半导体二极管分类

1、半导体二极管 整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大， 因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A 正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：>20A 最高温度：>150C例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A 正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C注：桥式整流器以此此类推。  彩电用高频高压硅整流堆： 例：2DGL20 反向工作电压：>20K

2、V正向电流：>5MA 正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：检波二极管： 一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。 例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA 截止频率：100MHZ 零偏压电容：1PF 检波效率：65% 反向电流：200 UA  例：2AP30C 反向工作电压： 10V 正向电流：2MA 反向峰值击穿电压：20V 最大整流电流：5MA 截止频率：400MHZ 零

3、偏压电容：0.6PF 反向电流：50 UA   开关二极管： 二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。   例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：4PF 反向恢复时间：3

4、ns 额定功率：30mw   FR151-158常用于高频整流，升压，有些厂家叫做快速恢复二极管。 反向工作电压：100-1000V正向电流：> 正向压降：反向恢复时间：0.7ns 反向电流：5ua阻尼二极管： 主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。  2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：>2A 正向压降：<1V反向恢复时间：2ns 浪涌电流：50A 最高结温：175C 反向电流：5 ua 

5、 FR100-107最高反向工作电压：25-1000V正向电流：>1A 正向压降：反向恢复时间：0.85ns 浪涌电流：50A最高结温：175C反向电流：5ua    稳压二极管： 稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增， 但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6

6、V两者兼而有之。小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。  2CW76功率：工作电流：<20ma 结温：<150C 漏电流：电压：11.5-12.5V 动态电阻18ohm(5ma) 压降：<1V温度系数：9*10（-4/C  2DW60功率：<1W工作电流：<6ma 结温：<150C 漏电流：电压135-155V 动态电阻700ohm(3ma) 压降<1V温度系数：12*10（-4/C瞬变电压抑制二极管： 瞬变电压抑制二极管简称为TVP管（transient-voltage-suppr

7、essor）他是在稳压管的工艺基础上发展起来的，主要应用于对电压的快速过压保护，TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：500W，1000W,1500W,5000W。每类按照其标称电压分为35种，最小击穿电压为，最大为200V.TVP管在瞬间高能量冲击时，能以极高的速度从高阻改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子的电压钳位在一个预定的数值上，钳位时间仅仅10（-12）秒。  例：TVP500-534,峰值功率：500W 击穿电压：8.2-200V 测试电流：1ma 最大钳位电压：最大峰值脉冲电流：40A 反向变位电压：6.63-162.0V 反向电流：200-5ua 温度系数：

8、0.065-0.108%/C 注：反向变位电压的含义为：TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压，即当TVP管加上该电压后，反向漏电流不大于其允许值。变容二极管： 变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。在零偏压时，结电容最大， 临近击穿时，结电容最小。 两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q=1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。  常用变容二极管因其结构的独特性，参数离散性较大， 使用应逐个挑选。例：2CC120 最高反向工作电压：30V反向电流：0.1ua 给定偏压下的结电容3v,18-20pf 10v,7-8.5pf 电容比>6 击穿电压35v 优值Q>120 串联电阻 电容温度系数<5*10(-4) 最高结温：125C  双基极二极管： 双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。他只有一个PN结， 所以又称为单结晶体管。双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器， 定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。分压比：当发射极开路时，基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和，若加一个电压，则俩电阻间相当于一