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1、A命题教师： 吴春霞 共6 页第1 页卷江苏大学试题（2011 -2012 学年第 一 学期） 学生所在学院 材料科学与工程学院 专业、班级 学号 姓名 课程名称半导体材料开课学院材料科学与工程学院使用班级无机光电0901、0902 考试日期2011年12月25日题 号一二三四五六七八总分核查人签名 得 分阅卷教师一、名词解释题（共10题，每题3分）1、区熔提纯2、反外延3、间接跃迁4、MOCVD江 苏 大 学 试 题第2页5、超晶格6、阱宽7、贫乏层8、临界半径9、成核率10、完整突变光滑面二、简述题（共10题，每小题5分）1、简述高纯硅的制备过程2、一次区熔提纯和正常凝固的区别和联系3、假

2、设一从熔体中生长晶体的过程是从成核开始的（核已达临界半径），试问在给定的温度下，该晶体生长的过程是等速的吗？说明理由。4、Ko是体系处于固、液两相平衡时得出的杂质分配关系，试做出界面附近Ko小于1和大于1的杂质分布图。5、什么是有效分凝系数？请写出它与平衡分凝系数K0的关系式，并给出字母的物理含义。6、试举出ii-vi族化合物中存在的6种缺陷，并说明其在晶体中的位置和产生的能级性质。7、什么是液相生长？必须满足的热力学条件是什么？8、试述直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法9、什么是自补偿现象？10、在SOS技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何解决？三、计算题（第1小题6分，第2,3小

3、题各7分）1、硅多晶200g，掺P-Si母合金0.5g，拉单晶头部电阻率为1.0·cm（相应掺杂浓度为5.2×1015cm-3），则母合金浓度为？根据左图推算出当BPS公式中，和 时对于k为0.1、0.5和10.0的杂质的平衡分凝系数的值。2、3、欲把1100g高纯多晶硅拉制成=2050·cm的N型单晶。试拉制杂质浓度为5×1013cm-3的P型单晶，责应掺入电阻率为8×10-3·cm的P-Si合金多少？已知：坩埚直径为13cm，硅和母合金熔化到放肩约1h。由硅的-N图查得掺磷母合金8×10-3·cm，相应的杂质浓度为7×1018cm-3；。=50·cm的N型Si单晶所对应的杂质浓度为1×

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