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文档简介

1、陈江华0.35um CMOS工艺的多层互联线 由于两种半导体内带电粒子的正、负电荷相等，所以半导体内呈电中性。图2.2 PN结的形成图2.3 平衡状态下的PN结 在耗尽区中正负离子形成了一个电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场内建电场作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。 扩散电流扩散电流漂移电流漂移电流扩散：浓度差漂移：电场 (b) (c)图2.4 PN结二极管原理性结构(a) 符号(

2、b)与I-V特性曲线(c) 1(DSDkTqVeII图2.5 金属与半导体接触金属与半导体接触金属金属与掺杂半导体接触形成的肖特基二极管的工作原理 基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金属栅极与沟道材料之间形成的结就属于肖特基结。因此，它们的等效电路中通常至少包含栅-源和栅-漏两个肖特基结二极管。发射结的注入基区中的输运与复合和集电区的收集 电子电流 双极型晶体管的放大作用就用正向电流放大倍数F来描述,F定义为： F =IC/IB 图2.8MOS管的物理结构与电路符号欧姆接触(a) VgsVT, Vds=0V(b) VgsVT, VdsVT, VdsVgs-VT沟道不再伸展到漏极，处于夹断状态，夹断处的电压降保持在VdsVgs-VT 。一、三个区域一、三个区域Tgsds2dsdsTgsN02VVVVVVVKIds2TgsN2VVKIds描述NMOS器件性能的理想表达式为：二、三个表达式二、三个表达式 I ds= 0 Vgs-Vt0图2.10MOS器件方程式中各几何项 图2.11N型MOS管与P型MOS管的电压-电流特性)(1TgsVVKRNC（线性）gm（线性） = KNVds gm（饱和） = KN（VgsVT

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