__制绒工艺__扩散工艺刻蚀工艺

1、学习报告学习报告电池片工艺流程2011/2/14太阳能电池片结构太阳能电池片结构太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它们太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它们的结构基本一样，都有以下部分组成的结构基本一样，都有以下部分组成表面细栅线表面主栅线绒面蓝色氮化硅扩散层铝硅形成背面硅基体太阳能的电池片结构太阳能的电池片结构l单晶与多晶的区别：单晶与多晶的区别： 当熔融的单质硅凝固硅原子以金刚石晶格排列成许当熔融的单质硅凝固硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒而多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒而形成单晶硅，若这些晶核长成晶取向不同的晶粒，形成单晶硅，若这些

2、晶核长成晶取向不同的晶粒，形成多晶硅。形成多晶硅。l 单晶硅：纯度高，是一种良好单晶硅：纯度高，是一种良好 的半导体材料主要的半导体材料主要 用于制作半导体元件，多晶硅是制作单晶硅的材料用于制作半导体元件，多晶硅是制作单晶硅的材料l单晶硅与多晶硅的区别它们的原子结构排列：单晶单晶硅与多晶硅的区别它们的原子结构排列：单晶有序排列，多晶为无序排列有序排列，多晶为无序排列太阳能电池片工艺流程太阳能电池片工艺流程 分分选测试选测试PECVD清洗与制清洗与制绒绒去磷硅玻璃去磷硅玻璃烧结烧结印刷印刷电电极极边缘蚀边缘蚀刻刻检验检验入入库库扩扩散散制绒制绒一、制绒工艺目的：一、制绒工艺目的： 1、消除表面硅

3、片有机物和金属杂质、消除表面硅片有机物和金属杂质 2、去除硅片表面机械损伤层、去除硅片表面机械损伤层 3、在硅片表面形成起伏不平的绒面，增加太阳光的吸收，减、在硅片表面形成起伏不平的绒面，增加太阳光的吸收，减少反射少反射二、制绒的原理：二、制绒的原理： 利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在(110)及及(100)晶面的腐蚀速率远大于晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定晶面的腐蚀速率。经一定时间腐蚀后，在时间腐蚀后，在(100)单晶硅片表面留下四个由单晶硅片表面留下四个由(111)面组成面组成的金字塔的金字塔三、绒面形成的机理：三、

4、绒面形成的机理： A、金字塔从硅片缺陷处产生；、金字塔从硅片缺陷处产生； B、缺陷和表面沾污造成金字塔形成、缺陷和表面沾污造成金字塔形成制绒制绒 C、化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金字、化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金字塔形成；塔形成； D、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。 硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质，缺陷、沾硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质，缺陷、沾污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔的连续性及金污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔的连续性及金字塔大小。字塔大小。四、为什么要形成金字塔？四、为什么要形成金字塔？ 这样利用陷光原理

5、，减少光的反射，提高短路电流这样利用陷光原理，减少光的反射，提高短路电流(Isc)，增加，增加PN结面积，最终提高电池的光电转换效结面积，最终提高电池的光电转换效率。率。五、制绒的工艺流程五、制绒的工艺流程制绒制绒 1、单晶制绒工艺：、单晶制绒工艺： NaOH，Na2SiO3，IPA混合体系进行硅片制绒。混合体系进行硅片制绒。配比要求：配比要求： NaOH浓度浓度0.8wt%-2wt%； Na2SiO3浓度浓度0.8wt%-2wt%；IPA浓度浓度5vol%-8vol%。制绒时间：制绒时间：25-35min，制绒温度，制绒温度75-90oC2、多晶制绒工艺：、多晶制绒工艺： HNO3，HF，D

6、I Water 混合体系。常用的两个溶液配比混合体系。常用的两个溶液配比大致如下：大致如下： HNO3：HF：DI Water= 3：1：2.7； HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2制绒温度制绒温度6-10，制绒时间，制绒时间120-300sec制绒制绒对单晶制绒影响的因子：对单晶制绒影响的因子： 1、温度：温度过高，、温度：温度过高，IPA挥发加剧，气泡印就会随之出现，这挥发加剧，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧，还会出现片子的结的有效面积，反应加剧，还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加；同时腐蚀速率过快，控制困难；温度漂浮，造成碎

7、片率的增加；同时腐蚀速率过快，控制困难；温度过低，腐蚀速率过慢，制绒周期延长；过低，腐蚀速率过慢，制绒周期延长； 制绒温度范围：制绒温度范围：75-90oC 2、IPA：(1).协助氢气的释放。协助氢气的释放。IPA不足时，会导致氢气会粘附不足时，会导致氢气会粘附在硅片表面，造成硅片漂浮。在硅片表面，造成硅片漂浮。(2).减弱减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯力度，调节各向因子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀溶液在高温下对原子排列比较稀疏的疏的100晶面和比较致密的晶面和比较致密的111晶面破坏比较大，各个晶面被腐晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，蚀

8、而消融，IPA明显减弱明显减弱NaOH的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。异性，有利于金字塔的成形。 制绒制绒3、时间经过经过1min1min制绒的表面形貌制绒的表面形貌经过经过30min30min制绒的表面形貌制绒的表面形貌经过经过5min5min制绒的表面形貌制绒的表面形貌经过经过10min10min制绒的表面形貌制绒的表面形貌制绒制绒4、氢氧化钠的影响：、氢氧化钠的影响：NaOH对硅片的反应速率有着重要影响。在相同的时对硅片的反应速率有着重要影响。在相同的时间内，间内，NaOH的浓度越高，金字塔的体积就越大，当超过一定限度时，的浓度越高，金字

9、塔的体积就越大，当超过一定限度时，各向的异性因子变小，绒面也会越来越差，类似于抛光。各向的异性因子变小，绒面也会越来越差，类似于抛光。对反射率的影响对反射率的影响： 制绒制绒5、硅酸钠的含量的影响：、硅酸钠的含量的影响：SI和和NaOH反应生产的反应生产的Na2SiO3和加入的和加入的Na2SiO3能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。变的平缓。Na2SiO3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点一点 Na2SiO3多的时候要及时的排掉，多的时候要及时的排掉，Na2SiO3导热性差，

10、会影导热性差，会影响反应响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。点。6、槽体密封程度、异丙醇挥发：、槽体密封程度、异丙醇挥发： 槽体密封程度，异丙醇挥发对制槽体密封程度，异丙醇挥发对制绒槽内的溶液成分及温度分布有重要影响。绒槽内的溶液成分及温度分布有重要影响。 制绒槽密封程度差，导致溶液挥发加剧，溶液液位的及时制绒槽密封程度差，导致溶液挥发加剧，溶液液位的及时恢复非常必要，否则制绒液浓度将会偏离实际设定值。异丙醇的恢复非常必要，否则制绒液浓度将会偏离实际设定值。异丙醇的挥发增加化学药品消耗量增加的同时，绒面显微结构也将因异丙挥

11、发增加化学药品消耗量增加的同时，绒面显微结构也将因异丙醇含量改变发生相应变化。醇含量改变发生相应变化。制绒制绒l异常处理：异常处理： 1、发白片：、发白片：原因：原因： 制绒时间不够，硅片制绒温制绒时间不够，硅片制绒温度偏低。度偏低。解决方法：解决方法： 适当延长制绒时间，提高制适当延长制绒时间，提高制绒温度。绒温度。13 原因：原因： 氢氧化钠过量，或者是制绒氢氧化钠过量，或者是制绒时间过长。时间过长。解决方法：解决方法： 适当降低氢氧化钠用量或者适当降低氢氧化钠用量或者缩短制绒时间。缩短制绒时间。发白片发白片制绒制绒 14 雨点片雨点片： 原因：原因： 制绒过程中制绒过程中IPAIPA不足

12、，硅片不足，硅片表面气泡脱附不好。表面气泡脱附不好。解决方法：解决方法： 提高溶液中提高溶液中IPAIPA的含量，可的含量，可以从初配开始，也可以在过程中以从初配开始，也可以在过程中补加完成。补加完成。制绒制绒 15 绒面偏大，绒面凹凸不显著绒面偏大，绒面凹凸不显著： 原因：腐蚀量过大；制绒原因：腐蚀量过大；制绒过程温度偏高。过程温度偏高。改善方法：适当缩短制绒改善方法：适当缩短制绒时间，观察制绒温度是否时间，观察制绒温度是否在设定的范围内在设定的范围内。制绒制绒 16 绒面偏小：绒面偏小： 原因原因:制绒时间不够；制绒时间不够； 或溶液浓度偏稀。或溶液浓度偏稀。改善方法：适当延长制改善方法：

13、适当延长制绒时间；绒时间；降低制绒初配降低制绒初配时水的比例。时水的比例。制绒制绒 扩散工艺扩散工艺l什么是扩散？什么是扩散？ 扩散：物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移直到均匀分布的扩散：物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移直到均匀分布的现象。现象。l扩散的目的：在来料硅片扩散的目的：在来料硅片P型硅片的基础上扩散一层型硅片的基础上扩散一层N型磷源，型磷源，形成形成PN结。结。l扩散的原理：扩散的原理： POCl3在高温下（在高温下（600）分解生成五氯化磷（分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：），其反应式如下： 5POCl3 =3PCl5+P

14、2O5l生成的生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和）和磷原子，其反应式如下：磷原子，其反应式如下：l 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P扩散工艺扩散工艺l为什么扩散时要通入氧气？为什么扩散时要通入氧气？ POCl3热分解时，如果没有外来的氧（热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充）参与其分解是不充分的，生成的分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，存在的情况下，PCl5会进一步会进一

15、步分解成分解成P2O5并放出氯气（并放出氯气（Cl2）其反应式如下：）其反应式如下： 4PCl5+5O2 =2P2O5+10Cl2 生成的生成的P2O5又进一步与硅作用，生成又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免充分的分解和避免PCl5对硅片对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样这样POCl3分解产生的分解产生的P2O5淀积在硅片表面，淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生与硅反应生成成SiO2和磷原子，并在硅片表面形

16、成一层磷和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。子再向硅中进行扩散。扩散工艺扩散工艺l磷扩散的方法：磷扩散的方法：三氯氧磷（三氯氧磷（POCl3）液态源扩散）液态源扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式扩散 POCl3的特性：的特性： POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源是目前磷扩散用得较多的一种杂质源l无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。l比重为比重为1.67，熔点，熔点2，沸点，沸点107，在潮湿空气中发烟。，

17、在潮湿空气中发烟。lPOCl3很容易发生水解，很容易发生水解，POCl3极易挥发。极易挥发。 扩散工艺流程扩散工艺流程TCA （C2H3Cl3）清洗）清洗 饱和饱和 装片装片 送片送片 回温回温 扩散扩散 关源、退舟关源、退舟 卸片卸片 方块电阻测量方块电阻测量刻蚀传递窗测试净化存储柜传递窗装/卸片TCA净化操作台 扩散工艺相关图片扩散工艺相关图片插插 片片净化工作台净化工作台插片时必须穿好插片时必须穿好洁净工作服洁净工作服。扩散工艺相关图片扩散工艺相关图片严禁裸手操作，一严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，定要戴好乳胶手套，且不得用手直接接且不得用手直接接触硅片和石英舟。触硅片和石英舟。真空吸

18、笔，真空吸笔，从 载 片 盒从 载 片 盒中 吸 取 硅中 吸 取 硅片 插 到 石片 插 到 石英舟内英舟内。载片盒载片盒 扩散工艺相关图片扩散工艺相关图片碳化硅桨，易碳化硅桨，易碎。安装、拆碎。安装、拆卸时切勿碰撞！卸时切勿碰撞！上上 桨桨移动、放置石英移动、放置石英舟时，一定要小舟时，一定要小心轻放！心轻放！触摸屏触摸屏 扩散工艺参数扩散工艺参数时间（时间（min）温度（温度（） 大大N2（L/min）小小N2（L/min）O2（L/min）源温（源温（）进炉进炉684090025300020稳定稳定984090025300020通源通源203084090025301.62.01.82.

19、220吹氮吹氮1084090025300020出炉出炉1084090025300020扩散工艺装置示意图扩散工艺装置示意图扩散工艺扩散工艺l影响扩散工艺流程的因素：影响扩散工艺流程的因素：1.温度温度 温度温度T越高，扩散的系数越高，扩散的系数D越高，扩散的速度越快，越高，扩散的速度越快，并且还影响着方块电阻并且还影响着方块电阻2.时间时间 对于恒定源：时间对于恒定源：时间t越长结深越深，但表面浓度不变越长结深越深，但表面浓度不变。 对于限定源：时间对于限定源：时间t越长结深越深，表面浓度越小越长结深越深，表面浓度越小3.浓度浓度 管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片管内气体中杂质源浓度的大小

20、决定着硅片N型区域磷型区域磷浓浓 度的大小；决定浓度的因素：氮气流量、源温，表度的大小；决定浓度的因素：氮气流量、源温，表面浓度越大，扩散的速度越快面浓度越大，扩散的速度越快扩散工艺的过程中的问题及解决方案扩散工艺的过程中的问题及解决方案 问题问题原因原因解决方法解决方法方块电阻在源一侧低，炉方块电阻在源一侧低，炉口处高口处高1.炉门与炉管的密封性不炉门与炉管的密封性不好好2.尾部排气严重尾部排气严重3.假片数量太少假片数量太少1.调整炉门密封性调整炉门密封性2.减少尾部排气气流减少尾部排气气流3.使用更多的假片使用更多的假片单片（交叉）方块电阻在单片（交叉）方块电阻在源一侧低，炉口处高源一侧

21、低，炉口处高1.炉门与炉管的密封性不炉门与炉管的密封性不好好2.尾部排气严重尾部排气严重3.假片数量太少假片数量太少1.调整炉门密封性调整炉门密封性2.减少尾部排气气流减少尾部排气气流3.使用更多的假片使用更多的假片单片（交叉）方块电阻均单片（交叉）方块电阻均匀性差匀性差1.POCl3 不够不够2.排气压力过高排气压力过高3.沉积温度过高沉积温度过高1.增加小增加小N2流量流量2.降低排气压力降低排气压力3.降低沉积温度降低沉积温度顶部的方块电阻低，底部顶部的方块电阻低，底部的高的高1.舟被污染舟被污染2.校准硅片不是最好的校准硅片不是最好的（可能被磨光）（可能被磨光）3.硅片在炉管中的位置太

22、硅片在炉管中的位置太高高4.桨比硅片和炉管温度低桨比硅片和炉管温度低 1.使用新的干净的舟使用新的干净的舟2.使用好的校准硅片，而使用好的校准硅片，而不是磨光。不是磨光。3.使用低脚的舟。使用低脚的舟。4.在升温步后插入回温步在升温步后插入回温步骤。骤。刻蚀工艺刻蚀工艺l为什么要边缘刻蚀？为什么要边缘刻蚀？l由于扩散过程中，即使采用背对背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）由于扩散过程中，即使采用背对背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷，都将不可避免地扩散上磷，PN结的正面收集到光生电子会沿着边缘扩结的正面收集到光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到散有磷的区域流到PN结的背面，

23、而造成短路。结的背面，而造成短路。l边缘刻蚀的目的：去除边缘刻蚀的目的：去除PN结，防止短路结，防止短路。刻蚀工艺刻蚀工艺l去磷硅玻璃：去磷硅玻璃：l目的：扩散过程中，目的：扩散过程中，POCl3分解产生的分解产生的P2O5沉积在沉积在硅片表面，硅片表面，P2O5与与Si生成二氧化硅与磷原子，这层生成二氧化硅与磷原子，这层含有磷原子的二氧化硅层称为磷硅玻璃，玻璃层的存含有磷原子的二氧化硅层称为磷硅玻璃，玻璃层的存在会在电极印刷过程中，影响到金属电极和硅片的接在会在电极印刷过程中，影响到金属电极和硅片的接触，降低电池的转换效率，同时玻璃层还有多层金属触，降低电池的转换效率，同时玻璃层还有多层金属

24、离子杂质，会降低少子寿命，因此引入离子杂质，会降低少子寿命，因此引入HF清洗工艺。清洗工艺。 基本原理：基本原理：SIO2+6HF=H2SiF6+2H2O(过量氢氟酸过量氢氟酸)刻蚀工艺刻蚀工艺l工艺方法：湿法刻蚀与干法刻蚀（激光刻蚀与等离子刻蚀）工艺方法：湿法刻蚀与干法刻蚀（激光刻蚀与等离子刻蚀）l湿法刻蚀：主要是利用湿法刻蚀：主要是利用HF溶液、加有适当添加剂的溶液、加有适当添加剂的HF-HNO3溶液与扩散后硅片的侧端及非扩散底面进行化学反应，把侧端溶液与扩散后硅片的侧端及非扩散底面进行化学反应，把侧端磷硅玻璃及磷硅玻璃及N型扩散层刻蚀掉，从而实现将电池片上下电极分型扩散层刻蚀掉，从而实现

25、将电池片上下电极分开的工艺方法开的工艺方法。l湿法刻蚀工艺机理：湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边湿法刻蚀工艺机理：湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。 HF/HNO3体系，体系，利用其各向同性腐蚀特性，使用利用其各向同性腐蚀特性，使用RENA in-line式结构的设备，式结构的设备，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。型。 大致腐蚀的机制是先用硝酸进行腐蚀产生大致腐蚀的机制是先用硝酸进行腐蚀产生SiO2，再用，再用HF酸把酸把SiO2去除去除l控制点：

26、控制点：HNO3与与HF的含量，硅在的含量，硅在70%的硝酸与的硝酸与30%的氢氟酸的氢氟酸时，腐蚀速率最高时，腐蚀速率最高生产流程生产流程 1. 1.上料台放片上料台放片 2. 2.刻蚀槽刻边结刻蚀槽刻边结 3. 3.洗槽去残液洗槽去残液 6.HF6.HF槽去磷硅玻璃槽去磷硅玻璃 5.洗槽去残液洗槽去残液 4.KOH喷淋去多孔硅喷淋去多孔硅 7.洗槽去残液洗槽去残液 8.风刀吹干风刀吹干 9.下料台插片下料台插片刻蚀工艺刻蚀工艺l干法刻蚀：主要包括激光刻蚀与等离子体刻蚀干法刻蚀：主要包括激光刻蚀与等离子体刻蚀1.激光刻蚀：激光刻蚀： 利用高能量聚焦激光束沿着烧结后电池片正面近侧端利用高能量聚

27、焦激光束沿着烧结后电池片正面近侧端周边照射一圈，使被照射区域熔化、气化，在电池片正面近侧端周边照射一圈，使被照射区域熔化、气化，在电池片正面近侧端周边刻蚀出一定深度的凹槽，从而实现将电池片上下电极分开的周边刻蚀出一定深度的凹槽，从而实现将电池片上下电极分开的工艺方法。目前，国内采用该工艺方法的光伏企业也还不多工艺方法。目前，国内采用该工艺方法的光伏企业也还不多激光激光激光激光太阳光太阳光刻槽刻槽刻蚀工艺刻蚀工艺2.等离子刻蚀：目前，国内大多数光伏企业采用该工艺方法。等离子刻蚀：目前，国内大多数光伏企业采用该工艺方法。 原理：采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，原理：采用高频辉光放电

28、反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。 化学公式：化学公式：CF4+SIO2=SIF4+CO2，刻蚀工艺刻蚀工艺 等离子刻蚀工艺机制：等离子刻蚀工艺机制： 首先，母体分子首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。解成多种中性基团或离子。CF4 e CF3，CF2，CF,F,C以及他们的离子以及他们的离子 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作

29、用下到达其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。表面，并在表面上发生化学反应。 CF4 e C+4F，4F+Si SiF4 ，2C+O2 2CO 生产过程中，生产过程中，CF4中掺入中掺入O2，这样有利于提高，这样有利于提高Si和和SiO2的刻蚀速率的刻蚀速率。 刻蚀工艺刻蚀工艺l影响因素：影响因素：1.射频功率：射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅射频功率：射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造

30、成的损伤会使得结区复电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，合增加。射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。下降。 2.时间：刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损时间：刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。刻蚀时间过短：刻蚀不充分，区，从而导致损伤区域高

31、复合。刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净，没有把边缘鳞去干净，PN结依然有可能短路造成并联电阻降结依然有可能短路造成并联电阻降低低3.压力：压力：压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。蚀也越充份。 刻蚀工艺刻蚀工艺l刻蚀质量检查：对扩散后硅片进行刻蚀以后，为了确保已经将刻蚀质量检查：对扩散后硅片进行刻蚀以后，为了确保已经将硅片侧端的磷硅玻璃及硅片侧端的磷硅玻璃及N型扩散层去除完全，需要判定侧端的型扩散层去除完全，需要判定侧端的导电类型。主要利用温差法来判定侧端导电类型。温差法包括导电类型。主要利用温差法来判定侧端导

32、电类型。温差法包括两种方法：简单的冷热探针方式和导电类型检测仪两种方法：简单的冷热探针方式和导电类型检测仪1.简单冷热检测方式：热探针和简单冷热检测方式：热探针和N型半导体接触时，传导电子将型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量用简单的微伏表测量。 用冷、热探针接触硅片一

33、个边沿不相连的两个点，电压表用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表 显示这两点间电压为正值，说明导电类型为显示这两点间电压为正值，说明导电类型为P型，刻蚀合格。型，刻蚀合格。 相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。型。 如果经过检验，任何一个边沿刻蚀不合格，则这一片硅片如果经过检验，任何一个边沿刻蚀不合格，则这一片硅片 就为刻蚀不合格就为刻蚀不合格,待重新装片，再进行刻蚀。待重新装片，再进行刻蚀。刻蚀工艺刻蚀工艺2.导电类型检测仪：其导电类型判定原理与简单冷热探针方式相导电类型检测仪：其导电类型判定原理与简单冷热探针方式相同，但能

34、将硅片的导电类型直接以字母同，但能将硅片的导电类型直接以字母P、N表明，相比之下表明，相比之下，更为简便。，更为简便。 刻蚀工艺刻蚀工艺l刻蚀后的外观检查：刻蚀后的外观检查：扩散前扩散前扩散后扩散后刻蚀后刻蚀后刻蚀工艺刻蚀工艺异常处理 工工 序序故障表现故障表现诊诊 断断措措 施施刻蚀刻蚀硅片边缘呈现暗色（硅片边缘呈现暗色（刻通正常为金属刻通正常为金属色）色）工艺一般不会有问题工艺一般不会有问题，主要是刻蚀机，主要是刻蚀机器出现故障，通器出现故障，通常伴有压力不稳常伴有压力不稳定、辉光颜色不定、辉光颜色不正常、功率和反正常、功率和反射功率超出范围射功率超出范围、气体流量偏出、气体流量偏出设定值

35、等现象设定值等现象停止使用，要求设备进行检修。停止使用，要求设备进行检修。有效刻蚀宽度过大（有效刻蚀宽度过大（钻刻、刻过现象钻刻、刻过现象）硅片没有被夹具加紧硅片没有被夹具加紧，存在缝隙；硅，存在缝隙；硅片没有被对其；片没有被对其；环氧板变形，边环氧板变形，边缘向里延伸；缘向里延伸；加强员工意识，要求操作规范；更换出现问加强员工意识，要求操作规范；更换出现问题的环氧板。题的环氧板。去去PSGPECVD工序存在水工序存在水纹印纹印清洗后的硅片没有及清洗后的硅片没有及时甩干时甩干清洗之后的硅片必须立刻甩干，不能滞留在清洗之后的硅片必须立刻甩干，不能滞留在空气中。空气中。PECVD工序有镀膜工序有镀

36、膜发白现象发白现象清洗不干净；甩干后清洗不干净；甩干后的硅片在空气中的硅片在空气中暴露时间过长，暴露时间过长，导致氧化导致氧化做返工处理，对硅片必须清洗干净，甩干之做返工处理，对硅片必须清洗干净，甩干之后的硅片不能放置于空气中，必须及时后的硅片不能放置于空气中，必须及时镀膜，否则重新清洗。镀膜，否则重新清洗。PECVDlPECVD的目的：在硅片表面沉积一层的目的：在硅片表面沉积一层氮化硅氮化硅减反射膜减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在搀杂在氮化硅氮化硅中附加了氢的钝化作用中附加了氢的钝化作用 。lSiN的特性：的特性：

37、 结构致密，硬度大结构致密，硬度大 2.能抵御碱金属离子的侵蚀能抵御碱金属离子的侵蚀 3.介电强度高介电强度高 4.耐湿性好耐湿性好 5.耐一般的酸碱，除耐一般的酸碱，除HF和和H3PO4lSiNx的简介的简介l 正常的正常的SiNx的的Si/N之比为之比为0.75，即，即Si3N4。但是。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在变化的范围在0.75-2左右。除了左右。除了Si和和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或或SiNx:HPECVDlSi3N

38、4的认识的认识:l Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的厚度是厚度是7580nm之间，表面呈现的颜色是深蓝色，之间，表面呈现的颜色是深蓝色，Si3N4膜的折射率在膜的折射率在2.02.5之间为最佳，与酒精的折射之间为最佳，与酒精的折射率相乎，通常用酒精来测其折射率。率相乎，通常用酒精来测其折射率。氮化硅颜色与厚度的对照表氮化硅颜色与厚度的对照表颜色厚度（nm）颜色厚度（nm）颜色厚度（nm）硅本色0-20很淡蓝色100-110蓝 色210-230褐 色20-40硅 本 色110-120蓝绿色230-250黄褐色40-50淡 黄 色120

39、-130浅绿色250-280红 色55-73黄 色130-150橙黄色280-300深蓝色73-77橙 黄 色150-180红 色300-330蓝 色77-93红 色180-190淡蓝色93-100深 红 色190-210PECVDlSi/N比对比对SiNx薄膜性质的影响薄膜性质的影响1.电阻率岁电阻率岁x增加而降低增加而降低2.折射率折射率n随随x增加而增加增加而增加3.腐蚀速率随密度增加而降低腐蚀速率随密度增加而降低lSi3N4膜的作用膜的作用:l减少光的反射减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。l防氧化防氧化:结构致密保证硅片不被氧

40、化结构致密保证硅片不被氧化PECVDl基本原理：利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉基本原理：利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。lPECVD的特点：的特点：PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（的低温化（4MHz）沉积的氮化硅薄

41、膜具有）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。更好的钝化效果和稳定性。4.射频射频功功率：增加率：增加RF功率通常会改善功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。时器件会造成严重的射频损伤。5.反应气体浓度：反应气体浓度：SiH4的百分比浓度及的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响6.极间板距：间距太大，影响淀积速度，气相颗粒增多，严重影极间板距：间距太大，影响淀积速度，气相颗粒增多，严重影响

42、成膜质量响成膜质量; 间距太小，从间距太小，从Show head出来的强气流直接喷出来的强气流直接喷到玻璃基板上，离子来不及淀积就被强气流带走，降低了成膜到玻璃基板上，离子来不及淀积就被强气流带走，降低了成膜速率速率: 间距太小，离子轰击增加，在一定程度上破坏了生长间距太小，离子轰击增加，在一定程度上破坏了生长网络的完整性，薄膜质量下降网络的完整性，薄膜质量下降PECVD异常处理异常处理故障表现故障表现诊诊 断断措措 施施整体镀膜颜色不符合要求氮化硅层厚度偏离正常范围调整带速至颜色符合要求，偏紫增加带速，偏蓝降低带速。石墨托盘两边和中间镀膜颜色有差异两边和中间沉积速率不同调节两边微波峰值功率或

43、Ton, Toff使镀膜均匀。部分气孔堵塞用N2吹扫15-30分钟，严重的要打开腔室手工通孔，并每半年更换一次gas shower镀膜颜色不稳定微波反射功率异常，或微波有泄漏停止工艺，重新安装微波天线或更换石英管。沉压后颜色异常折射率不在范围内调整NH3和SiH4流量比例使折射率达到要求。压强达不到工艺要求腔体有漏气重新开腔擦拭密封圈或更换密封圈、更换或重装石英管或其管口密封圈，严重时用氦检仪做漏气点检查并排除异常。膜层颜色黯淡无光泽反应腔室漏气或气压偏高通知设备人员检修。SiH4流量过高降低SiH4流量，但要保证折射率正常。腔体内有硅片碎片载板挂钩变形或传动轴异常有挂钩变形的载板要及时更换，

44、传动轴擦拭或有异常请设备检修。Cart 卡在腔体内传感器或传动轴异常请设备检修。CART某部位突然出现片子偏薄，位置固定加热腔体内有碎片清扫维护时，拿除腔体加热器上的碎片，偏薄现象就会消失。 丝网印刷工艺丝网印刷工艺l在硅太阳能电池生产的工序中，可以看出丝网印刷是生产太阳能在硅太阳能电池生产的工序中，可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷质量影响电池片的技术指标。电池的重要工序，其印刷质量影响电池片的技术指标。 l工艺目的：在太阳能电池的两面制金属电极，正面收集电子工艺目的：在太阳能电池的两面制金属电极，正面收集电子 ，背面电极利于焊接以及组件的制成。背面电极利于焊接以及组件的制成

45、。l工艺原理：基本原理：利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分工艺原理：基本原理：利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮胶对网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动中胶对网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动中从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定范围之内从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版通过自身的张力。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版通过自身的张力产生对刮胶的回弹力，使网版与承印物只

46、呈移动式线接触，而其产生对刮胶的回弹力，使网版与承印物只呈移动式线接触，而其它部分与承印物为脱离状态，浆料与丝网发生断裂运动，保证了它部分与承印物为脱离状态，浆料与丝网发生断裂运动，保证了印刷尺寸精度。刮胶刮过整个版面后抬起，同时网版也抬起，并印刷尺寸精度。刮胶刮过整个版面后抬起，同时网版也抬起，并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。丝网印刷工艺丝网印刷工艺 丝网印刷工艺丝网印刷工艺l背面电极印刷（正极）：为最终电池片提供物理上的正电极。浆背面电极印刷（正极）：为最终电池片提供物理上的正电极。浆料：料：Ag/Al浆浆 在电池片的正

47、极面（在电池片的正极面（p区）用银浆料印刷两条电极区）用银浆料印刷两条电极导线（宽约导线（宽约34mm）作为电池片的电极）作为电池片的电极l作用：（作用：（1）与硅片表面和背场铝形成良好的欧姆接触）与硅片表面和背场铝形成良好的欧姆接触,形成较低形成较低的接触电阻；（的接触电阻；（2）良好的可焊性，与镀锡带形成良好的接触，）良好的可焊性，与镀锡带形成良好的接触，对外输出电流对外输出电流 。l何为欧姆接触？所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其何为欧姆接触？所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部接触面的电阻远小于半导体本身的电阻，使得

48、组件操作时，大部分的电压降在活动区（分的电压降在活动区（Active region)而不在接触面而不在接触面丝网印刷工艺丝网印刷工艺l背电场印刷：重新参杂，去电池片背面背电场印刷：重新参杂，去电池片背面PN结，减少载流子复结，减少载流子复合，增大开压合，增大开压l其作用：（其作用：（1）收集背部载流子，）收集背部载流子， 传送到背电极传送到背电极 （2）形成）形成BSF，在硅，在硅 片背面形成片背面形成p+层可以减少金属层可以减少金属 与硅交界处的少子复合，从而与硅交界处的少子复合，从而 提高开路电压和增加短路电流。提高开路电压和增加短路电流。丝网印刷工艺丝网印刷工艺l正面银印刷：在电池片的正

49、面（喷涂减反射膜的面）同时用银浆正面银印刷：在电池片的正面（喷涂减反射膜的面）同时用银浆料印刷一排间隔均匀的栅线和两条电极，在工艺上要求栅线间距料印刷一排间隔均匀的栅线和两条电极，在工艺上要求栅线间距约约3mm、宽度约、宽度约O.100.12mm：l作用：作用：1）收集载流子，对外输出）收集载流子，对外输出 光生电流；光生电流； （2）减少遮光面积，最大面）减少遮光面积，最大面 积实现光电转换积实现光电转换 丝网印刷工艺丝网印刷工艺l印刷方案：印刷方案：l方案方案1 缺点：焊条为长条状，浪费了缺点：焊条为长条状，浪费了Ag/Al浆浆 优点：一旦出现碎片后，可以顺利的划成碎片优点：一旦出现碎片后

50、，可以顺利的划成碎片l方案方案2 优点：可以大大节省优点：可以大大节省Ag/Al浆，降低成本浆，降低成本 缺点：一旦出现碎片后，断成小片，利用率大大降低缺点：一旦出现碎片后，断成小片，利用率大大降低l方案方案3： 优点：与铝背场形成良好的欧姆接触，铝浆料和银浆料有细栅优点：与铝背场形成良好的欧姆接触，铝浆料和银浆料有细栅线线 的重叠部分，这样可以提高效率和填充因子。的重叠部分，这样可以提高效率和填充因子。l总结：尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者总结：尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者重叠部分严重黑，即大量的有机溶剂没有充分挥发，这样就严重重叠部分严重黑，即大量

51、的有机溶剂没有充分挥发，这样就严重影响电池效率和填充因子。影响电池效率和填充因子。丝网印刷工艺丝网印刷工艺l各个工序参数：各个工序参数： 背面电极的印刷参数背面电极的印刷参数印刷速度印刷速度250返料速度返料速度400丝网间距丝网间距-1300刮板压力刮板压力80-85脱离速度脱离速度35刮板高度刮板高度-1200烘箱温区烘箱温区1234全程时间全程时间温度温度1001201401608印刷速度印刷速度180返料速度返料速度400丝网间距丝网间距-1400刮板压力刮板压力80-85脱离速度脱离速度10刮板高度刮板高度-1300 印刷速度印刷速度250返料速度返料速度400丝网间距丝网间距-13

52、00刮板压力刮板压力65-85脱离速度脱离速度35刮板高度刮板高度-1200烘箱温区烘箱温区1234全程时间全程时间温度温度1001201501708背面电场的印刷参数背面电场的印刷参数正面电极的印刷参数正面电极的印刷参数丝网印刷工艺丝网印刷工艺l丝网印刷工艺原理图：丝网印刷工艺原理图：丝网印刷工艺丝网印刷工艺l工艺中所用材质：工艺中所用材质： 浆料：浆料是由功能组份、粘结组份和有机载体组成的一种流浆料：浆料是由功能组份、粘结组份和有机载体组成的一种流体，浆料有导体浆料、电阻浆料、介质浆料和包封浆料等。在背体，浆料有导体浆料、电阻浆料、介质浆料和包封浆料等。在背银，背铝及正银工序中所用浆料为导

53、体浆料。在导体浆料中，功银，背铝及正银工序中所用浆料为导体浆料。在导体浆料中，功能组份一般为贵金属或贵金属的混合物。载体是聚合物在有机溶能组份一般为贵金属或贵金属的混合物。载体是聚合物在有机溶剂中的溶液。功能组份决定了成膜后的电性能和机械性能。载体剂中的溶液。功能组份决定了成膜后的电性能和机械性能。载体决定了厚膜的工艺特性，是印刷膜和干燥膜的临时粘结剂。功能决定了厚膜的工艺特性，是印刷膜和干燥膜的临时粘结剂。功能组份和粘结组份一般为粉末状，在载体中进行充分搅拌和分散后组份和粘结组份一般为粉末状，在载体中进行充分搅拌和分散后形成膏状的厚膜浆料。烧结后的厚膜导体是由金属与粘结组份组形成膏状的厚膜浆

54、料。烧结后的厚膜导体是由金属与粘结组份组成。成。 浆料的技术性能指标是指浆料中功能成分，经过烘干和烧结后与浆料的技术性能指标是指浆料中功能成分，经过烘干和烧结后与电池片的欧姆特性，其影响电池片的电性能指标如开路电压，短电池片的欧姆特性，其影响电池片的电性能指标如开路电压，短路电流，并联电阻，串联电阻，转换率等技术指标路电流，并联电阻，串联电阻，转换率等技术指标丝网印刷工艺丝网印刷工艺l影响因素：影响因素：1.印刷压力：在印刷过程中刮胶要对丝网保持一定的压力，且这印刷压力：在印刷过程中刮胶要对丝网保持一定的压力，且这个力必须是适当的。印刷压力过大，易使网版、刮胶使用寿命个力必须是适当的。印刷压力

55、过大，易使网版、刮胶使用寿命降低，使丝网变形，导致印刷图形失真。印刷压力过小，易使降低，使丝网变形，导致印刷图形失真。印刷压力过小，易使浆料残留在网孔中，造成虚印和粘网。在适当的范围内加大印浆料残留在网孔中，造成虚印和粘网。在适当的范围内加大印刷压力，透墨量会减小（浆料湿重减小），栅线高度下降，宽刷压力，透墨量会减小（浆料湿重减小），栅线高度下降，宽度上升度上升2.印刷速度：印刷速度的设定必须兼顾产量和印刷质量。对印刷印刷速度：印刷速度的设定必须兼顾产量和印刷质量。对印刷质量而言，印刷速度过快，浆料进入网孔的时间就短，对网孔质量而言，印刷速度过快，浆料进入网孔的时间就短，对网孔的填充性变差，印

56、刷出的栅线平整性受损，易产生葫芦状栅线的填充性变差，印刷出的栅线平整性受损，易产生葫芦状栅线。印刷速度上升，栅线线高上升，线宽下降。印刷速度变慢，。印刷速度上升，栅线线高上升，线宽下降。印刷速度变慢，下墨量增加，湿重上升下墨量增加，湿重上升 丝网印刷工艺丝网印刷工艺3.丝网间隙：丝网间隙与湿重几乎呈比例上升，之后丝网间隙加丝网间隙：丝网间隙与湿重几乎呈比例上升，之后丝网间隙加大，湿重降低，最后突然变为零。丝网间隙加大，下墨量多，大，湿重降低，最后突然变为零。丝网间隙加大，下墨量多，湿重增大。丝网间隙过大，易使印刷图形失真；过小，容易粘湿重增大。丝网间隙过大，易使印刷图形失真；过小，容易粘网。网

57、。4.刮胶角度：刮胶角度的调节范围为刮胶角度：刮胶角度的调节范围为45-75度。实际的刮胶角度度。实际的刮胶角度与浆料有关，浆料黏度越高，流动性越差，需要刮胶对浆料向与浆料有关，浆料黏度越高，流动性越差，需要刮胶对浆料向下的压力越大，刮胶角度接就越小。在可调范围内，减小刮胶下的压力越大，刮胶角度接就越小。在可调范围内，减小刮胶角度，下墨量增加，湿重加大。刮胶刃口钝，下墨量多，线宽角度，下墨量增加，湿重加大。刮胶刃口钝，下墨量多，线宽大。大。5.印刷黏度：浆料的黏度与流动性呈反比，黏度越低，流动性越印刷黏度：浆料的黏度与流动性呈反比，黏度越低，流动性越大，可在一定程度保证印刷的质量。浆料黏度过大

58、，透墨性差大，可在一定程度保证印刷的质量。浆料黏度过大，透墨性差，印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小，印刷的图形易扩，印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小，印刷的图形易扩大（栅线膨胀），产生气泡、毛边。大（栅线膨胀），产生气泡、毛边。丝网印刷工艺丝网印刷工艺6.纱厚、膜厚的影响：一般情况下，丝网目数越低，线径越粗，纱厚、膜厚的影响：一般情况下，丝网目数越低，线径越粗，印刷后的浆料层越高，因此丝网目数较高时，印刷后浆料层就印刷后的浆料层越高，因此丝网目数较高时，印刷后浆料层就低一些。对于同目数的丝网，纱厚越厚，透墨量越少。在一定低一些。对于同目数的丝网，纱厚越厚，透墨量越少。在一定范围内，感光

59、胶膜越厚，下墨量越大，印刷的栅线越高。但膜范围内，感光胶膜越厚，下墨量越大，印刷的栅线越高。但膜厚增大，易造成感光胶脱落。厚增大，易造成感光胶脱落。7.印刷台面的水平度：印刷时电池片被吸附于印刷台面，若台面印刷台面的水平度：印刷时电池片被吸附于印刷台面，若台面不平，电池片在负压下易破裂。一般电池片水平度应小于不平，电池片在负压下易破裂。一般电池片水平度应小于0.02mm。印刷台面与网版的平行度：决定了印刷浆料的一致。印刷台面与网版的平行度：决定了印刷浆料的一致性。一般二者平行度应小于性。一般二者平行度应小于0.04mm。印刷台的重复定位精度。印刷台的重复定位精度：太阳能电池片印刷台的重复定位精

60、度需达到：太阳能电池片印刷台的重复定位精度需达到0.01mm。丝网印刷工艺丝网印刷工艺l异常处理：异常处理：铝铝珠珠印刷过厚印刷过厚降低印刷厚度，调整印刷参数提高印刷压力、减小丝网间降低印刷厚度，调整印刷参数提高印刷压力、减小丝网间距距绒面过大绒面过大提醒制绒工序改善提醒制绒工序改善浆料不匹配浆料不匹配更换其他型号浆料更换其他型号浆料铝铝疱疱印刷厚度偏薄印刷厚度偏薄增大印刷厚度，调整印刷参数降低印刷压力、增大丝网间增大印刷厚度，调整印刷参数降低印刷压力、增大丝网间距距印刷不均印刷不均匀匀网版破损网版破损更换网版更换网版刮胶磨损刮胶磨损更换刮胶更换刮胶刮胶安装不良刮胶安装不良重新安装刮胶重新安装