标准解读

《GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》是一项国家标准,规定了使用二次离子质谱(SIMS)技术来定量分析碳化硅单晶材料中的硼、铝和氮杂质的方法。该标准适用于半导体级碳化硅单晶片或块体材料内微量至痕量水平的这些元素的检测。

在该标准下,首先需要准备待测样品,并按照指定程序进行表面清洁处理以去除可能存在的污染层,确保测试结果准确反映样品内部真实情况。接着,利用SIMS仪器对样品表面特定区域进行轰击,产生含有被测元素信息的二次离子束流;通过质量分析器分离不同质荷比的离子,并由探测系统记录下来形成相应信号强度与时间的关系曲线。根据已知浓度的标准物质建立校准曲线后,即可依据未知样品产生的信号强度计算出其中目标杂质的具体含量值。


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  • 现行
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  • 2021-12-31 颁布
  • 2022-07-01 实施
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GB∕T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法_第1页
GB∕T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法_第2页
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文档简介

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