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文档简介
1、开关电源变压器设计1. 前言2. 变压器设计原则3. 系统输入规格4. 变压器设计步骤4.1 选择开关管和输出整流二极管4.2 计算变压器匝比4.3 确定最低输入电压和最大占空比4.4 反激变换器的工作过程分析4.5 计算初级临界电流均值和峰值4.6 计算变压器初级电感量4.7 选择变压器磁芯4.8 计算变压器初级匝数、次级匝数和气隙长度4.9 满载时峰值电流4.10 最大工作磁芯密度 Bmax4.11 计算变压器初级电流、副边电流的有效值4.12 计算原边绕组、副边绕组的线径,估算窗口占有率4.13 计算绕组的铜损4.14 变压器绕线结构及工艺5. 实例设计 12W Flyback 变压器设
2、计/、八1. 前言反激变换器优点:电路结构简单成本低廉容易得到多路输出应用广泛,比较适合 100W 以下的小功率电源( CCM )( DCM ) 设计难点 变压器的工作模式随着输入电压及负载的变化而变化 低输入电压,满载条件下变压器工作在连续电流模式 高输入电压,轻载条件下变压器工作在非连续电流模式2. 变压器设计原则 温升安规对变压器温升有严格的规定。 Class A 的绝对温度不超过 90C;Class B不能超过110C。因此,温升在规定范围内,是我们设计变压器必须遵循的准则成本开关电源设计中,成本是主要的考虑因素,而变压器又是电源系统的重要组成部分,因此如何将变 压器的价格,体积和品质
3、最优化,是开关电源设计者努力的方向。3. 系统输入规格输入电压: Vacm in Vacmax输入频率:fL输出电压:Vo输出电流:Io工作频率:fs输出功率:Po预估效率:n最大温升:40 C4.0变压器设计步骤4.1选择开关管和输出整流二极管开关管MOSFET:耐压值为Vmos输出二极管:肖特基二极管最大反向电压Vd正向导通压降为Vf4.2计算变压器匝比考虑开关器件电压应力的余量(Typ.=20%)开关 ON :0.8 Vd V in max / N + V o比.8 Vmos NN min N N maxN=Np MA _(Vo+ Vf) + V in max+ Vf -开关悴OFF(a
4、)幵关竹ON4.3确定最低输入电压和最大占空比Vinmiii输入滤波电容:2F3yF/W 最低输入电压(假设tc=3ms )V in min最低输入电压,最大功率时,占空比最大Dmaxmax4.4反激变换器的工作过程分析低输入电压时,负载从轻载到重载,变压器经历从DCM -BCM -CCM的过程高输入电压时,负载从轻载到重载,变压器一直工作在DCMATp*卩AlpDCMDCMCCM4.5计算初级临界电流均值和峰值按照最小输入电压,最大输出功率(Pomax)的条件计算Po = 1/3Po max时,变换器工作在 BCMPo 1/3Po max时,变换器工作在 CCMI in-avg =变压器初级
5、临界电流峰值BCM模式下,最小输入电压时的平均输入电流Ip1 = Ipk1 =4.6计算变压器初级电感量最低输入电压,BCM条件下,最大通时间on maxDmax变压器初级电感量Lp =4.7选择变压器磁芯基于输出功率和开关频率计算面积乘积,根据面积乘积来选择磁芯APp =Ko是窗口的铜填充系数:取 Ko=0.4Kc是磁芯填充系数;对于铁氧体磁芯取Kc=1Bm是变压器工作磁通密度,取Bm -j是电流密度,取j = 4.2A/mm 2考虑绕线空间,尽量选择窗口面积大的磁芯,查表选择Aw和Ae4.8计算变压器初级、次级匝数、辅助绕组匝数和气隙长度初级绕组的匝数Np =增加或者减小匝数只会分别引起磁
6、芯损耗减小或增加在100kHz条件下,损耗与B2.86成正比,匝数减小5%会使磁芯损耗增加15%Ns / (V+ Vf )次级绕组匝数Ns = Np / N 辅助绕组匝数 Ng = ( Vcc + 1 )气隙长度:lg =4.9满载时峰值电流CCM时 ,T on max 固定不变输入电压不变,BCM的Ton max等于CCM的 T on maxTon max内,电感电流线形上升增量Ip1 =Ip2低输入电压,满载条件下Pon Lp (|2pk2 |2pk0 )变压器初级峰值电流I pk2 =BCM rCCM4.10最大工作磁芯密度Bmaxmax B sat如果Bmax Vin max / N
7、+ V。0.8100 375 / N +120.8 Vmos N ( Vo + Vf ) + Vin max0.8600 N( 12 + 0.5 ) +3755.5 N 0.066 cm5.8变压器初级匝数、次级匝数、辅助绕组匝数和气隙长度Np =140.7 取 Np = 140 TsNs = 140 / 6 = 23.3 Ts 取 Ns = 23 TsNcc = 1923 / 12.535 Tslg =0.2 mm5.9满载时峰值电流、最大工作磁通密度Ipk2 =+ 0.14 = 0.56 ABmax =3100G 1P Rdc = 4.523m Q /cm ( 100 C )Vcc绕组:S
8、cc = 0.1/4.2 = 0.024mm 0.1mmx 2P窗口占有率:0.460.4814024.213.60.1252 + 23OK0.22 + 350.0825.12 计算绕组的铜损平均匝长lav = 23.5 mm各绕组绕线长度:原边 Inp = 140 送3.5 = 329 cm副边 Ins = 23 23.5 = 54.0 cm各绕组直、交流电阻:原边 Rpdc = 1.45 QR pac =2.38 Q副边R =0.024 Q R =0.038 QVcc绕组电流过小,忽略绕组损耗各绕组损耗:Pu = 0.30W5.13 计算绕组的铁损计算铁损:查磁芯损耗曲线,PC40在 B
9、= 0.15T时为80mW / cm铁损 PFe = 801.5 = 0.12 W估算温升总损耗Pioss = 0.12 + 0.30 = 0.42 W经验公式T= 22C 2P)+绝缘带=0.275 4 + 0.52 鬼0.13+ 0.03= 2.74 mm绕线结构次级一初级一次级StepWindingMaterialStartTurnsFinishRemark1N1Triple iiisulatioiL 0,40*1A23B3.N4.N5 without TEFLON Tube-TAPETAPE W= 12nun (Y)13N2die忙 2UEW空3544TAPETAPE W=12nini (Y)15N30.2 5 B 2UEW11406TAPETAPE W= 1
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