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文档简介

1、分立器件热阻测试方法一、瞬态热阻瞬态热阻是指器件在脉冲工作状态下的热阻。脉冲作用下的瞬态热阻定义为最大结温升与耗散功率脉冲幅值之比。对功率晶体管通常以壳温作为温度参考点，其表达式为：0jC=Tj/PH=(Tj-TC)/PH(1)其中 Tj 为芯片结温；T壳温；PH 为施加的脉冲功率。瞬态热阻测量归结为对脉冲功耗 PH 壳温 TCMZ温 Tj 的测量。显然，双极晶体管的结温 Tj无法进行直接测量。为此，电学法利用发射结的正向压降 VBE 与结温 Tj在相当宽的范围内(0200C)呈线性关系，通过对 VBE 的测量间接地测量结温 Tj。关系式为：VBE(Tj)=MXTj=VBE(Ta)-VBE(T

2、j)(2)式中 M 为温敏系数，是与温度 T 基本无关的负常数；VBE(Ta),VBE(Tj)分别为加脉冲功率前、后的温敏参数值。由(1)和(2)式得到瞬态热阻与温敏参数 AVB 灰系表达式：0jC=VBE(Tj)/PH(3)公式(3)为电学法测量瞬态热阻的基本原理：在一定条件下，器件从结到外壳的热阻 0jC 和VBE 成正比关系。图 1 所示为单脉冲测量双极晶体管瞬态热阻时序。图中 tH 为加热功率持续时间；tms 为温敏参数的测试时间；td 为加热脉冲切断后测量 VBE(Tj)的延迟时间。图 1 单脉冲测量瞬态热阻时序二、晶体管热阻的测试电路原理根据瞬态热阻测试原理，图 2 所示为国标和军

3、标中关于分立器件热阻的测试电路原理图。每次测试的大致情况是：（1）首先，开关S1 和 S2 置于 2,用于加热前被测器件 DU 福敏参数（源漏 SD 之间）的电压 VSD量；（2）然后，开关 S1 和 S2 置于 1,对被测器件施加功率（功率设置为 VDSID）;最后，断开功率（开关 S1 和 S2 断开 1 置于 2）后，在很短的延迟后，快速对温敏参数 VSM 行测量。图 2（S1 和 S2 分别置于 1 的位置是加热状态，置于 2 则用于器件初始值和加热后的测量状态）测量时序图如图 3 所示，测试时的测试电流 Im、加热电流 Ih、加热时间 Th（加热功率）及延时时间 Td 均可设置。在两个测试电流 Im 状态下分别测量 VBE1（VDS1）与 VBE2（V）S2）两个参数。三、参数要求项目范围调节度精度加热电流0-20A加热电压0-20

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