半导体二极管

1、半导体二极管半导体二极管的结构和类型二极管的伏安特性曲线二极管的主要参数二极管的等效电路及应用稳压二极管 半导体二极管是由一个半导体二极管是由一个PNPN结及它所在的结及它所在的 半导体再加上电极引线和管壳构成。半导体再加上电极引线和管壳构成。结构结构类型类型按材料分类按材料分类按结构分类按结构分类按用途分类按用途分类硅管，锗管硅管，锗管点接触型点接触型普通二极管，整流二极管，开关二极管，普通二极管，整流二极管，开关二极管，稳压二极管等稳压二极管等面接触型面接触型硅平面型硅平面型阳极阳极阴极阴极金属支架金属支架正极引线正极引线负极引线负极引线金锑合金金锑合金P P型硅型硅铝合金小球铝合金小球N

2、 N型硅片型硅片阳极引线阳极引线阴极引线阴极引线N N型锗片型锗片金属触丝金属触丝管壳管壳二氧化硅保护层二氧化硅保护层负极引线负极引线阳极引线阳极引线N N型硅型硅P P型硅型硅阳极阳极阴极阴极面接触型二极管特点：面接触型二极管特点：结面积大、结电容大，允许通过结面积大、结电容大，允许通过较大的电流，适用于低频整流。较大的电流，适用于低频整流。硅平面型二极管特点：硅平面型二极管特点：结面积大的可用于大功率整流；结结面积大的可用于大功率整流；结面积小的，结电容大，适用于脉冲数字电路，作为开关管面积小的，结电容大，适用于脉冲数字电路，作为开关管使用。使用。点接触型二极管特点：点接触型二极管特点：结

3、面积小，因此结电容小，允许通结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用于高频电路的检波或小电流的整流过的电流也小，适用于高频电路的检波或小电流的整流。R RWWV VR RDDR RWWV VR RDD伏安特性方程：伏安特性方程：) 1(TSUueIiODOD段段称为正向特性。称为正向特性。OCOC段段，正向电压较小，正向电压较小，正向电流非常小，只有当正向电流非常小，只有当正向电压超过某一数值时，正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这才有明显的正向电流，这个电压称为死区电压，亦个电压称为死区电压，亦称开启电压。称开启电压。CDCD段段，当正向电压大于死区电压后，正向电流近似当正

4、向电压大于死区电压后，正向电流近似以指数规律迅速增长，二极管呈现充分导通状态。以指数规律迅速增长，二极管呈现充分导通状态。1 1 正向特性正向特性ADCBiDuDOUBRA ADDC CB BiDuDo oU UBRBROBOB段称为反向特性。段称为反向特性。这时二极这时二极管加反向电压，反向电流很小管加反向电压，反向电流很小。当温度升高时，半导体中本征激发当温度升高时，半导体中本征激发增加，是少数载流子增多，故反向增加，是少数载流子增多，故反向电流增大，特性曲线向下降。电流增大，特性曲线向下降。3 3 反向击穿特性反向击穿特性BABA段称为反向击穿特性段称为反向击穿特性当二极管外加反向电压大

5、于一定数值时，反向电流当二极管外加反向电压大于一定数值时，反向电流突然剧增，称为二极管反向击穿。突然剧增，称为二极管反向击穿。2 2 反向特性反向特性iDouD20406080100(mA)(v)-40-80-0.1-0.20.40.8iDouD-200-10020406080100-10-30-207520(mA)(v)(A)12 材料材料开启电压（开启电压（V）导通电压（导通电压（V）反向饱和电流（反向饱和电流（A）硅（硅（Si） 0.5 0.5 0.61 0.1 0时，二极管时，二极管D1、D3导通，相当于开关闭导通，相当于开关闭合；合；D2、D4截止；相当于开截止；相当于开关断开。关断

6、开。D1D4D2D3+-AB+-u0RLuuu Ou0时时oi当当u0时，二极管时，二极管D2、D4导通，导通，D1、D3截止。截止。D2D4D3ABu0RL+-+uuuOoiuUR+UD时，二极管时，二极管D导通导通, uO=UR+UD。当当uUZ时，稳压管时，稳压管DZ击穿稳压。击穿稳压。必须适当选择必须适当选择RZ的阻的阻值，使流过稳压管的值，使流过稳压管的电流在管子的参数电流在管子的参数稳定电流稳定电流IZ和最大和最大稳定电流稳定电流IZM之间之间RZ+-IUUZDZ例例4-1114103542271015433maxRRminminRRmaxIURIUR 在如图所示的稳压管稳压电路中

7、，已知稳压管在如图所示的稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定，最大稳定电流电流IZmax=25mA；负载电阻；负载电阻RL=600。求解限流电阻。求解限流电阻R的的取值范围。取值范围。DZ+-U UI I=10V=10VIRRRLILIDZUO+-解：解： IR=IDZ+IL UR=UI-UZ=10-6=4V所以限流电阻所以限流电阻R的取值范围为的取值范围为114227.所以所以IR=(1535)mA 其中其中IDZ=(525)mA IL=UZ/RL=6/600=10mA1. 1. 伏安特性方程：伏安特性方程：) 1

8、(TSUueIiA ADDC CB BiDuDo oU UBRBR本节知识要点本节知识要点一、二极管的伏安特性一、二极管的伏安特性2. 伏安特性曲线伏安特性曲线二极管加正向电压时，产生扩散二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流和电压成指数关系；电流，电流和电压成指数关系；加反向电压时，产生漂移电流，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小；体现出单向导电性。其数值很小；体现出单向导电性。 当反向电压加到足够大时，会产当反向电压加到足够大时，会产生反向击穿。利用击穿特性，可生反向击穿。利用击穿特性，可制成稳压管。制成稳压管。二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。向左移，反向特性曲线向下移。二、二极管的主要参数二、二极管的主要参数1、最大整流电流、最大整流电流IF；2、最大反向工作电压、最大反向工作电压UR；3、反向电流、反向电流IR；4、最大工作频率、最大工作频率fM。三、二极管的等效电路三、二极管的等效电路1 1、理想二极管等效电路、理想二极管等效电路当外加正向电