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文档简介

(1)输入转移特性 VDS固定,ID与VGS的关系(2)输出特性 对于各种固定的VGS,ID与VDS的关系。NMOS管测试电路PMOS管实际工作时如图(a),但仿真测试时一般用图(b),电路画法与NMOS相同,但VGS和VDS都加负压。有多种工程定义:本课程采用“输入特性曲线斜率变化最大的点对应的电压”。统一为:输出特性曲线中斜率变化最大的点。只要输出回路电流完全由输入回路电压决定,即使k很小也能实现电压放大。oxDgsgdCLWCCoxDgbCLLWC)2(TOXCoxox覆盖电容栅极与体之间的电容TOX是栅氧化层厚度栅极电容与栅极电容与MOS管的管的WL乘积成正比乘积成正比任何两极之间存在电容在没有好的多晶电容的工艺中,常使用MOS管(栅)作为电容。VGS不是足够“负”,也不是足够“正”,栅氧化层下方自由电子或空穴浓度都很低,下极板情况复杂,电容随电压变化。VGS足够大时,在栅氧下形成导电沟道,将源和漏连通,沟道相当于栅电容的一个极板。这种情况电容性能较好。此课件下载可自行编辑修改,供参考!感谢您的支持,我们努力做得更好!

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