IR2110驱动IGBT的电路图_第1页
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1、IR2110驱动IGBT的电路图如图是IR2110驱动IGBT的电路。如图（b）为IR21l0内部等效电路；如图（a）电路采用自举驱动方式，VD1为自举二极管，C1为自举电容。接通电源，VT2导通时Cy通过VDt进行充电。这种电路适用于驱动较小容量的IGBT。对于IR2110，当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。自举驱动方式支配着VT2的导通电压，因此电压较低的保护功能是其必要条件。若驱动电压较低时驱动IGBT，则IGBT就会发生热损坏。VD1选用高速而耐压大于600V的ERA38-06、ERB38-06等二极管。C1容量可根据下式进行计算式中，QG为VT1的电荷量，Ucc为低压端电压

2、，UCES（ON）为VT2的导通电压，UL为如图 IR2110驱动IGBT的电路（a）驱动电路 （b）内部等效电路IGBT导通时最低电压。式中，IQBS为高压电源的维持电流，tON（max）为VT，的最大导通时间。如图（a）中IGBT选用MP6750，开关工作频率为15 kHz，栅极电压UGE为15 。若QG为50nC，根据其动态输入特性，驱动功率PON为若IR2110的，由上式可知，C1容量为两式计算出的C1容量不同，选取其中较大者，即选用1.5 F，加上一定的余量，C1选用1.8 F或2.2 F。驱动功率Pd为若tON=1.0S，则IGBT导通时启动电流Ic为电源电流Imin为式中，IQCC为低压电源电流，IQDD为IR211O的电流，Id为驱动电流。最小平均电流为3 mA，此外还有IR2110本身开关工作时消耗的电流，因此实际电流比3 mA大。选用的电源容量需要确倮能提供峰值电流。IR2110的11脚具有关

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