电力电子技术-第章 电力电子器件概述ppt课件

1、第第1 1章章 电力电子器件电力电子器件n电子技术的根底电子技术的根底n 电子器件：晶体管和集成电路电子器件：晶体管和集成电路n电力电子电路的根底电力电子电路的根底n 电力电子器件电力电子器件n本章主要内容：本章主要内容：n概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。n引见常用电力电子器件的任务原理、根本特性、主要参引见常用电力电子器件的任务原理、根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意问题。数以及选择和运用中应留意问题。第第1 1章章 电力电子器件电力电子器件引言引言1.1 电力电子器件概述电力电子器件概述1 1概念概念: :电力电子器件电力电子器件P

2、ower Electronic DevicePower Electronic Device 可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。电子器件。主电路主电路Main Power CircuitMain Power Circuit 电气设备或电力系统中，直接承当电能的变换或电气设备或电力系统中，直接承当电能的变换或控制义务的电路。控制义务的电路。2 2分类分类: : 电真空器件电真空器件 ( (汞弧整流器、闸流管汞弧整流器、闸流管) ) 半导体器件半导体器件 ( (采用的主要资料硅依然采用的主要资料硅依然1.1.1 电力电子器件的概念和特征电力

3、电子器件的概念和特征电力电子器件电力电子器件n能处置电功率的才干，普通远大于处置信息的能处置电功率的才干，普通远大于处置信息的电子器件。电子器件。n电力电子器件普通都任务在开关形状。电力电子器件普通都任务在开关形状。n电力电子器件往往需求由信息电子电路来控制电力电子器件往往需求由信息电子电路来控制。n电力电子器件本身的功率损耗远大于信息电子电力电子器件本身的功率损耗远大于信息电子器件，普通都要安装散热器。器件，普通都要安装散热器。1.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征3同处置信息的电子器件相比的普通特征：同处置信息的电子器件相比的普通特征：n通态损耗是器件功率损耗的主要成

4、因。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。n器件开关频率较高时，开关损耗能够成为器件功率损耗的主要器件开关频率较高时，开关损耗能够成为器件功率损耗的主要要素。要素。主要损耗通态损耗断态损耗开关损耗关断损耗开通损耗1.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征 电力电子器件的损耗电力电子器件的损耗电力电子系统：由控制电路、驱动电路、维护电路电力电子系统：由控制电路、驱动电路、维护电路 和以和以电力电子器件为中心的主电路组成。电力电子器件为中心的主电路组成。图1-1 电力电子器件在实践运用中的系统组成控制电路检测电路驱动电路RL主电路V1V2维护电路在主电路和控制电路中附加一些电路，以保

5、证电力电子器件和整个系统正常可靠运转1.1.2 运用电力电子器件系统组成运用电力电子器件系统组成电气隔离控制电路半控型器件半控型器件Thyristor(半导体闸流管半导体闸流管) 经过控制信号可以控制其导通而不能控经过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。制其关断。全控型器件全控型器件IGBT,MOSFET) 经过控制信号既可控制其导通又可控制经过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。其关断，又称自关断器件。不可控器件不可控器件(Power Diode) 不能用控制信号来控制其通断不能用控制信号来控制其通断, 因此也就因此也就不需求驱动电路。不需求驱动电路。1.1.3 电力电

6、子器件的分类电力电子器件的分类 按照器件可以被控制的程度，分为以下三类：按照器件可以被控制的程度，分为以下三类：电流驱动型电流驱动型 经过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或经过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者者 关断的控制。关断的控制。电压驱动型电压驱动型 仅经过在控制端和公共端之间施加一定的电压仅经过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。信号就可实现导通或者关断的控制。1.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类 按照驱动电路信号的性质，分为两按照驱动电路信号的性质，分为两类：类：本章内容本章内容: :引见各种器件的任务原理、根本特性、主要参数引见各种

7、器件的任务原理、根本特性、主要参数以及选择和运用中应留意的一些问题。以及选择和运用中应留意的一些问题。集中讲述电力电子器件的驱动、维护和串、并联集中讲述电力电子器件的驱动、维护和串、并联运用这三个问题。运用这三个问题。学习要点学习要点: :最重要的是掌握其根本特性。最重要的是掌握其根本特性。掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性曲线的运用方法。特性曲线的运用方法。能够会主电路的其它电路元件有特殊的要求。能够会主电路的其它电路元件有特殊的要求。1.1.4 本章学习内容与学习要点本章学习内容与学习要点1.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管

8、 Power Diode构造和原理简单，任务可靠，自20世纪50年代初期就获得运用。快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场所，具有不可替代的位置。1.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管引言引言整流二极管及模块n根本构造和任务原理与信息电子电路中的二极管一样。n由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。n从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。图1-2 电力二极管的外形、构造和电气图形符号 a) 外形 b) 构造 c) 电气图形符号1.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理AKAKa)IKAPNJb)c)AK 状态参数正

9、向导通反向截止反向击穿电流正向大几乎为零反向大电压维持1V反向大反向大阻态低阻态高阻态二极管的根本原理就在于PN结的单导游电性这一主要特征。 PN结的反向击穿两种方式)雪崩击穿齐纳击穿均能够导致热击穿1.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理 PN结的形状PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。结电容按其产活力制和作用的差别分为势垒电容CB和分散电容CD。电容影响PN结的任务频率，尤其是高速的开关形状。1.2.1 PN结与电力二极管的任务原理结与电力二极管的任务原理 PN结的电容效应：主要指其伏安特性主要指其伏安特性门槛电压门槛电压U

10、TO，正向电流，正向电流IF开场明显添加所对应的电开场明显添加所对应的电压。压。与与IF对应的电力二极管两端对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降的电压即为其正向电压降UF 。接受反向电压时，只需微小接受反向电压时，只需微小而数值恒定的反向漏电流。而数值恒定的反向漏电流。图1-4 电力二极管的伏安特性1.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性1) 静态特性静态特性IOIFUTOUFU2) 动态特性动态特性 二极管的电压二极管的电压-电流特性随时电流特性随时间变化的间变化的 结电容的存在结电容的存在1.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性b)UFPuiiFuFtfrt0

11、2Va)FUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt图1-5 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 b) 零偏置转换为正向偏置延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1反向恢复时间：trr= td+ tf恢复特性的软度：下降时间与延迟时间 的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示。n正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值如 2V。n正向恢复时间tfr。n电流上升率越大，UFP越高 。UFPuiiFuFtfrt02V图1-5(b)开经过程1.2.2 电力二极管的根本特性电力二极管的根本特性

12、 开经过程：开经过程： 关断过程关断过程须经过一段短暂的时间才干重新须经过一段短暂的时间才干重新获得反向阻断才干，进入截止形获得反向阻断才干，进入截止形状。状。关断之前有较大的反向电流出现，关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。并伴随有明显的反向电压过冲。IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt图1-5(b)关断过程额定电流额定电流在指定的管壳温度和散热条件下，其在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，运用时应是按照电流的发热

13、效应来定义的，运用时应按有效值相等的原那么来选取电流定额，并应留有按有效值相等的原那么来选取电流定额，并应留有一定的裕量。一定的裕量。1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数1) 正向平均电流正向平均电流IF(AV)在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。3 3 反向反复峰值电压反向反复峰值电压URRMURRM对电力二极管所能反复施加的反向最顶峰值电压。对电力二极管所能反复施加的反向最顶峰值电压。运用时，该当留有两倍的裕量。运用时，该当留有两倍的裕量。 4 4反向恢复时间反向恢复时间trrtrr trr=

14、td+ tf trr= td+ tf1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数2正向压降正向压降UF结温是指管芯结温是指管芯PN结的平均温度，用结的平均温度，用TJ表示。表示。TJM是指在是指在PN结不致损坏的前提下所能接受的最高平均温度。结不致损坏的前提下所能接受的最高平均温度。TJM通常在通常在125175C范围之内。范围之内。6) 浪涌电流浪涌电流IFSM指电力二极管所能接受最大的延续一个或几个工频周期的过电流。指电力二极管所能接受最大的延续一个或几个工频周期的过电流。 1.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数5最高任务结温最高任务结温TJM1) 普通二极管普通二极

15、管General Purpose Diode又称整流二极管又称整流二极管Rectifier Diode多用于开关频率不高多用于开关频率不高1kHz以下的整流电路以下的整流电路其反向恢复时间较长其反向恢复时间较长正向电流定额和反向电压定额可以到达很高正向电流定额和反向电压定额可以到达很高按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同引见。1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型简称快速二极管快恢复外延二极管 Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED，其反向恢复时间trr 更短可低于50ns，正向压降UF也很低0.9V左右，但其反向耐压多

16、在1200V以下。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者那么在100ns以下，甚至到达2030ns。2) 快恢复二极管快恢复二极管 Fast Recovery DiodeFRD肖特基二极管的弱点反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。反向稳态损耗不能忽略，必需严厉地限制其任务温度。肖特基二极管的优点反向恢复时间很短1040ns。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。效率高，其开关损耗和正导游通损耗都比快速二极管还小。1.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型3. 肖特基二极管肖特基二极管 以

17、金属和半导体接触构成的势垒为根底的二极以金属和半导体接触构成的势垒为根底的二极管称为肖特基势垒二极管管称为肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diode SBD。1.3 半控器件半控器件晶闸管晶闸管1.3 半控器件半控器件晶闸管晶闸管引言引言1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速开展和广泛运用的崭新时代。20世纪80年代以来，开场被全控型器件取代。能接受的电压和电流容量最高，任务可靠，在大容量的场所具有重要位置。晶闸管晶闸管ThyristorThyristor：晶体闸流管，可控硅整：晶体闸流

18、管，可控硅整流器流器Silicon Controlled RectifierSCRSilicon Controlled RectifierSCR图1-6 晶闸管的外形、构造和电气图形符号a) 外形 b) 构造 c) 电气图形符号1.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理n外形有螺栓型和平板型两种封装。n有三个联接端。n螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器严密联接且安装方便。n平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。AAGGKKb )c )a )AGKKGAP1N1P2N2J1J2J31.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理常用晶闸管的构造螺栓型晶闸管晶闸管模块

19、平板型晶闸管外形及构造1.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ：图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其任务原理a) 双晶体管模型 b) 任务原理 按晶体管的任务原理 ，得：111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII1-21-11-31-4)(121CBO2CBO1G2AIIII1-51.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 阻断形状：IG=0，1+2很小

20、。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通形状：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实践由外电路决议。1.3.1 晶闸管的构造与任务原理晶闸管的构造与任务原理阳极电压升高至相当高的数值呵斥雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而运用于高压电力设备中，称为光控晶闸管Light Triggered ThyristorLTT。只需门极触发是最准确、迅速而可靠的控制手段。 其他几种能够导通的情况：其他几种能够导通的情况：1.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根

21、本特性接受反向电压时，不论门极能否有触发电流，晶闸接受反向电压时，不论门极能否有触发电流，晶闸管都不会导通。管都不会导通。接受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶接受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才干开通。闸管才干开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制造用。晶闸管一旦导通，门极就失去控制造用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下零的某一数值以下 。晶闸管正常任务时的特性总结如下：晶闸管正常任务时的特性总结如下：1.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性1正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只需很小的正向

22、漏电流，为正向阻断形状。正向电压超越正向转机电压Ubo，那么漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转机电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM1 1 静态特性静态特性图1-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG1.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性n反向特性类似二极管的反向特性。n反向阻断形状时，只需极小的反相漏电流流过。n当反向电压到达反向击穿电压后，能够导致晶闸管发热损坏。图1-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2I

23、G1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM2反向特性反向特性1.3.2 晶闸管的根本特性晶闸管的根本特性1) 开经过程延迟时间td (0.51.5s)上升时间tr (0.53s)开通时间 t g t 以上两者之 和 ， tgt=td+ tr 1-6100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2) 关断过程反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关 断 时 间 t q 以 上 两 者 之 和tq=trr+tgr 1-7)普通晶闸管的关断时间约几百微秒2 动态特性动态特性图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形1.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数n断态反

24、复峰值电压断态反复峰值电压UDRMn 在门极断路而结温为额定值时，在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的正向峰值电压。允许反复加在器件上的正向峰值电压。n反向反复峰值电压反向反复峰值电压URRMn 在门极断路而结温为额定值时，在门极断路而结温为额定值时，允许反复加在器件上的反向峰值电压。允许反复加在器件上的反向峰值电压。n通态峰值电压通态峰值电压UTn 晶闸管通以某一规定倍数的额晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。定通态平均电流时的瞬态峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，普通取额定电压为正常任务时晶闸管所接受峰值电

25、压23倍。运用留意：运用留意：1电压定额电压定额1.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数q通态平均电流通态平均电流 IT(AV IT(AVq在环境温度为在环境温度为4040C C和规定的冷却形状下，稳定结温不超越和规定的冷却形状下，稳定结温不超越额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。其额定电流的参数。q运用时应按有效值相等的原那么来选取晶闸管。运用时应按有效值相等的原那么来选取晶闸管。q维持电流维持电流 IH IH q使晶闸管维持导通所必需的最小电流。使晶闸管维持导通所必需的最小电流。q擎住电流擎住

26、电流 IL IL q晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常ILIL约为约为IHIH的的2424倍。倍。q浪涌电流浪涌电流ITSMITSMq指由于电路异常情况引起的并使结温超越额定结温的不反复指由于电路异常情况引起的并使结温超越额定结温的不反复性最大正向过载电流性最大正向过载电流 。2 2电流定额电流定额1.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 除开通时间除开通时间tgttgt和关断时间和关断时间tqtq外，还有：外，还有：断态电压临界上升率断态电压临界

27、上升率du/dt du/dt 指在额定结温暖门极开路的情况下，不导致晶闸管从断指在额定结温暖门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态到通 态转换的外加电压最大上升率。态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通通 。 通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dtdi/dt 指在规定条件下，晶闸管能接受而无有害影响的最大通指在规定条件下，晶闸管能接受而无有害影响的最大通态电流上升率。态电流上升率。 假设电流上升太快，能够呵斥部分过热而使晶闸管损坏。假设电流上升太快，能够呵斥部分过热而使晶闸管损坏。3 3动

28、态参数动态参数1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件n有快速晶闸管和高频晶闸管。有快速晶闸管和高频晶闸管。n开关时间以及开关时间以及du/dt和和di/dt耐量都有明显改善。耐量都有明显改善。n普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。左右。n高频晶闸管的缺乏在于其电压和电流定额都不易做高。高频晶闸管的缺乏在于其电压和电流定额都不易做高。n由于任务频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。由于任务频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。1 1快速晶闸管快速晶闸管Fast Switching Thyrist

29、or Fast Switching Thyristor FST)FST)1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件2 2双向晶闸管双向晶闸管Triode AC SwitchTRIACTriode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristorBidirectional triode thyristor图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可以为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值来表

30、示其额定电流值。1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件n逆导晶闸管逆导晶闸管Reverse Conducting ThyristorRCTa)KGAb)UOIIG=0图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性将晶闸管反并联一个二极控制造在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件n光控晶闸管光控晶闸管Light Triggered ThyristorLTTAGKa)AK光强度强弱b)OUIA图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安

31、特性又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可防止电磁干扰的影响。因此目前在高压大功率的场所。1.4 典型全控型器件典型全控型器件1.4 典型全控型器件典型全控型器件引言引言n门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。n20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。n典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。1.4 典型全控型器件典型全控型器件引言引言常用的典型全控型器件常用的典型全控型器件电力MOSFETIGBT单管及模块1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管q晶闸管的一种派生器件。q可

32、以经过在门极施加负的脉冲电流使其关断。qGTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因此在兆瓦级以上的大功率场所仍有较多的运用。门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管Gate-Turn-Off Thyristor GTO1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管q构造：构造：q与普通晶闸管的一样点：与普通晶闸管的一样点： PNPN四层半导体构造，外部四层半导体构造，外部引出阳极、阴极和门极。引出阳极、阴极和门极。q和普通晶闸管的不同点：和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器是一种多元的功率集成器件。件。c)图1-13AGKGGKN1P1N2N2P2b)a)AGK图1-13 GTO的内

33、部构造和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔陈列的图形 b) 并联单元构造断面表示图 c) 电气图形符号1GTO的构造和任务原理的构造和任务原理1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管任务原理：任务原理：与普通晶闸管一样，可以用图与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。所示的双晶体管模型来分析。 RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2P1AGKN1P2P2N1N2a)b)图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其任务原理 1+1+ 2=12=1是器件临界导通的条件。是器件临界导通的条件。 由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有

34、共基极电流增益1和2 。1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO可以经过门极关断的缘由是其与普通晶闸管有如下区别： 设计2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO。 导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成构造，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 RN PNPN PAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2b)图1-7 晶闸管的任务原理1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO导经过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有剧烈正反响使器件退出饱和而关断。多元集成构造还使GTO比普通晶闸

35、管开经过程快，接受di/dt才干强 。 由上述分析我们可以得到以下结论：1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管n开经过程：与普通晶闸管一开经过程：与普通晶闸管一样样n关断过程：与普通晶闸管有关断过程：与普通晶闸管有所不同所不同n储存时间储存时间ts，使等效晶体管，使等效晶体管退出饱和。退出饱和。n下降时间下降时间tf n尾部时间尾部时间tt 残存载流子复残存载流子复合。合。n通常通常tf比比ts小得多，而小得多，而tt比比ts要长。要长。n门极负脉冲电流幅值越大，门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。越短。Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t

36、6 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形 GTO的动态特性的动态特性1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的主要参数的主要参数 延迟时间与上升时间之和。延迟时间普通约12s，上升时间那么随通态阳极电流的增大而增大。 普通指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间普通小于2s。2 关断时间关断时间toff1开通时间开通时间ton 不少GTO都制呵斥逆导型，类似于逆导晶闸管，需接受反压时，应和电力二极管串联 。 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义一样，以下只引见意义不同的参数。1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管3最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO4 电

37、流关断增益电流关断增益off off普通很小，只需5左右，这是GTO的一个主要缺陷。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GTO额定电流。 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。1-8GMATOoffII1.4.2 电力晶体管电力晶体管电力晶体管电力晶体管Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管直译为巨型晶体管 。耐 高 电 压 、 大 电 流 的 双 极 结 型 晶 体 管耐 高 电 压 、 大 电 流 的 双 极 结 型 晶 体 管Bipolar Junction TransistorBJT，英文有时候也称为英文有时候也称为

38、Power BJT。 运用运用20世纪世纪80年代以来，在中、小功率范围内年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力和电力MOSFET取代。取代。 术语用法：术语用法：与普通的双极结型晶体管根本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元构造。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。1.4.2 电力晶体管电力晶体管1GTR的构造和任务原理的构造和任务原理图1-15 GTR的构造、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部构造断面表示图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动1.4.2

39、 电力晶体管电力晶体管n在运用中，GTR普通采用共发射极接法。n集电极电流ic与基极电流ib之比为n1-9n GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制才干 。n当思索到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic= ib +Iceo 1-10n单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。bcii空穴流电子流c)EbEcibic=ibie=(1+ )ib1GTR的构造和任务原理的构造和任务原理1.4.2 电力晶体管电力晶体管 (1) 静态特性静态特性共发射极接法时的典型输出共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和特

40、性：截止区、放大区和饱和区。饱和区。在电力电子电路中在电力电子电路中GTR任任务在开关形状。务在开关形状。在开关过程中，即在截止区在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要和饱和区之间过渡时，要经过放大区。经过放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib2 BUcex BUces BUcer Buceo。实践运用时，最高任务电压要比实践运用时，最高任务电压要比BUceo低得多。低得多。3GTR的主要参数的主要参数1.4.2 电力晶体管电力晶体管通常规定为通常规定为hFE下降到规定值的下降到规定值的1/21/3时所对应的时所对应的Ic 。实践运用时要留有裕量，只能用到实践运用

41、时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率PcM最高任务温度下允许的耗散功率。最高任务温度下允许的耗散功率。产品阐明书中给产品阐明书中给PcM时同时给出壳温时同时给出壳温TC，间接表示了最高任务温度，间接表示了最高任务温度 。 2) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流IcM1.4.2 电力晶体管电力晶体管q一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。迅速增大。q只需只需Ic不超越限制，不超越限制，GTR普通不会损坏，任务特性也不变。普通不会损坏，任务特性也不变。q 二次击穿：一次击

42、穿发生时，二次击穿：一次击穿发生时，Ic忽然急剧上升，电压陡然下忽然急剧上升，电压陡然下降。降。q经常立刻导致器件的永久损坏，或者任务特性明显衰变经常立刻导致器件的永久损坏，或者任务特性明显衰变 。 平安任务区平安任务区Safe Operating AreaSOA 最高电压最高电压UceM、集电极最、集电极最大电流大电流IcM、最大耗散功率、最大耗散功率PcM、二次击穿临界限限定。、二次击穿临界限限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM图1-18 GTR的平安任务区 GTR的二次击穿景象与平安任务区的二次击穿景象与平安任务区1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管n分为结型和绝缘

43、栅型n通 常 主 要 指 绝 缘 栅 型 中 的 M O S 型 M e t a l O x i d e Semiconductor FETn简称电力MOSFETPower MOSFETn结型电力场效应晶体管普通称作静电感应晶体管Static Induction TransistorSIT 特点用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需求的驱动功率小。 开关速度快，任务频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，普通只适用于功率不超越10kW的电力电子安装 。电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管n电力电力MOSFET的种类的种类n 按导电沟道可分

44、为按导电沟道可分为P沟道和沟道和N沟道。沟道。n 耗尽型耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。就存在导电沟道。n 加强型加强型对于对于NP沟道器件，栅极电沟道器件，栅极电压大于小于零时才存在导电沟道。压大于小于零时才存在导电沟道。n 电力电力MOSFET主要是主要是N沟道加强型。沟道加强型。1电力电力MOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFET的构造的构造是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管一样，但构造上有较大区别。采用多元集成构造，不同的消费厂家采用了不同设计。N+GSDP沟道b)N+N-

45、SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的构造和电气图形符号1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管n小功率MOS管是横导游电器件。n电力MOSFET大都采用垂直导电构造，又称为VMOSFETVertical MOSFET。n按垂直导电构造的差别，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双分散MOS构造的VDMOSFETVertical Double-diffused MOSFET。n这里主要以VDMOS器件为例进展讨论。电力电力MOSFET的构造的构造1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压

46、为零。P基区与N漂移区之间构成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层构成N沟道而使PN结J1消逝，漏极和源极导电 。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的构造和电气图形符号电力电力MOSFET的任务原理的任务原理1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 (1) 静态特性静态特性漏极电流漏极电流ID和栅源间电压和栅源间电压UGS的关系称为的关系称为MOSFET的转移的转移特性。特性。ID较大时，较大时，ID与与UGS的关系近的关

47、系近似线性，曲线的斜率定义为似线性，曲线的斜率定义为跨导跨导Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性2电力电力MOSFET的根本特性的根本特性1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止区对应于GTR的截止区饱和区对应于GTR的放大区非饱和区对应GTR的饱和区任务在开关形状，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二

48、极管，漏源极间加反向电压时器件导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性MOSFET的漏极伏安特性：的漏极伏安特性：010203050402468a)10203050400b)10 20 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管开经过程开经过程开通延迟时间开通延迟时间td(on) 上升时间上升时间tr开通时间开通时间ton开通延开通延迟时间与上升时间之和

49、迟时间与上升时间之和关断过程关断过程关断延迟时间关断延迟时间td(off)下降时间下降时间tf关断时间关断时间toff关断延关断延迟时间和下降时间之和迟时间和下降时间之和ab)RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf图1-21 电力MOSFET的开关过程a) 测试电路 b) 开关过程波形up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流(2) 动态特性1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 MOSFET的开关速度和的开关速度和Cin充放电有很大关系。充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻可

50、降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在开关时间在10100ns之间，任务频率可达之间，任务频率可达100kHz以上，是主以上，是主要电力电子器件中最高的。要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需求的驱动功率越大。开关频率越高，所需求的驱动功率越大。MOSFET的开关速度的开关速度1.4.3 电力场

51、效应晶体管电力场效应晶体管3) 电力电力MOSFET的主要参数的主要参数 电力MOSFET电压定额(1) 漏极电压漏极电压UDS (2) 漏极直流电流漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值和漏极脉冲电流幅值IDM电力MOSFET电流定额(3) 栅源电压栅源电压UGS UGS20V将导致绝缘层击穿 。 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： (4) 极间电容极间电容极间电容CGS、CGD和CDS1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件绝缘栅双极晶体管Insulated-gate Bipolar Trans

52、istorIGBT或IGTGTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的位置。 GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流才干很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1) IGBT的构造和任务原理的构造和任务原理三端器件：栅极三端器件：栅极G、集电极、集电极C和发射极和发射极EEGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+发射极 栅极

53、集电极注入区缓冲区漂移区J3J2J1GEC+-+-+-IDRNICVJ1IDRonb)GCc)图1-22 IGBT的构造、简化等效电路和电气图形符号a) 内部构造断面表示图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管q图1-22aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。qIGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流才干。q简化等效电路阐明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿构造，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。qRN为晶体管基区内的调制电阻。EGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+发 射 极 栅 极集 电 极

54、注 入 区缓 冲 区漂 移 区J3J2J1GEC+-+-+-IDRNICVJ1IDRonb)GCc)图1-22 IGBT的构造、简化等效电路和电气图形符号a) 内部构造断面表示图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 IGBT的构造的构造1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 驱动原理与电力MOSFET根本一样，场控器件，通断由栅射极电压uGE决议。导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内构成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消逝，晶体管的基极电流被切断

55、，IGBT关断。 IGBT的原理的原理a)b)O有源区正向阻断区饱和区反向阻断区ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE添加1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管2) IGBT的根本特性的根本特性 (1) IGBT的静态特性的静态特性图1-23 IGBT的转移特性和输出特性a) 转移特性 b) 输出特性转移特性转移特性IC与与UGE间的关系间的关系(开启开启电压电压UGE(th)输出特性输出特性分为三个区域：正分为三个区域：正向阻断区、有源区向阻断区、有源区和饱和区。和饱和区。1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管ttt10%90%10%90%UCEIC

56、0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM图1-24 IGBT的开关过程nIGBT的开经过程的开经过程 n 与与MOSFET的类似的类似n开通延迟时间开通延迟时间td(on) n电流上升时间电流上升时间tr n开通时间开通时间tonnuCE的下降过程分为的下降过程分为tfv1和和tfv2两段。两段。n tfv1IGBT中中MOSFET单独任务的电压下降过程；单独任务的电压下降过程；n tfv2MOSFET和和PNP晶体管同时任务的电压下降晶体管同时任务的电压下降过程。过程。 (2)

57、 IGBT的动态特性的动态特性1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管图1-24 IGBT的开关过程q关断延迟时间关断延迟时间td(offq电流下降时间电流下降时间q 关断时间关断时间toffq电流下降时间又可分为电流下降时间又可分为tfi1和和tfi2两段。两段。qtfi1IGBT器件内部的器件内部的MOSFET的关断过程，的关断过程，iC下降较快。下降较快。qtfi2IGBT内部的内部的PNP晶体管的关断过程，晶体管的关断过程，iC下下降较慢。降较慢。 IGBT的关断过程的关断过程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftont

58、fi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管3) IGBT的主要参数的主要参数正常任务温度下允许的最大功耗 。(3) 最大集电极功耗最大集电极功耗PCM包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 (2) 最大集电极电流最大集电极电流由内部PNP晶体管的击穿电压确定。(1) 最大集射极间电压最大集射极间电压UCES1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的特性和参数特点可以总结如下：的特性和参数特点可以总结如下： 开关速度高，开关损耗小。 一样电压和电流定额时，平安任务区比GTR大，且

59、具有耐脉冲电流冲击才干。 通态压降比VDMOSFET低。 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流才干还可以进一步提高，同时坚持开关频率高的特点 。 1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 擎住效应或自锁效应：擎住效应或自锁效应： IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一同，制成模块，成为逆导器件 。最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 反向偏置平安任务区反向偏置平安任务区RBSOA最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 正偏平安任务区正偏平安任务区FBSOA 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集

60、电极电流小。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开场逐渐处理。NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制造用，电流失控。1.5 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件1.5.1 MOS控制晶闸管控制晶闸管MCTnMCT结合了二者的优点：n接受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。n高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。n一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。n每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，