兰州MOSFET功率器件项目招商引资方案_模板参考

1、泓域咨询/兰州MOSFET功率器件项目招商引资方案目录第一章 项目基本情况7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则8五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度10七、 环境影响10八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议13第二章 市场分析14一、 全球半导体行业发展概况14二、 功率MOSFET的行业发展趋势14第三章 项目背景及必要性17一、 功率器件应用发展机遇17二、 功率半导体行业概述21三、 打造甘肃新兴增长极23四、 加快建设创新平台23第四章 选址分析25一、 项目选址原则

2、25二、 建设区基本情况25三、 提升企业创新能力30四、 推动兰州新区扩容提质30五、 项目选址综合评价33第五章 产品方案分析34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表34第六章 法人治理36一、 股东权利及义务36二、 董事40三、 高级管理人员45四、 监事47第七章 运营管理49一、 公司经营宗旨49二、 公司的目标、主要职责49三、 各部门职责及权限50四、 财务会计制度53第八章 人力资源配置分析57一、 人力资源配置57劳动定员一览表57二、 员工技能培训57第九章 进度计划60一、 项目进度安排60项目实施进度计划一览表60二、 项

3、目实施保障措施61第十章 工艺技术及设备选型62一、 企业技术研发分析62二、 项目技术工艺分析64三、 质量管理65四、 设备选型方案66主要设备购置一览表67第十一章 节能方案说明69一、 项目节能概述69二、 能源消费种类和数量分析70能耗分析一览表70三、 项目节能措施71四、 节能综合评价72第十二章 原辅材料供应、成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十三章 项目环境保护75一、 编制依据75二、 环境影响合理性分析76三、 建设期大气环境影响分析78四、 建设期水环境影响分析81五、 建设期固体废弃物环境影响分析81六、 建设

4、期声环境影响分析81七、 建设期生态环境影响分析82八、 清洁生产83九、 环境管理分析84十、 环境影响结论87十一、 环境影响建议87第十四章 投资估算及资金筹措88一、 投资估算的依据和说明88二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表91四、 流动资金93流动资金估算表93五、 总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十五章 项目经济效益97一、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配

5、表102二、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104三、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106第十六章 招标及投资方案108一、 项目招标依据108二、 项目招标范围108三、 招标要求108四、 招标组织方式111五、 招标信息发布111第十七章 总结评价说明112第十八章 补充表格114主要经济指标一览表114建设投资估算表115建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123

6、利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表126建筑工程投资一览表127项目实施进度计划一览表128主要设备购置一览表129能耗分析一览表129第一章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称：兰州MOSFET功率器件项目项目单位：xx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约79.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、

7、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）技术原则1、所

8、选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。五、 建设背景、规模（一）项目背景除了MOSFET

9、功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积52667.00（

10、折合约79.00亩），预计场区规划总建筑面积85824.64。其中：生产工程61405.50，仓储工程9662.08，行政办公及生活服务设施9554.40，公共工程5202.66。项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响项目符合国家和地方产业政策，选址布局合理，拟采取的各项环境保护措施具有经济和技术可行性。建设单位在严格执行项目环境保护“三同时制度”、认真落实相应的环境

11、保护防治措施后，项目的各类污染物均能做到达标排放或者妥善处置，对外部环境影响较小，故项目建设具有环境可行性。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资35358.47万元，其中：建设投资27542.33万元，占项目总投资的77.89%；建设期利息648.51万元，占项目总投资的1.83%；流动资金7167.63万元，占项目总投资的20.27%。（二）建设投资构成本期项目建设投资27542.33万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用23537.18万元，工程建设其他费用3335.42万元，预备费6

12、69.73万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入70800.00万元，综合总成本费用54886.83万元，纳税总额7494.75万元，净利润11644.53万元，财务内部收益率24.56%，财务净现值14456.23万元，全部投资回收期5.64年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积52667.00约79.00亩1.1总建筑面积85824.641.2基底面积29493.521.3投资强度万元/亩330.462总投资万元35358.472.1建设投资万元27542.332.1.1工程费用万元23537.18

13、2.1.2其他费用万元3335.422.1.3预备费万元669.732.2建设期利息万元648.512.3流动资金万元7167.633资金筹措万元35358.473.1自筹资金万元22123.603.2银行贷款万元13234.874营业收入万元70800.00正常运营年份5总成本费用万元54886.836利润总额万元15526.047净利润万元11644.538所得税万元3881.519增值税万元3226.1110税金及附加万元387.1311纳税总额万元7494.7512工业增加值万元25322.9113盈亏平衡点万元24930.51产值14回收期年5.6415内部收益率24.56%所得税后

14、16财务净现值万元14456.23所得税后十、 主要结论及建议该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。第二章 市场分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平

15、板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSF

16、ET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据

17、Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功

18、率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。第三章 项目背景及必要性一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国

19、家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩

20、的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共

21、充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入

22、整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以

23、高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71

24、.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMI

25、MO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计

26、，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网

27、、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而

28、言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件

29、的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。三、 打造甘肃新兴增长极围绕打造甘肃省科创引领的战略性新兴产业集聚区、优质高效的现代服务业集聚区的定位，发挥科创人才集聚优势，培育催生集聚一批高新企业，加快建设航空产业园。重点发展人工智能、无人驾驶技术与设备、生物医药健康产业集群。结合兰州主城区

30、功能人口疏解，积极发展总部经济、会展经济、中高端消费、现代供应链、人力资本服务等现代服务业。打造绿色生态宜居、功能配套完善、营商环境一流、创新活力迸发的区域新兴增长极。四、 加快建设创新平台建设重大科研平台载体，深化科技体制改革，全面激发科研人员创新活力，不断巩固高校、科研院所创新优势。提升创新基础平台能力。着力推动重大科技基础设施和创新平台建设，努力争创同位素国家实验室和西北生态环境资源国家技术创新中心。积极争取核产业研究院等一批国家重点实验室、国家技术创新中心等基础研究和应用研究平台布局兰州。突出核技术、寒旱农业、真空装备、电子信息、农作物育种等技术优势，争取实施一批国家科技计划、大科学计

31、划、大科学工程和国家合作项目。统筹科技孵化器平台建设。重点建设电子信息、生物医药、新材料、先进制造、航空航天等领域科技企业孵化器，支持省内高校、科研院所发挥学科优势，建设完善创新服务平台。引导和支持校校、校所、校企间组建一批专业孵化服务载体。争取建设综合性国家科学中心。加快国家级创新平台建设，支持兰州大学“双一流”建设，积极筹建同位素国家重点实验室、西北生态环境资源国家技术创新中心、中国科学院大学兰州分院、重离子加速器大科学工程，建设一批以科教融合为特色的创新型学院，打造区域性创新高地，争创兰州综合性国家科学中心。第四章 选址分析一、 项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求；2、满足项目对：

32、原材料、能源、水和人力的供应；3、节约和效力原则；安全的原则；4、实事求是的原则；5、节约用地；6、注意环保（以人为本，减少对生态环境影响）。二、 建设区基本情况兰州，甘肃省辖地级市，是甘肃省省会及政治、文化、经济和科教中心、西部地区重要的中心城市，批复确定的甘肃省省会、西北地区重要的工业基地和综合交通枢纽、西部地区重要的中心城市之一、丝绸之路经济带的重要节点城市。截至2020年7月，全市下辖5个区、3个县、3个国家级开发区，总面积1.31万平方公里。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，兰州市常住人口为4359446人。兰州地处中国西北地区、中国大陆陆域版图的几何中心、甘肃省

33、中部，是国家向西开放的战略平台，西部区域发展的重要引擎，西北地区的科学发展示范区，历史悠久的黄河文化名城、西部地区有国际影响力的现代化中心城市、面向“一带一路”、辐射中亚西亚南亚的现代化、国际化大都会。兰州自秦朝设县以来已有2200多年的建城史，自古就是“联络四域、襟带万里”的交通枢纽和军事要塞，以“金城汤池”之意命名金城，素有“黄河明珠”的美誉。兰州得益于丝绸之路，成为重要的交通要道、商埠重镇。后成为中国最早接受近代工业文明的城市之一，新中国成立后被国家确定为重点建设的工业基地之一，成为国家重要的石油化工基地、生物制药基地和装备制造基地。2012年，西北第一个国家级新区兰州新区获批。当前和今

34、后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际力量对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加，新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，世界进入动荡变革期，单边主义、保护主义、霸权主义对世界和平与发展构成威胁。我国已转向高质量发展阶段，制度优势显著，治理效能提升，经济长期向好，物质基础雄厚，人力资源丰富，市场空间广阔，发展韧性强劲，社会大局稳定，继续发展具有多方面优势和条件。面临的机遇。一是“一带一路”建设带来的机遇。共建“一

35、带一路”已成为我国参与全球开放合作、改善全球治理关系、促进全球共同发展繁荣以及推动构建人类命运共同体的中国方案。“十四五”时期，中巴经济走廊和孟中印缅经济走廊的加快建设，将使兰州成为我国西北地区对外开放的重要枢纽和重大支撑点。二是推进西部大开发形成新格局带来的机遇。2019年制定实施的关于新时代推进西部大开发形成新格局的指导意见，明确了将在培育西部地区新材料和生物医药等战略性新兴产业发展、推进“西部陆海新通道”建设、打造无水港、推动跨省毗邻地区协同开放发展等方面加大政策和资金支持力度，为兰州扩大开放、培育战略性新兴产业、推动现代化中心城市高质量发展提供了良好外部环境。三是推动黄河流域生态保护和

36、高质量发展带来的机遇。“十四五”时期，国家实施的黄河流域生态保护和高质量发展战略将推动黄河流域中心城市等经济发展条件较好的地区集约发展，提高经济和人口承载能力。兰州市作为黄河上游重要的区域中心城市，将是黄河流域生态保护和高质量发展战略的主要政策受益区，一大批重大生态保护工程和高质量发展项目将加快实施。四是兰西城市群建设带来的机遇。“十四五”时期，国家将持续加大对京津冀地区、长江三角洲、珠江三角洲、成渝地区、关中平原、兰州-西宁等城市群建设的支持力度，为提高兰州作为现代化中心城市的辐射带动力提供了良好战略契机。五是获批国家级平台带来的发展机遇。兰白国家自主创新示范区成为全国第19个、欠发达地区首

37、个国家自主创新示范区以及兰州市入围国家物流枢纽承载城市带来的机遇。六是新发展格局带来的机遇。“十四五”时期，我国加快建设现代化经济体系，加快构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局。加快发展实体经济，促进消费升级，将给兰州市优化经济结构带来机遇。七是新一轮科技革命带来的机遇。随着第四次科技革命和产业变革孕育兴起，人工智能、大数据、物联网、云计算、虚拟现实、区块链等高新技术快速发展，为兰州传统产业升级改造、制造业和服务业融合发展以及构建现代产业体系带来重大机遇。八是甘肃省加快发展带来的机遇。甘肃省以十大生态产业为发力点，着力打造“一带一路”文化、枢纽、技术、信息、生态五个制高点

38、，加快经济转型升级，加快推进创新突破，加快构建多向开放格局，特别是榆中生态创新城建设成为省级重大发展战略，为兰州发挥省会城市辐射带动作用带来重要发展机遇。面临的挑战。一是经济综合实力不强。经济总量偏小，增长速度较慢，县域经济发展不足，综合实力较弱，省会城市辐射带动作用不强。二是产业内部结构不合理。传统产业占比较大，产业链条短；战略性新兴产业总量偏小，发展速度不快；服务业以传统业态为主，现代服务业特别是生产性服务业发展滞后；民营企业发展较弱，市场活力不足。三是创新驱动能力不强。创新体系尚不完善，顶尖人才和高端研发团队缺乏，产学研结合不够紧密，创新成果转移转化率还不够高，新旧动能转换滞后。四是对外

39、开放层次较低。甘肃（兰州）国际陆港、兰州新区综合保税区等开放平台优势作用发挥不足；具备参与国际化竞争实力的骨干企业较少；进出口结构调整步伐缓慢。五是民生保障短板明显。城市基础设施欠账较多，功能配套不够完善。文化、体育、教育、医疗等资源供给不充分不均衡；养老服务质量仍需提升，城乡居民收入水平不高。这些问题和矛盾需要在“十四五”时期下大力气加以解决。综合判断，“十四五”期间兰州将迎来自身比较优势的重塑期、新旧动能转换的爬坡期、高质量发展的攻坚期，仍然处于可以大有作为、更需主动作为的重要战略机遇期，我们必须主动作为、抢抓机遇、乘势而上，充分认识新时代赋予的新使命，切实增强使命感、责任感和紧迫感，坚持

40、以人民为中心的发展思想，突出改革创新，破解发展难题，奋力开启兰州现代化建设新征程。锚定2035年远景目标，到2025年努力实现以下发展目标：经济发展取得新成效。地区生产总值年均增长6.5%以上，力争总量突破4000亿元大关，整体经济实力再上新台阶，核心竞争力和辐射引领作用显著增强。创新驱动取得新进展。国家和省级创新平台建设持续推进，科技创新能力持续提升，全社会研发投入强度达到2.4%，数字经济核心产业增加值占GDP比重累计增长2%。三、 提升企业创新能力加大企业创新投入力度，实施企业壮大和培育工程，促进各类创新要素向企业集聚，让企业真正成为技术创新决策、研发投入、科研组织、成果转化的主体。全面

41、支持企业创新。强化企业创新主体作用，实施高新技术企业倍增行动、大型工业企业研发机构全覆盖行动和上市企业培育行动，打造一批创新生力军。鼓励大型国有企业、军工企业积极开展自主创新，成为创新发展的重要策源地。大力扶持初创企业和中小微企业，实施新一轮科技型初创企业培育工程，加快培育成长型企业，形成合理的企业梯队结构。加强大型国有企业、中小微企业共建共性技术平台，推动产业链中下游、大中小企业融通创新。加大企业创新扶持力度。健全政府投入为主、社会多渠道投入机制。多举措支持企业加大研发投入，简化企业研发费用税前加计扣除、技术转让以及高新技术企业等税收优惠政策的办事流程，对已建立研发准备金制度的企业实行普惠性

42、财政后补助。鼓励传统金融机构加大对科技型、创新型企业的信贷支持力度。探索设计符合科技创新企业特征的金融产品。四、 推动兰州新区扩容提质围绕西北地区重要的经济增长极、国家重要的产业基地、向西开放的重要战略平台和承接产业转移示范区的定位，立足“经济新区、产业新区、制造新区”，加速聚要素、增量级、提质量、强功能，构建现代化经济体系，进一步激发兰州新区的发展活力，加快与中心城区的同城化发展，打造西北地区产业发展集聚区、集成改革先行区、创新驱动引领区、生态治理示范区、对外开放新高地、城市建设新标杆，努力建设现代化国家级新区。夯实新区产业功能。强化新区产业集聚功能，实施产业“倍增”计划和工业强区战略，打造

43、绿色化工、新材料、商贸物流3个千亿级产业，先进装备制造、清洁能源、城市矿产和表面处理3个五百亿级产业，信息、生物医药、现代农业、文化旅游、现代服务业5个百亿级产业，建成西部高端产业集聚区。打造国家向西开放平台。增强新区对外开放门户枢纽功能，统筹兰州国际空港、兰州新区综合保税区、中川北站铁路口岸和国际通信专用通道，打造“一区、一港、一口岸、一通道”开放大平台，加快推进进口药品指定口岸申报，打造辐射西部、中部地区的进口商品分拨中心平台，积极申报建设中国（甘肃）自由贸易试验区兰州片区和国家临空经济示范区，建设向西开放发展先行区。激发新区创新引领功能。打造国家级重大基础科研平台和产学研合作平台，建设精

44、细化工中试基地、新能源、新材料、医药中间体、稀土材料应用、生物医药、装备制造、现代农业等科研成果转化基地。以兰州新区职教园区为依托，重点发展职业技术教育产业、实训基地及相关配套产业、科教产业，打造全国一流职教园区，争创国家产教融合型城市。建设高品质人居环境。提升新区生态环境品质，大力推进生态绿化工程建设，实施城市园林绿化和低丘缓坡生态修复工程，争取兰州新区纳入国家山水林田湖草生态保护修复试验区。依法依规做好低丘缓坡土地治理利用，创建兰州-新区-白银黄河上游水土保持和生态修复示范区，构筑新区城市生态屏障和兰州市区北部生态屏障。深入推进黄河流域新区段综合治理和生态修复，建设兰州新区黄河上游生态修复

45、水源涵养示范园区。完善新区综合服务功能，加快智慧新区建设，大力提高新区公共服务能力，吸引国内外优质教育医疗资源向新区聚集，建设体育文化园区，争取举办优势体育赛事。加快推进兰州新区承接陇南等地暴雨洪涝灾害灾后重建搬迁安置，有序落实移民安置，配套做好户籍迁移、就业就学和社会保障，增强兰州新区产业集聚和人口吸附力。推动与主城区相向融合发展。构建连接主城区的同城化交通体系，采用一体化机制建设“5+1”多条快速联系通道，构建连接中心城区的多通道现代交通体系，打造“半小时同城化交通圈”。进一步提高兰州新区与周边地区通达性，建成中通道、中兰客专兰州段和兰州新区高铁南站，规划建设兰州新区至永登、西固、连海地区

46、的快速通道。打造兰州新区高铁南站综合枢纽，提升物流集散、中转服务等综合服务功能。推动兰州新区“向东向南”发展，逐步发展新区东南片区向主城区过渡地带，布局建设商贸物流、文化旅游、养生养老、商务中心、生态住宅等领域项目，牵引新区与主城区相向融合发展。五、 项目选址综合评价项目选址应统筹区域经济社会可持续发展，符合城乡规划和相关标准规范，保证城乡公共安全和项目建设安全，满足项目科研、生产要求，社会经济效益、社会效益、环境效益相互协调发展。 第五章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积52667.00（折合约79.00亩），预计场区规划总建筑面积85824.64。

47、（二）产能规模根据国内外市场需求和xx投资管理公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件MOSFET功率器件，预计年营业收入70800.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件

48、xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xx70800.00受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。第六章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司建立股东名册，股东名册是证明股东持有公司股份的充分证据。股东按其所持有股份的种类享有权利，承担义务；持有同一种类股份的股东，享有同等权利，承担同种义务。2、公司在召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时，由董事会决定某一日为股权登记

49、日。3、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。4、股东

50、提出查阅前条所述有关信息或者索取资料的，应当向公司提供证明其持有公司股份的种类以及持股数量的书面文件，公司经核实股东身份后按照股东的要求予以提供。股东从公司获得的相关信息或者索取的资料，公司尚未对外披露时，股东应负有保密的义务，股东违反保密义务给公司造成损失时，股东应当承担赔偿责任。5、公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。股东大会、董事会的会议召集程序、表决方式违反法律、行政法规或者本章程，或者决议内容违反本章程的，股东有权自决议作出之日起60日内，请求人民法院撤销。6、董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损

51、失的，连续180日以上单独或合并持有公司1%以上股份的股东有权书面请求监事会向人民法院提起诉讼；监事执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损失的，前述股东可以书面请求董事会向人民法院提起诉讼。监事会、董事会收到前款规定的股东书面请求后拒绝提起诉讼，或者自收到请求之日起30日内未提起诉讼，或者情况紧急、不立即提起诉讼将会使公司利益受到难以弥补的损害的，前款规定的股东有权为了公司的利益以自己的名义直接向人民法院提起诉讼。他人侵犯公司合法权益，给公司造成损失的，本条第一款规定的股东可以依照前两款的规定向人民法院提起诉讼。7、董事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定，

52、损害股东利益的，股东可以向人民法院提起诉讼。8、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）依其所认购的股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（5）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。9、持有公司5%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当

53、自该事实发生当日，向公司作出书面报告。10、公司的控股股东、实际控制人不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司其他股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和其他股东的合法权益，不得利用其控制地位损害公司和其他股东的利益。公司应防止控股股东及关联方通过各种方式直接或间接占用公司的资金和资源，不得以下列方式将资金直接或间接地提供给控股股东及关联方使用：（1）有偿或无偿地拆借公司的资金给控股股东及关联方使用；（2）通过银行或非银行金融机构向控股

54、股东及关联方提供委托贷款；（3）委托控股股东及关联方进行投资活动；（4）为控股股东及关联方开具没有真实交易背景的商业承兑汇票；（5）代控股股东及关联方偿还债务；（6）以其他方式占用公司的资金和资源。公司财务部门应分别定期检查公司与控股股东及关联方非经营性资金往来情况，杜绝控股股东及关联方的非经营性资金占用情况的发生。在审议年度报告的董事会会议上，财务总监应向董事会报告控股股东及关联方非经营性资金占用和公司对外担保情况。股东大会授权董事会制定防止大股东、实际控制人及关联方占用公司资金的具体管理制度。公司董事、监事、高级管理人员有义务维护公司资金不被控股股东占用。公司董事、高级管理人员协助、纵容控

55、股股东及其附属企业侵占公司资产时，公司董事会应视情节轻重对直接责任人给予处分和对负有严重责任的董事予以罢免。发生公司股东及其关联方以包括但不限于占用或转移公司资金、资产及其他资源的方式侵犯公司利益的情况，公司董事会应立即以公司的名义向人民法院申请对股东所侵占的公司资产及所持有的公司股份进行司法冻结。凡股东不能对所侵占公司资产恢复原状或现金清偿或现金赔偿的，公司有权按照有关法律、法规、规章的规定及程序，通过变现控股股东所持公司股份偿还所侵占公司资产。二、 董事1、公司设董事会，对股东大会负责。2、董事会由9名董事组成（其中独立董事3人），设董事长1人3、董事会行使下列职权：（1）召集股东大会，并

56、向股东大会报告工作；（2）执行股东大会的决议；（3）决定公司的经营计划和投资方案；（4）制订公司的年度财务预算方案、决算方案；（5）制订公司的利润分配方案和弥补亏损方案；（6）在股东大会授权范围内，决定公司对外投资、收购出售资产、资产抵押、对外担保事项、委托理财、关联交易等事项；（7）决定公司内部管理机构的设置；（8）聘任或者解聘公司总经理、董事会秘书；根据总经理的提名，聘任或者解聘公司副总经理、财务总监等高级管理人员，并决定其报酬事项和奖惩事项。4、公司董事会应当就注册会计师对公司财务报告出具的非标准审计意见向股东大会作出说明。5、董事会制定董事会议事规则，以确保董事会落实股东大会决议，提高工作效率，保证科学决策。6、董事会应当确定对外投