半导体器件一_第1页
半导体器件一_第2页
半导体器件一_第3页
半导体器件一_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、1)热平衡时耗尽层宽度为2)加正向偏压时耗尽层宽度为3)加反偏压时耗尽层宽度为2.反向偏置PN结的少子分布和电流分布（a）少数载流子分布（b）少数载流子电流（c）电子电流和空穴电流正向偏置PN结的少子分布和电流分布（a）少数载流子分布（b）少数载流子电流（c）电子电流和空穴电流产生隧道电流的条件（1）费米能级位于导带或价带的内部；（2）空间电荷层的宽度很窄，因而有高的隧道穿透几率；（3）在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的状态。(a) 没有外加偏压(b)外加正向偏压(c)外加正向偏压(d)外加正向偏压(e)外加反向偏压4.NPN晶体管共基极能带图（解释BJT的放大作用

2、）电路图中基极既处于输入电路中又处于输出电路中，晶体管的这种连接方法称为共基极接法，由于发射结正向偏压，势垒降低了qVe，电子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入。基区出现过量电子，发射区出现过量空穴。过量载流子浓度取决于发射结偏压的大小和掺杂浓度。当基区宽度很小时，从发射区注入基极的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽区边缘。急电结处于反向偏压，急电结势垒高度增加了qVc。来到急电结的电子被电场扫入集电区，称为集电极电流。这个注入电子电流远大于反偏急电结所提供的反向电流，构成集电极电流的主要部分。根据以上分析可以看出， BJT的输入电流的变化将引起输出电流的变化。如果

3、在集电极回路中接入适当的负载RL就可以实现电压信号放大（Vout=Ic*Rl）,这就是双极结型晶体管放大作用的基本原理。5.BJT电流分量示意图6.肖特基势垒能带图1）热平衡2）正偏压3）反偏压Ø 根据加偏压的的肖特基势垒能带图与单边突变PN结，正偏压下半导体一边势垒的降低使得半导体中的电子更易于移向金属，能够流过大的电流。在反向偏压条件下，半导体一边势垒被提高。被提高的势垒阻挡电子由半导体向金属渡越。流过的电流很小。这说明肖特基势垒具有单向导电性即整流特性。7.载流子积累、耗尽和反型强反型时的能带图 载流子积累：紧靠硅表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度时，称为载流子积累现象。 载流子反型：载流子类型发生变化

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论