微机原理存储器部分

1、1某计算机的主存为某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器则内存地址寄存器需需_位就足够了。位就足够了。 12在某一存储系统中，设有只读存储器在某一存储系统中，设有只读存储器10KB，随机存储器随机存储器54KB，使用使用16位地址来寻址。其位地址来寻址。其中，只读存储器位于低地址段，其地址范围中，只读存储器位于低地址段，其地址范围为为_。 000027FFH 若若256KB的的SRAM具有具有8条数据线，则它具有条数据线，则它具有_条地址线。条地址线。 18 2设存储器的地址线为设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成的使用全译码方式

2、组成存储器，该系统构成的最大存储器容量需要最大存储器容量需要64K1位的存储器芯片位的存储器芯片的数量是的数量是_片。片。 128 一个有一个有16个字的数据区，它的起始地址为个字的数据区，它的起始地址为70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单那么该数据区的最后一个单元的物理地址为元的物理地址为_。 7E815H 3设存储器的地址线有设存储器的地址线有16条，存储基本单元为条，存储基本单元为字节，若采用字节，若采用2K4位芯片，按全译码方法位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是时，需要此种存储器芯片的

3、数量是_。 64片片 设某静态设某静态RAM芯片的容量为芯片的容量为8K8位，若用位，若用它组成它组成32K8的存储器，所用芯片数以及这的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是种芯片的片内地址线数目是_。 4片片 13根根 4用用74LS138作译码器，如图所示，若将作译码器，如图所示，若将Y1接接到存储器的片选信号上，则存储器的地址范到存储器的片选信号上，则存储器的地址范围为围为_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A124000H4FFFH 5某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为电

4、路，得知该芯片的地址范围为3000H37FFH。试问该芯片的试问该芯片的CS端应接到端应接到74LS138的的_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12Y6612. 在如图所示的电路（与上题同一电路），在如图所示的电路（与上题同一电路），假设假设Y5与电源与电源Vcc短接，则以下四种现象中，短接，则以下四种现象中，肯定会发生的是肯定会发生的是_。A) 系统仍然正常工作。系统仍然正常工作。B) 系统不能正常工作系统不能正常工作C) Y5端所选择的地址范围能被照常访问端所选择的地址范围能被照常访问D) Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问D

5、) Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问7在如图的译码电路中，为了使每个输出端接在如图的译码电路中，为了使每个输出端接到存储器芯片的到存储器芯片的CS端时，可以选中的地址范端时，可以选中的地址范围是围是4KB，则该图中则该图中C,B,A三端与三端与CPU的地的地址线的对应连接可为址线的对应连接可为_。A) 仅仅A14, A13, A12B) 仅仅A12, A13, A14C) 仅仅A14, A12, A13 D)A12, A13, A14任意组合任意组合 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12, A13, A14任意组合任意组合8若要求若要求Y

6、4寻址的存储器范围为寻址的存储器范围为8800H8FFFH，则则B，C端应分别接端应分别接_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11 上题中，若要求上题中，若要求Y4寻址寻址的的I/O端口地址范围为端口地址范围为0800H0FFFH，则须相则须相互调换的引脚信号应为互调换的引脚信号应为_。 M/IO，A15 9使用使用256KB4的存储器芯片组成的存储器芯片组成1MB的存的存储器系统，其地址线至少需要储器系统，其地址线至少需要_条条 20 在对存储器进行访问时，地址线有效和数在对存储器进行访问时，地址线有效和数据线有效的时间关系应为据线有效的时间关系应为_

7、。A) 同时有效同时无效同时有效同时无效 B) 地址线较先有效地址线较先有效C) 数据线较先有效数据线较先有效 B) 地址线较先有效地址线较先有效10如图是如图是8片片4K8位的位的RAM构成的一个随机构成的一个随机存取存储器，如果存取存储器，如果A14A13A12分别为分别为000111时，则分别被选中的存储区域（范围）的十时，则分别被选中的存储区域（范围）的十六机制表示是六机制表示是_。 RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0A11MEMRA14A13A12000 地址为地址为0000H0FFFH A14A13A12001地址为地址为1000H1

8、FFFH 11现有现有4K8位的位的RAM和和ROM存储器芯片各存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图一片，其地址线连接方法如图P88所示。在所示。在正常情况下，正常情况下，ROM所占的地址空间为所占的地址空间为 _，RAM所占的地址空间为所占的地址空间为_。 ROMCSA14A0A11A15MEMRD0D7A0 A11RAMCSMEMRD0D7A0 A11数据总线数据总线MEMW4000H7FFFH8000HBFFFH12 PROM存储器是指存储器是指_。A) 可以读写的存储器可以读写的存储器B) 可以由用户一次性写入的存储器可以由用户一次性写入的存储器C) 可以由用户反复多次写入的存储器可

9、以由用户反复多次写入的存储器D) 用户不能写入的存储器用户不能写入的存储器B) 可以由用户一次性写入的存储器可以由用户一次性写入的存储器13 在在Intel2164动态动态RAM存储器中，对存储器存储器中，对存储器的刷新方法是的刷新方法是_。A) 每次一个单元每次一个单元 B) 每次刷新每次刷新512个单元个单元C) 每次刷新每次刷新256个单元个单元D) 一次刷新全部单元一次刷新全部单元 B) 每次刷新每次刷新512个单元个单元14若用若用1片片74LS138、1片片6116RAM(2K8)及及2片片2732EPROM(4K8)组成存储器电路，试组成存储器电路，试问：问：2732的片内地址线

10、是的片内地址线是_根。根。 要求要求2片片2732的地址范围为的地址范围为0000H1FFFH，设高位地址线接至设高位地址线接至74LS138，此时此时A15及及A12的状态是的状态是_。 存储器的总容量是存储器的总容量是_。A) A15=1,A12=0 B) A15=0,A12=0或或1C) A15=0, A12=1 D) A15=0,A12=0 10KB12 B) A15=0,A12=0或或115 下述下述EPROM的改写过程，正确的是的改写过程，正确的是_。A) 使使WR信号有效就可以改写信号有效就可以改写B) 先用高电压擦除，再改写新数据先用高电压擦除，再改写新数据C) 先用紫外线擦除

11、，再用高电压写新数据先用紫外线擦除，再用高电压写新数据D) 先用紫外线擦除，再用先用紫外线擦除，再用5V电压写新数据电压写新数据 C) 先用紫外线擦除，再用高电压写新数据先用紫外线擦除，再用高电压写新数据16 在进行在进行RAM扩充实验时，某同学的接线出扩充实验时，某同学的接线出现现_，但存储器还能正常读写。，但存储器还能正常读写。A) D1与与D5交换交换B) WR与与CS线交换线交换C) D1与与A1交换交换D) 5V电源线与地线交换电源线与地线交换 A) D1与与D5交换交换在进行在进行EPROM扩充实验时，某同学发现读扩充实验时，某同学发现读出的所有单元中的数据与原数据不一样，即出的所

12、有单元中的数据与原数据不一样，即D2位总是为位总是为1，这说明发生了，这说明发生了_。 A) 接至接至D2的线已断的线已断B) 电源没有接地电源没有接地C) D2接至接至A2D) D2与与A2交换交换 A) 接至接至D2的线已断的线已断17某微机系统的部分接线如图，在某微机系统的部分接线如图，在8088系统中系统中, ,（a）应接应接_，（，（b）应接应接_，RAM芯芯片片II的地址范围为的地址范围为_。 M/IO 经反相的经反相的M/IO FE800HFEFFFH 18若由若由1K1位的位的RAM芯片组成一个容量为芯片组成一个容量为8K字（字（16位）的存储器时，需要该芯片数为位）的存储器时

13、，需要该芯片数为_。 128片片 某电路用某电路用12根地址线连接根地址线连接4片片RAM，第一第一片片 R A M 至 第 四 片至 第 四 片 R A M 的 地 址 分 别 为的 地 址 分 别 为0000H03FFH, 0400H07FFH, 0800H0BFFH, 0C00H0FFFH, 后发现存往第二片后发现存往第二片的数据都被存入第四片，其原因之一是的数据都被存入第四片，其原因之一是_。A) A12断线断线 B) A11断线断线C) A10断线断线D) A9断线断线 B) A11断线断线19RAM的地址范围是的地址范围是_。为了使系统能够正常工作，为了使系统能够正常工作，2712

14、8芯片的芯片的A13引脚引脚应接应接_（高、低）电平。（高、低）电平。8255A口的地址是口的地址是_。D2000HD3FFFH 低电平低电平1101 1110020 已知已知6116RAM(2K8)的地址范围为的地址范围为0000H07FFH, 发现其中低发现其中低1K字节与高字节与高1K字节的每个对应单元内容相同字节的每个对应单元内容相同(即即0000H与与0400H内容相同内容相同,其余依次类推其余依次类推),其原因是其原因是_.A) 仅片内最高地址线与电源短路仅片内最高地址线与电源短路B) 仅片内最高地址线开路仅片内最高地址线开路C) 仅片内最高地址线与地短路仅片内最高地址线与地短路D

15、) 以上三种情况都可能以上三种情况都可能 D) 以上三种情况都可能以上三种情况都可能 21 若某若某RAM芯片的地址线芯片的地址线A0与地短路，则与地短路，则_。A) 该芯片不能读写数据该芯片不能读写数据B) 会烧坏芯片会烧坏芯片C) 只能读写偶地址单元只能读写偶地址单元D) 只能读写奇地址单元只能读写奇地址单元 C) 只能读写偶地址单元只能读写偶地址单元22用用1K4存储器芯片组成存储器芯片组成16K8存储器子系存储器子系统时，需用地址线总数量最少为统时，需用地址线总数量最少为_。 14根根一个半导体存储器的芯片的引脚有一个半导体存储器的芯片的引脚有A13A0、D3D0、WE、CE、CS、V

16、cc、GND等，等，该芯片的存储容量是该芯片的存储容量是_，用该芯片组，用该芯片组成一个成一个64KB的存储器，需要的存储器，需要_个独立的片个独立的片选信号。选信号。 16K4 4 23一个一个SRAM芯片，有芯片，有14条地址线和条地址线和8条数据线，条数据线，问该芯片最多能储存问该芯片最多能储存ASCII字符的个数为字符的个数为_。 16384 采用与上题相同容量的采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯芯片，则该芯片的地址线条数为片的地址线条数为_。 7设某设某DRAM芯片的容量为芯片的容量为16KN（N为为4或或8），它的地址线和数据线分别是），它的地址线和数据线分别是_。 A0A6，D0D(N-1) 24A10A9A0A9A11A0D0D3D4D7IOM /译译码码器器I/O0WRWEI/O3CS2114(1)A9A0I/O0WEI/O3CS2114(2)8088Y2A9A0I/O0WEI/O3CS2114(3)A9