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碳化硅表面外延生长法制备石墨烯学校名称：华南农业大学院系名称：材料与能源学院时 间：2017年2月27日1.背景外延法是最有可能获得大面积、高质量石墨烯的制备方法，所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性，因此成为石墨烯制备科学的研究前沿与热点。2.原理碳化硅表面会在高温下碳化，从而形成多层，甚至单层石墨，该法通过加热单晶碳化硅脱除硅，在单晶（001）面上分解出石墨烯片层。当碳化硅被加热到1100以上，表面的硅原子就会蒸发逃逸，剩下的碳原子在表面重构，形成石墨烯。3.制备具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击、高温加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至12501450后恒温1min20min，从而形成极薄的石墨层.目前 Si C 外延法有在低压惰性气体氛围和高真空下惰性气体氛围下加热等多种方式。4、存在的缺陷经过几年的探索，克莱尔·伯格（Claire Berger）等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。在C-terminated表面比较容易得到高达100层的多层石墨烯。其厚度由加

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