61页/共79页第六十二页，共79页。界面界面(jimin)通过夹杂物时形状变通过夹杂物时形状变化化第62页/共79页第六十三页，共79页。3、晶界移动、晶界移动(ydng) (1)移动移动(ydng)的七种方式的七种方式1气孔靠晶格扩散迁移气孔靠晶格扩散迁移2气孔靠表面扩散迁移气孔靠表面扩散迁移3气孔靠气相传递气孔靠气相传递(chund)4气孔靠晶格扩散聚合气孔靠晶格扩散聚合5气相靠晶界扩散聚合气相靠晶界扩散聚合6单相晶界本征迁移单相晶界本征迁移7存在杂质牵制晶界移动存在杂质牵制晶

28、界移动2675431晶界的移动方向晶界的移动方向气孔位于气孔位于晶界晶界上上移动移动(ydng)？阻碍？阻碍？影响因素影响因素： 晶界曲率；晶界曲率； 气孔直径、数量；气孔直径、数量； 气孔作为空位源向晶界扩散的速度气孔作为空位源向晶界扩散的速度 气孔内气体压力大小；气孔内气体压力大小； 包裹气孔的晶粒数。包裹气孔的晶粒数。第63页/共79页第六十四页，共79页。(A) Vb=0 (B) Vb = Vp (C) Vb Vp_Vb晶界移动速度晶界移动速度(sd)；Vp气孔移动速度气孔移动速度(sd)。不利于烧结体致密化。不利于烧结体致密化。晶界移动方向晶界移动方向气孔移动方向气孔移动方向初期初期

29、中、后期中、后期后期后期第64页/共79页第六十五页，共79页。后期后期(huq)：当：当Vp=Vb时时B：在晶界上产生少量：在晶界上产生少量(sholing)液相，液相， 可抑制晶粒长大。可抑制晶粒长大。A：要严格控制温度：要严格控制温度(wnd)温度太高易出现异常生长,晶界移动太快,气孔滞留在晶粒内难以排除第65页/共79页第六十六页，共79页。4、讨论：坯体理论密度与实际密度存在差异、讨论：坯体理论密度与实际密度存在差异(chy)的原因？的原因？气孔气孔(qkng)不能完全排除。不能完全排除。随烧结进行，随烧结进行，T升高，气孔逐渐缩小，升高，气孔逐渐缩小，气孔内压增大气孔内压增大(zn

30、 d)，当等于，当等于2/r时，烧结停止。时，烧结停止。但温度继续升高，引起膨胀，对烧结不利。但温度继续升高，引起膨胀，对烧结不利。解决措施解决措施气氛烧结、真空烧结、热压烧结等。气氛烧结、真空烧结、热压烧结等。第66页/共79页第六十七页，共79页。Zener理论理论(lln)fdDl d夹杂夹杂(jiz)物或气孔的平均直径物或气孔的平均直径f夹杂夹杂(jiz)物或气孔的体积分数物或气孔的体积分数Dl晶粒正常生长时的极限尺寸晶粒正常生长时的极限尺寸=lD d.,constf原因：相遇原因：相遇(xin y)几率几率 小。小。 初初 期期： f 很大，很大，D0 Dl，所以晶粒不会所以晶粒不会

31、长大；长大； 中中后期后期： f 下降下降，d 增大增大， Dl增大。增大。 当当D0 Dl，晶粒开始均匀生长。晶粒开始均匀生长。 一般一般 f=10% 时，晶粒停止生长。时，晶粒停止生长。晶粒长大是否无止境？晶粒长大是否无止境？第67页/共79页第六十八页，共79页。二、二次再结晶二、二次再结晶定义：定义： 当正常晶粒生长由于气孔等阻碍而停止时，在均匀基相中少数大晶粒在界面能作用下向邻近小晶粒曲率中心推进当正常晶粒生长由于气孔等阻碍而停止时，在均匀基相中少数大晶粒在界面能作用下向邻近小晶粒曲率中心推进(tujn)，而使大晶粒成为二次再结晶的核心，晶，而使大晶粒成为二次再结晶的核心，晶 粒迅速

32、长大。粒迅速长大。 推动力：大推动力：大小晶粒表面能的不同。小晶粒表面能的不同。 二次再结晶二次再结晶 晶粒长大晶粒长大 不均匀生长不均匀生长 均匀生长均匀生长不符合不符合Dl=d/f 符合符合Dl=d/f 气孔被晶粒包裹气孔被晶粒包裹(bogu) 气孔排除气孔排除界面上有应力界面上有应力 界面无应力界面无应力第68页/共79页第六十九页，共79页。晶粒异常晶粒异常(ychng)长大的原因长大的原因起始颗粒大小；起始颗粒大小；起始粒度不均匀；起始粒度不均匀；烧结温度偏高；烧结温度偏高；烧结速率烧结速率(sl)太快；太快；成型压力不均匀；成型压力不均匀；有局部不均匀液相。有局部不均匀液相。控制温

33、度控制温度(抑制晶界移动抑制晶界移动(ydng)速率速率)；起始粉料粒度细而均匀；起始粉料粒度细而均匀；加入少量晶界移动加入少量晶界移动(ydng)抑制剂。抑制剂。 3 6 10 30 60 100100603010631起始粒度起始粒度最后晶粒与起始最后晶粒与起始晶粒尺寸的比例晶粒尺寸的比例晶粒生长公式为：晶粒生长公式为：Kt303GG - -采取措施：采取措施：第69页/共79页第七十页，共79页。三、晶界在烧结三、晶界在烧结(shoji)中的应用中的应用第70页/共79页第七十一页，共79页。10105 5 影响影响(yngxing)(yngxing)烧结的因素烧结的因素一、原始一、原始(yunsh)粉料粒度粉料粒度(细而均匀细而均匀)第71页/共79页第七十二页，共79