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1、实验七：四探针法测量材料的电阻率和电导率ID:20110010020实验目的:1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理；2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；3、能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理实验原理:单晶硅体电阻率的测量测试原理：直流四探针法测试原理简介如下:当1、2、3、4根金属探针排成直线时，并以一定的压力压在半导体材料上，在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。材料的电阻率尸/Ss）（1式中C为探针系数，由探针几何位置、样品厚度和尺寸决定，通常表示为C=F（D/S）F（W/S）,E乎，W式中：F（WS）F（D/SFsp分别样品厚度修正因子、

2、直径修正因子、探针间距修正系数（四探针头合格证上的F值）。W:片厚，D:片径，S:探针间距。实验装置:使用RTS-4型四探针测试仪1、电气部分：过DC-DC变换器将直流电转换成高频电流，由恒流源电路产生的高频稳定恒定直流电流其量程为0.1mA、1mA、10mA、100mA;数值连续可调，输送到1、4探针上，在样品上产生电位差，此直流电压信号由2、3探针输送到电气箱内。再由高灵敏，高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大（放大量程有0.763、7.63、76.3）。放大倍数可自动也可人工选择，放大结果通过A/D转换送入计算机显示出来。RTS-例四探针测试仪框图如下所示。国2四探期试M电气刍分原理方

3、也:2。测试架探头及压力传动机构、样品台构成，见图3所示，探头采用精密加工，内有弹簧加力装置，测试需要对基片厚度进行测量，以便对探头升降高度进行限制。图3测试架结构图实验内容:一、测试准备：将220V电源插入电源插座，开机后等十分钟在进行测量。1 .利用标样学习测试参数确定：进入系统，打开主界面。Q选择参数：选择测试类别（如薄圆片还是棒材电阻率等）；酬入参数：片厚（mm）；直径；选择电流量程。C试测量，记录测试结果。2 .与标准样品参数比较按照已知条件标准样品在环境温度23c时，电阻率为：0.924Q*cm（中心点），与测量结果对比，说明产生差别的原因。二、样品测量：将待测样品放在探针下部，按上面选择测量参量，输入被测样品的厚度、直径、电流量程，点击测试测量键，开始测量，记录测试结果。注：测量过程中不要移动探针和样品。同一样品重复测量3次，将三次测量得的电阻率值取平均，即为样品的平均电阻率值。将结果记录在表格。电阻P1(Q*cm)*cm)R(Q*cm)平均值单晶硅薄圆片2.492.512.482.49方块ITO

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