电子电路基础习题册参考答案第一章

1、电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§ 1-1晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力得强弱可分为导体、绝缘体 与半导体 三大类，最常用得半导体材料就是根与错 。2、根据在纯净得半导体中掺入得杂质元素不同，可形成小型半导体与 P 型半导体。3、纯净半导体又称本征 半导体，其内部空穴与自由电子数相等 。N型半导体又称电子 型半导体，其内部少数载流子就是空穴 ；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子就是电子 。4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管得开启电压约为0、5 V,错二极管得开启电压

2、约为 0、1 V;二极管导通后，一般 硅二极管得正向压降约为0、7V,错二极管得正向压降约为0、3 V。5、错二极管开启电压小，通常用于 检波电路，硅二极管反向电流 小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。6、稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管得动态电阻越小,其稳压性能好 。7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过 极限值而发生热击穿损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、 面接触 型与平面型。9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管 、开关、热敏、 发光 与 光电二极管 等二极管。10、二极管得主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压

3、、反向饱与电流与最高工作频率 。11、稳压二极管得主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 与 动 态电阻 。12、图1-1-1所示电路中，二极管VI、V2均为硅管，当开关S与M相 接时,A点得电位为无法确定 V,当开关S与N相接时,A点得电位为 0 V、13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时,A点得电位为 10V、流过电阻得电流就是 4mA :当开关S闭合时,A点得电位为0V,流过电阻得电流为2mA 。14、图1-1-3所示电路中，二极管就是理想器件，则流过二极管V1得电 流为 0、25mA ，流过V2得电流为 0、25mA ，输出电压 U0为 +5VO15、光电二极管得

4、功能就是将光脉冲 信号转换为 电信号，发光二极管得功能就是将电信号转换为光 信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将 黑表笔插入插孔，接二极管得负极;红表笔才f入 V, Q 插孔，接二极管得正极，其显示得读数为二极管得正向压降。一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流与空穴电流。(V )2、P型半导体中，多数载流子就是电子，少数载流子就是空穴。(X )3、晶体二极管有一个PN结,所以有单向导电性。(V )4、晶体二极管得正向特性也有稳压作用。(， )5、硅稳压管得动态电阻小，则稳压管得稳压性能愈好。（，）6、 将 P 型半导体与N 型半导体用一定得

5、工艺制作在一起,其交界处形成PN结。（，）7、稳压二极管按材料分有硅管与错管。（X ）8、用万用表欧姆挡得不同量程去测二极管得正向电阻,其数值就是相同得。（X ）9、二极管两端得反向电压一旦超过最高反向电压,PN 结就会击穿。 （ ）10、二极管得反向电阻越大，其单向导电Ti能越好。（X ）11、用500型万用表测试发光二极管，应选RX10K挡。（，）三、选择题1、当环境温度升高时,晶体二极管得反向电流将（A ） 。A.增大 B、减小C、不变2 、测量小功率晶体二极管性能好坏时, 应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A、RX100 或 RX1KB、 R X1C、RX10K3 、半导体中得空穴与自由

6、电子数目相等, 这样得半导体称为（ B ）。B 、 本征半导体C、N 型半导A 、 P 型半导体4、稳压管得稳压性能就是利用( B)实现得。A.PN 结得单向导电性B 、 PN 结得反向击穿特性C.PN 结得正向导通特性5、 电路如图1-1-4 所示 ,已知两个稳压管得 UZ1=7V,UZ2=5V 它们得正向压降均为0、7V,则输出电压U0为(C )A 、 12VB 、 5、 7V C、 7、 7V D 、 7V6、 在图1-1-5所示得电路中,流过二极管得电流I1、 I2 分别就是( D )。A、 I1=8mA , I2=0 B、 I1=2mA C、 I1=0, I2=6mAD、 I1=0,

7、 I2=8mA7、二极管得正向电阻(B )反向电阻。A、大于 B、小于C、等于 D、不确定8、电路如图1-1-6 所示 ,V 为理想二极管,则二极管得状态为(A )。A、导通B、截止 C、击穿9、上题中,A、B两端得电压为(C )。A、 3VB、 -3VC、 6VD、 -6V10、某二极管反向击穿电压为140V,则它得最高反向工作电压为( C )。A、 280VB、 140V C、 70VD、 40V11、二极管电路如图 1-1-7 所示 ,(1)处于导通状态得二极管就是( A )。A.只有V1导通 B.只有V2导通 C.V1、V2均导通 D.V1、V2 均不导通(2)考虑二极管正向压降为 0

8、、 7V 时,输出电压 U0 为( B )。A.-14、 3V B.-0、 7V C.-12VD.-15V12、 P 型半导体中多数载流子就是( D ),N 型半导体中多数载流子就是 ( C )。A.正离子B.负离子C.自由电子 D、空穴13、用万用表RX10与RX1K挡分别测量二极管得正向电阻，测量结果就是( C ) 。A.相同 B.RX 10挡得测试值较小C.RX1K挡得测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管得正向电阻值时,测得得阻值不相同,其原因就是( c )。A.二极管得质量差B.万用表不同欧姆档有不同得内阻C.二极管有非线性得伏安特性简答题1、什么就是本征半导体？ N 型半导体

9、？ PN 结？答: 本征半导体即纯净得单晶半导体,其内部存在数量相等得两种载流子,一种就是负电得自由电子,另一种就是带正电空穴。N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴 数量,P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子 少数载流子。PN结就是采用掺杂工艺便硅与错晶体得一边形成P型区，一边形成N型半导体。五.分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中,理想二极管导通还就是截止，若导通,则流过 二极管得电流就是多少？.R . X乙 ,A ._.,1<1_a)垃c)解:图a) V导通,I=5mA图b) V截止,I=0图 c) V 导通,I=10mA2、在图1-1-9所示电路

10、中，二极管为理想二极管，ui=10sin(otV,试画出输出电压波形3、在图1-1-10所示电路中，二极管为硅管，求A点电位与流过二极管得电流。设参考为0点Ur. - " 乂10= 2K.工.-= 4mA入 0.5 + 2' 1 0.52000UA0 =X1O = 8V2500u 8L = = = 4mA22工¥=1尸1 产4：4 =。图1口一104、在图1-1-11所示电路中，二极管就是导通还就是截止，输出电压U0就是多少?图 1-1-11解:a)V 导通,U0=11、3Vb)V 导通,IO=15-12/3=2mAUr=1 X 3=3V Uo=Ur-15=-12V

11、c)V 导通，Uo=0、7V§ 1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个PN结,分别为 发射结、集电结，三个电极分别为发射极 、基极 与 基极,三极管按内部结构不同可分为NPN与 PNP型。2、晶体三极管实现电流放大作用得偏置条件就是发射结正偏与集电结反偏,电流分配关系就是Ie=Ic+Ib。3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 电流捽制 元件，工作在输出特性曲线上得 放大 区;在数字电子电路中，晶 体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上 区或饱与区或截止区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分 别为-10V、-10、2V、-14V,则该管为PN

12、P 型 错 材料三极管,1 脚就是 发射 极,2脚就是 基 极,3脚就是 集电 极。5、NPN型三极管，挡Ube>0、5V,Ube>Uce时,工作在 饱与 状 态;当 Ube >0、5V,Ube<Uce时,工作在 放大 状态;当Ube<0时，工作在 截止 状 态。6、当温度升高时，三极管得电流放大系数(3将升高，穿透电流ICEO将增加 ,发射结电压Ube将 增大 。7、衡量晶体三极管放大能力得参数就是共射电流放大系数,三极管得主要极限参数有集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。8、因为晶体三极管得穿透电流随温度得升高增大，而错管得穿透电流

13、比硅管a,所以玉三极管得热稳定性好。9、三极管得输出特性可分为三个区域，即截止区与放大区，当三极管工作在饱与区时，Ic= (3 Ib才成立；当三极管工作在包河区时UCE=Uces ；当三极管工作在截止区时,IC= O(ICEO)。10、ICEO称为三极管得 穿透电流，它反映三极管得温度稳定忆,ICEO就是ICBO得1+ B 倍,先诜用管子时，希望ICEO尽量11、测量晶体三极管 3AX31得电流，当Ib=20uA时,Ic=2mA;当lB=60uA 时，IC=5、4mA,则该管得 B 为 85,Iceo= 0、3mA,I cbo = 3、5uA 。12、设三极管得 PcM=150mW,Icm =

14、 100 mA,U（br）ceo=30V,若Uce=10V,I c允许得最大值为15mA;Uce=1V, Ic允许得最大值为 100mA; Ic=3A,Uce允许得最大值为30v 。13、复合管就是由 两个 以上得三极管按一定方式连接而成，用 复合管提高输出级得电流 放大倍数。14、有二只三极管构成得复合管得类型，取决于输入管 三极管 得类型，其电流放大系数B =6 1X62。二、判断题1、晶体三极管得发射区与集电区就是由同一类半导体 （N型或P型）构成得，所以发射极与集电极可以相互调换使用。（X ）2、晶体三极管得放大作用具体体现在 Ic=BIb。（ V ）3、晶体三极管具有能量放大作用。（

15、X ）4、硅三极管得Icbo值要比错三极管得小。（，）5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极 管肯定损坏。（，）6、晶体二极管与晶体三极管都就是非线性器件。（，）7、3CG21管工作在饱与状态时，一定就是UBE<UCE。（ X ）8、某晶体三极管得 Ib=10uA 时,Ic=0、44mA;I b=20u 时,Ic=0、89mA, 则它得电流放大系数B =45。（，）9、因为三极管有两个PN结,二极管有一个PN结，所以用两个二极 管可以连接成一个三极管。（X ）10、判断图1-2-1所示各三极管得工作状态（NPN型为硅管，PNP型为错管）5V-0.2v6V-7va)

16、 ) : b) ) : c)(截止)： d) (财)11、复合管得共发射极电流放大倍数B等于两管得B1、B 2之与12、晶体三极管得主要性能就是具有电压与电流放大作用。(V )三、选择题1、三极管得发射结正偏 ,集电结反偏时 ,三极管处于 (A )A、放大状态 B、饱与状态 C、截止状态2、三极管在饱与状态时，它得IC将(C )。A、随Ib得增加而增加B、随Ib得增加而减小C、与Ib无关3、三极管得特性曲线就是指它得 (C )。A 、输入特性曲线B 、输出特性曲线C、输入特性与输出特性曲线4、在三极管得输出特性曲线中 ,每一条曲线与(C )对应。A、输入电压 B、基极电压C、基极电流5、当温度

17、升高时 ,晶体三极管得参数将发生(C )变化。A、Ube增大，3增大，Icbo增大B、Ube减小，B增大,Icbo增大C、ube增大,B减小，Icbo增大6、用万用表测得电子线路中得晶体管UE=-3V,UcE=6V,UBc=-5、 4V,则该晶体管就是( c ) 。A、PNP型,处于放大状态B、PNP型,处于截止状态c、 NPN 型,处于放大状态D、 NPN 型,处于截止状态7、已知某晶体管得PcM=100mW IcM=20mA U(BR)=15V 在下列工作条件下,正常工作得就是(B ) 。A、UcE=2V,Ic=40mAB、UcE=3V,Ic=10mAC、UcE=4V,Ic=30mAD、U

18、cE=6V,Ic=20mA8、3DG6型晶体管就是（A ）。A、高频小功率硅NPN型三极管管C、高频小功率错PNP型三极管B、高频小功率错NPN型三极9、在三极管得输出特性曲线中，当旧=0时,IC就是（C ）。A、IcmB、 IcboC、Iceo10、某晶体三极管得发射极电流等于1ma基极电流等于20uA,正常工作时它得集电极电流等于（A ）。A、0、98mAB、1、02mAC、0、8mA11、图1-2-2所示电路中，三极管处于（A ）状态（V为硅管）。A、截止 B、饱与C、放大12、在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确得就是（C ）。1jECIKIX 幻+03V印b）0m-22四、简答题

19、1、什么就是三极管得输出特性？画出硅三极管在共发射极组态时得输出特性曲线，并标出它得三个工作区。答:它就是指三极管基极电流IB 一定时，三极管得集电极电流IC与集电极与发射极之间得电压UCE之间得关系曲线。icto国I 22、三极管有哪三种连接方式？画出示意图答:共发射极接法，共集电极接法，共基极接法共发射电其重即极三基汾3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件(偏执条件)就是什么？ 答:放大状态、截止状态、饱与状态。其外部条件(1)放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic受ib控制，具有 电流放大作用。同时ic得大小与uce基本无关。记住三极管放大 状态时得硅管Ube约为0、7V,错管

20、得Ube约为0、3V。截止状态时：一般把Ib=0时,这时得三极管发射结与集电结均反 偏,三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小得集电极 电流穿透电流存在。(3)饱与状态时：三极管得Uce<Ube时，在发射结与集电结均正偏 时，此时ic不受ib控制,却随着Uce得增大而增大，这时处于饱与状 态，相当于开关闭合。这时得只剩下三极管得饱与压降存在。5、标出下列复合管得等效管型与管脚。6、三极管得集电极最大允许电流就是怎样定义得?答:三极管集电极最大允许电流Icm,集电极电流过大时，三极管得B值要降低，一般规定B下降到其正常值得三分之二时得集电极电流。五、分析、计算、画图题1、一个晶体

21、三极管在工作时，测得其发射极电流lE=10mA,基极电流 Ib=400uA,求其基极电流IC与直流电流放大系数(3。解：7 , - Iu - 10- 0.4 - 9.6mA9.6 二24 042、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值(1)UBE=0、7V, UCE=0、3V; (2)UBE=0、7V,UCE=4V;(3)UBE=-0、2V,UCE=-0、3V。试分析每只管子得类型，就是硅管 还就是错管，并说明工作状态。答：(1) UBE=0、7V就是硅管，UCE=0、3V工作在饱与状态。(2) UBE=0、7V就是硅管,UCE=4V工作在放大状态。(3)UBE=-0、2V就是错管，UC

22、E=-0、3V工作在饱与状态。3、画出PNP管与NPN管得符号，并标出放大状态时各极电流方向 与各极间电压得极性。PNP正NIPNSl-2-4-1§ 1-3场效应管一、填空题1、晶体三极管就是电流 控制器件，就是通过较小得基极电流 变化去控制较大得 集电极电流 得变化。2、场效应管就是一种电压控制器件，就是用栅源电压捽制漏极电流，具有 转移特性 与 输出特性 特点。3、场效应管按其结构不同分为一结型与绝缘栅型两大类, 每类有 P 沟道与N沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状 态又可分为增强型与耗尽一型两种。4、场效应管得三个电极分别就是 栅极 、源极、与漏极 。5、场效应管得输出特性曲

23、线就是 UGS为岸侑时 漏极电流iD与 漏源电压 UDS得关系曲线，输出特性曲线分为 可变电阻区、放大饱与区与击穿区6、某耗尽型 MOS管得转移特性曲线如图 1-3-1所示由图可知时，该管得ID= 2、6mA 。8、用N沟道增强型与P沟道增强型MOS管组成互补电路，称S管，该管输入电流 小、功耗 小 与工作电源范围宽，目前广泛应用于 集成电路中。9、VMOS管与UMOS管得最大特点就是耗散功率大、工作 谏度快、耐压 高与转移特性 得线性度好，就是理想得大功率器 件。10、场效应管用于放大时，工作在 放大 区三极管用于放大时，工 作在 放大 区。11、场效应管得主要参数有 开启电压UT 、夹断电

24、压UP 、 饱与漏极电流IDSS 、 跨导gm与 漏极击穿电压U（BR）DS 。二、判断题1、晶体三极管就是单极型器件，场效应管就是双极型器件。（x ）2、通常场效应管得性能用转移特性曲线、 输出特性曲线与跨到表 示。（x ）3、场效应管得源极与漏极均可以互换使用。（x ）4、场效应管具有电流放大与电压放大能力。（X ）5、跨到就是表征输入电压对输出电流控制作用得一个参数。（V ）6、结型场效应管有增强型与耗尽型。（x ）7、绝缘栅场效应管通常称为MOS管。（，）8、P沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时 UDS与UGS都必须 为负。（V ）9、绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（X ）10、存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（V ）三、选择题1、绝缘栅场效应管有（B ）jPN结。A、3B、2C、1D