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文档简介

1、实验原理1、稳压二极管伏安特性描述2CW56属硅半导体稳压二极管,其正向伏安特性类似于1N4007型二极管,其反向特性变化甚大。当2CW56二端电压反向偏置,其电阻值很大,反向电流极小,据手册资料称其值0.5。随着反向偏置电压的进一步增加,大约到78.8V时,出现了反向击穿(有意参杂而成),产生雪崩效应,其电流迅速增加,电压稍许变化,将引起电流巨大变化。只要在线路中,对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施,其电流有小许一些变化,二极管二端电压仍然是稳定的(变化很小)。这就是稳压二极管的使用基础,其应用电路见图31。图中,E供电电源,如果二极管稳压值为78.8V,则要求E为10V左右;R限流电阻

2、,2CW56,工作电流选择8mA,考虑负载电流2 mA, 通过R的电流为10 mA,计算R值: R=200C电解电容,对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。VZ稳压输出电压。图31 稳压二极管应用电路2、实验设计图32 稳压二极管反向伏安特性测试电路1) 2CW56反向偏置07V左右时阻抗很大,拟采用电流表内接测试电路为宜;反向偏置电压进入击穿段,稳压二极管内阻较小(估计为R=8/0.008=1K),这时拟采用电流表外接测试电路。结合图31,测试电路图见图32。 实验过程电源电压调至零,按图32接线,开始按电流表内接法,将电压表端接于电流表端;变阻器旋到1100后,慢慢增加电源电压,记下电压表对

3、应数据。当观察到电流开始增加,并有迅速加快表现时,说明2CW56已开始进入反向击穿过程,这时将电流表改为外接式,按表31继续慢慢地将电源电压增加至10V。为了继续增加2CW56工作电流,可以逐步地减少变阻器电阻,为了得到整数电流值,可以辅助微调电源电压。数据记录2CW56稳压二极管正向伏安特性电流表内接法U(V)00.20.30.40.50.550.60.650.70.750.78内接法I(mA)0000.010.070.170.30.630.911.917.3电流表外接法U(V)00.20.30.40.50.550.60.650.70.750.76外接法I(mA)0000.030.10.30

4、.50.81.516.419.52CW56稳压二极管反向向伏安特性电流表内接法U(V)024677.57.67.77.87.97.95内接法I(mA)0000.010.10.250.481.35.711.216.8电流表外接法U(V)024677.57.67.77.87.9外接法I(mA)0000.020.20.51.25.59.417.9图表六、实验总结当稳压二极管尚未反向击穿时其反向电阻很大,使用电流表内接法,电流表的内阻相对于稳压二极管而言,压降很小,可以忽略。当稳压二极管反向击穿后其反向电阻很小,使用电流表外接法,电压表相对于稳压二极管而言,分流很小,可以忽略。总之,二极管正向导通时电阻值很小,采用电流表外接法测试电路产生的误差较小,二极管

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