圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

1、圆封装测试工序和半导体制造工艺流程A.xx圆封装测试工序1、 IC检测1. 缺陷检查DefectInspection2. DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用来检测出xx圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案xx圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案xx圆检测系统系以xx或xx光来照射xx圆表面。再由一或多组侦测器接收自xx圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。3. CD-SEM(CriticalDimensioinMeasure

2、ment)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。2、 IC封装1. 构装(Packaging)IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(diesaw)、黏晶(diemount/diebond)、焊线(wirebond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim/form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。(1) 晶片切割(diesaw)晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片

3、八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行xx片切割，首先必须进行xx圆黏片，而后再送至xx片切割机上进行切割。切割完后之xx粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱褶与xx粒之相互碰撞。(2) 黏晶(diemount/diebond)黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。(3) 焊线(wirebond)IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(IntegratedCircuit；简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产

4、的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。(4) 封胶(mold)封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、内部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。(5) 剪切/成形(trim/form)剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套

5、不同制程之模具，加上进料及出料机构所成。(6)印字(mark)及电镀(plating)印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。(7) 检验(inspection)晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项目包括xx：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。(8) 封装制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成电路功能是否正常。2. 测试制程(InitialTestandFinalTest)(1) 芯片

6、测试(wafersort)(2) 芯片目检(dievisual)(3) 芯片粘贴测试(dieattach)(4) 压焊强度测试(leadbondstrength)(5) 稳定性烘焙(stabilizationbake)(6) 温度循环测试(temperaturecycle)(7) 离心测试(constantacceleration)(8) 渗漏测试(leaktest)(9) 高低温电测试(10) 高温老化(burn-in)(11) 老化后测试(post-burn-inelectricaltestB.半导体制造工艺流程NPNW频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片编批清洗水汽氧化一次光刻检查清洗

7、一一干氧氧化一一硼注入一一清洗一一UDO淀积一一清洗硼再扩散二次光刻检查单结测试清洗干氧淀化一一磷注入一一清洗一一铝下CVD-一清洗一一发射区再扩散淀淀三次光刻淀淀检查淀淀双结测试淀淀清洗淀淀铝蒸发淀淀四次光一次光刻一检查一一一双结测试一-清洗-铝蒸发-四次光刻淀淀检查淀淀氢气合金淀淀正向测试淀淀清洗淀淀铝上-检查-氢气合金-正向测试清洗一铝上CVD-检查淀淀五次光刻淀淀检查淀淀氮气烘焙淀淀检查淀淀中测淀淀中测检-五次光刻I检查-氮气烘焙-检查-中测一中测检查淀淀粘片淀淀减薄淀淀减薄后处理淀淀检查淀淀清洗淀淀背面蒸发粘片-减薄二减薄后处理-检查一-清洗一背卸烝发贴膜划片检查裂片外观检查综合检查

8、入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片一一编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC佥查（tox）一次光刻QC查前处理基区CSDxxCSD预淀积一一后处理一一QC佥查（R-）前处理一一基区氧化扩散QC查（tox、RO）二次光刻一一QC预查一一单结测试一一前处理一一POC13预淀积一一后处理（P液）一一QC佥查一一前处理外一发射区氧化一一QC检查（tox）一一前处理一一发射区再扩散（RO）前处理一一铝下CVD-QC佥查（tox、RO）前处理HCl外化一一前处理一一氢气处理一一三次光刻一一QC佥查一一追扩散一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC佥查（tAl）四次光刻一一QC追查一一

9、前处理一一氮气合金一一氮气烘焙一一QC检查（ts）五次光刻一一QC追查一一大片测试一一中测一一中测检查（粘片减薄减薄后前理检查清洗背面蒸发贴膜划片检查裂片外观检查）综合检查入中间库。G评面品种（小功率三极管）工艺流程为:批批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC检查（tox）次光刻一一QC一查一一前处理一一基区干氧氧化一一QC检查（tox）一GR刻（不腐蚀）一一GR硼注入一一湿法去胶一一前处理GR一区扩散一一QC检查（Xj、RO）硼注入一一前处理一一基区扩散与氧化一一QC检查（Xj、tox、R）二次光刻一一QC检查一一单结测试一一前处理一一发射区干氧氧化一一QC佥查（tox）磷注硼前处理发射区

10、氧化和再扩散前处理POC13预淀积（R）后处理一一前处理一一铝下CVD-QC检查（tox）前处理一一氮气退火一一三次光刻一一QC检查一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC检查（tAl）四次光刻QC检查一一前处理一一氮气合金一一氮气烘焙一一正向测试五次光刻一一QC检查一一大片测试一一中测编批一一中测一一中测检查硼中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：编批擦片前处理一次氧化QC检查（tox）一次光刻一一QC检查一一前处理一一基区干氧氧化一一QC检查（tox）硼注入一一前处理一一基区扩散一一后处理一一QC佥查（Xj、FO）前处理一一基区CSDxxCSD）淀积一一后处理一一QC佥查（RD）前处理一一基

11、区氧化与扩散一一QC佥查（Xj、tox、FO）二次光刻一一QC检查一一单结测试一一磷注入一一前处理一一发射区氧化一一前处理一一发射区再扩散一一前处理一一POC13预淀积（RD）后处理一一前处理一一HCl退火、N2退火一一三次光刻一一QC查一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC佥查（tAl）发一四次光刻一一QC佥查发一前处理一一氮氢合金一一氮气烘焙发发正向测试（ts）发发外协作（ts）发发前处理发发五次光刻发发QC检查发发大片测试发发测试ts发发中测编批发发中测发发中测检查发发入中间库。变容管制造的工艺流程为：外延片一一编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC佥查N+发刻一一QC后查一一前处

12、理一一干氧氧化一一QC查一一P+注入一一前处理一一N+散一一P+刻一一QC后查一一硼注入1发一前处理一一CVD（LTQQC查一一硼注入2发一前处理发一LPCVDQC查一一前处理一一P+发散一一特性光刻一一电容测试发发是否再加扩发发电容测试发发（直到达到电容测试要求）一一三次光刻一一QC后查一一前处理一一铝蒸发一一QC佥查（tAl）发一铝反刻一一QC后查一一前处理发一氢气合金一一氮气烘焙一一大片测试一一中测一一电容测试一一粘片一一减薄一一QC佥查发发前前理发发背面蒸发发发综合检查发发注中间库。P+T散时间越长，相同条件下电容越小稳压管（N衬底）制造的工艺流程为：外延片一一编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一QC佥查P+外刻一一QC查一一前处理一一干氧氧化一一QC外查一一硼注入一一前处理一一铝下UDO-QC查一一前处理一一P+T散特性光刻一一扩散测试（反向测试）外一前处理一一是否要P<扩一一三次光刻一一QC外查一一前处理一一铝蒸发一一Q*查（tAl）四次光刻一一QC佥查一一前处理一一氮气合金一一氮气烘焙大片测试中测。P+T散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。xx二极管基本的制造工艺流程为：编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一Q*查（tox）P+刻一一QC外查一一硼注入一一前处理一一P+