放大器的设计与分析

1、晶体管静态特性曲线分析一、仿真目的以三极管2N2222为例，运用Multisim对三极管的输入输出特性进行分析。1) 参照图一构建用于分析晶体管特性特性曲线的仿真电路。2) 参照图二，以Uce为参变量，通过仿真分析画出输入特性曲线 Ube-lb.。3) 参照图三，以 ib 为参变量，通过仿真分析画出输出特性曲线 UceIc 提醒：三、设计出用于分析NPN型晶体管输入输出特性的电路；四、按要求选择合适的软件工具画出输入输出特性曲线，并对仿真进行总结分析， 即：运用 Multisim 完成性能仿真 , 再选用自己熟悉的画图工具完成曲线绘制。二、仿真电路图三、三极管输入输出特性曲线仿真过程、输入特性

2、曲线：集电极与射级之间电压可通过 R1和滑动变阻器调整，当变阻器阻值为0Q时Uce=0V之后通过增加滑动变阻器阻值可改变 Uce,将Uce取0、1、5V，测试输入特性曲线，过程如下：Uce=0V时：测出10个lb随Ube改变的值如下图：Uce=1V时：测出10个lb随Ube改变的值如下图：Uce=1V时：测出10个lb随Ube改变的值如下图：输入特性曲线：分析如下：从曲线可知：Uce=0V时，晶体三极管的输入特性曲线与二级管的正向伏安特性相同，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏。Uce>1时, 集电结进入反偏状态，特性曲线将向右稍微移动一点，故 Ic/Ib 增大，但 Uce 再增加

3、时，曲线右移很不明显。在一般情况下，硅管发射结电压Ube=0.7V,错管发射结电压 BUbe=0.3V.。、输出特性曲线：若想调整 Ib 则需不断调整基级初滑动变阻器，且将左边电路中定值电阻调制500KQ,使其将为0A,后不断调动滑动变阻器使Ib取0、20uA、40Ua 60uA,测试输出特性曲线，过程如下：Ib=0 时：测出10个Ib随Ube改变的值如下图：Ib=20uA 时：测出10个Ib随Ube改变的值如下图：Ib=20uA 时：测出10个Ib随Ube改变的值如下图：Ib=20uA 时：测出10个Ib随Ube改变的值如下图：输出特性曲线：分析如下：由图以及相应资料可以知道：输出特性曲线可

4、分三个工作区域：饱和区：在此区域中的电压Uce数值很小，发射结和集电结均处于正向 偏置。lc主要随Uce增大而增大，对Ib影响不明显。放大区：此区域中三极管发射结正向偏置， 集电结反向偏置。 各输出特 性曲线近似为水平的直线，此时原来流入基级的电流绝大部分被集电极拉 走，表示当 Ib 一定时， Ic 的值基本不随 Uce 而变化。而三极管在放大电 路中主要工作在这个区域中。截止区：此次实验中没有做出截止区的图像， 原因看可能由于自身原因调出的lb未能显示出来，但在实验过程中可分析出其为lb < 0的一系列工作曲线。三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。四、总结思考 仿真过程中遇到了许多令人困扰的问题，最典型的莫过于：在最开始的时 候确定了 Uce但在仿真过程中变动Ube时Uce会不停的变动，也要想控制 其不变是非常困难的，这个问题一度导致我们无法继续进行仿真，后来在 想询问了老师之后才发现我们的想法是出了一点小问题，在只要保证最初 设定好的并不在变化其相关元器件即可。这类层出不穷的问题一次一次的 难道了我们但又一次一次的让我们进步，这些问题不断的告诉我，做事要 认真！在 Multisim 仿真与学习过程中， 发现