模电课件：2第二章半导体二极管及直流稳压电源

1、第第2章章 半导体二极管及直流稳压电源半导体二极管及直流稳压电源第2章 半导体二极管及直流稳压电源2.1 半导体的基础知识 2.2 半导体二极管2.3 晶体二极管电路的分析方法 2.4 晶体二极管的应用及直流稳压电源2.5 半导体器件型号命名及方法 2.1 半导体的基础知识n 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分，可分为：导体、绝缘体和半导体。 1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等金属元素、低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 2. 绝缘体：几乎不导电的物体。 如：惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导

2、电。 3. 半导体： 半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一定条件下可导电。硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。2.1 半导体的基础知识半导体特点： 1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。二极管、三极管属于此类。n 1. 本征半导体纯净的晶体结构的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。电子技术中用的最多的是硅和锗。n 硅和锗都是4价元素，它们

3、的外层电子都是4个称为价电子。 其简化原子结构模型如下图：无杂质无杂质稳定的结构稳定的结构2.1.1 本征半导体 本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如图所示： 2.本征半导体的共价键结构两个电子的共价键正离子芯由于随机热振动致使共价键由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对被打破而产生空穴电子对 这一现象称为这一现象称为本征激发，本征激发，也称也称热激发热激发。自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 一定温度下，自由电子与空穴

4、对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡动态平衡由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴3.本征半导体中的两种载流子两种载流子两种载流子 外加电场时，带负电的自由电外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。目很少，故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？运载电荷的粒子称为载流子。运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载温度升高

5、，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度热力学温度0K时不导电。时不导电。3.本征半导体中的两种载流子空穴的移动n 由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上，而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了电荷迁移电流。n 电流的方向与电子移动的方向相反，与空穴移动的方向相同。本征半导体中，产生电流的根本原因是由于共价键中出现了空穴。自由电子自由电子空穴空穴空穴的运动空穴的运动空穴的移动磷（磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越

6、强，实现导电性可控。多数载流子多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。施主杂质施主杂质1. N型半导体2.1.2 杂质半导体5所以，N型半导体中的导电粒子有两种： 自由电子多数载流子（由两部分组成） 空穴少数载流子N型半导体的结构示意图如图所示：自由电子施主正离子2.1.2 杂质半导体3硼（硼（B）多数载流子多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强。 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗

7、？ 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。受主杂质受主杂质2. P型半导体P型半导体的结构示意图如图所示：P型半导体中：型半导体中： 空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，电子是少数载流子，由热激发形成。由热激发形成。空穴受主负离子2. P型半导体 本征半导体、杂质半导体 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质本节中的有关概念 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散扩散运动运动P区空穴浓区空穴浓度远高于度远高于N区。区。N区

8、自由电区自由电子浓度远子浓度远高于高于P区。区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。1.PN 结的形成2.1.3 PN结的形成及特性 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了态平衡，就形成了PN结。结。漂移运动漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。1.PN 结的形成因浓度差因浓度差多子扩散多子扩散形成空间电荷区形成空间电荷区促使少

9、子漂移促使少子漂移阻止多子扩散阻止多子扩散PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。必要吗？必要吗？2.PN 结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 低电阻 大的正向扩散电流2.PN 结的单向导电性PN结的伏安特性 (2) PN结加反向电压时结加反向电压时 高电阻 很小的反向漂移电流在一定的温度条件下，由本征激发激发

10、决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流反向饱和电流。 (1) 扩散电容CD扩散电容示意图是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。PN结外加的正向电压变化时，在结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放均有变化，也有电荷的积累和释放过程，相当于电容器充电和放电的过程，相当于电容器充电和放电的过程过程 ，其等效电容称为扩散电容。，其等效电容称为扩散电容。当加反向电压时，扩散运当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电

11、容的作动被削弱，扩散电容的作用可忽略。用可忽略。 3. PN结的电容效应 (2) 势垒电容CT是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容充放电过程，其等效电容称为势垒电容。势垒电容的大小可表示为：由于由于 PN 结结 宽度宽度 l 随外加电压随外加电压 U 而变化，因此而变化，因此势垒电容势垒电容 CT不是不是一个常数一个常数。 ：半导体材料的介电比系数；S ：结面积；d ：耗尽层宽度。jTDCCC结电容 3. PN结的电容效应T4SCd讨论讨论n为什么将自然界导电性能中等的半导体

12、材料制为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？改善导电性能？n为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？是少子是影响温度稳定性的主要因素？n为什么半导体器件有最高工作频率？为什么半导体器件有最高工作频率？ 结电容不是常量！若结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！则失去单向导电性！将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率小功率

13、二极管二极管大功率大功率二极管二极管稳压稳压二极管二极管发光发光二极管二极管2.2 半导体二极管二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。(1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，故结结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高，允许的电流小，最高工作频率高，用于检波和变频等高频电路。用于检波和变频等高频电路。1. 半导体二极管的结构(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图（a）面接触型）面接触型 （b）集成电路中的平面型）集成电路中的平面型 （c）代表符号）代表符号 (2) 面接触型二极管 PNPN结面积大，结电容结面积大，结电容大，故结允许的电流大，大，故

14、结允许的电流大，最高工作频率低，用于工最高工作频率低，用于工频大电流整流电路频大电流整流电路1. 半导体二极管的结构结面积可小、可大，结面积可小、可大，小的工作频率高，大小的工作频率高，大的结允许的电流大。的结允许的电流大。其中二极管的伏安特性IS 反向饱和电流反向饱和电流UT 温度的电压当量温度的电压当量在常温下（T=300K） TSe1u UiIT0.026V=26mVkTUq2. 二极管的伏安特性 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。)(ufi 开启开启电压电压反向饱反向饱和电流和电流击穿击穿电压电压)1e (TS UuIi 2. 2. 伏

15、安特性受温度影响伏安特性受温度影响T（）在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线增大1倍/10TeSUuIi 若正向电压 uUT,则 若反向电压|u|UT，则iIS2. 二极管的伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：从二极管的伏安特性可以反映出： 1. 单向导电性单向导电性锗二极管2AP15的伏安特性2. 二极管的伏安特性 当当0uD Uth时，正向电流为零时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。称为死区电压或开启电压。当当uD0即处于正向特性区域。正向区又分为两即处于正向特性区域。正向区又分为两

16、段：当当uD Uth时，开始出现正向时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。电流，并按指数规律增长。开启电压2. 二极管的伏安特性 硅硅二极管的死区电压二极管的死区电压Uth=0.5 V左右，左右， 锗锗二极管的死区电压二极管的死区电压Uth=0.1 V左右。左右。 当当uD0时，即处于反向特性时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：区域。反向区也分两个区域：当当UBRuD0时，反向电流很小，且时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称时的反向电流也称反向饱和电流反向饱和电流IS 。当当uDUBR时，反向电流急剧增加时，反向电流急剧

17、增加，UBR称为称为反向击穿电压反向击穿电压 。 锗二极管2AP15的伏安特性 击穿击穿电压电压材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几几十十A2. 二极管的伏安特性 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆PN结被击穿后，结被击穿后，PN结上的压降高，电流大，功率大。当结上的压降高，电流大，功率大。当PN结上的功耗使结上的功耗使PN结发热，并超过它的耗散功率时，结发热，并超过它

18、的耗散功率时，PN结将结将发生发生热击穿热击穿。这时。这时PN结的电流和温度之间出现恶性循环，最结的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致终将导致PN结烧毁。结烧毁。 二极管的反向击穿(1) 最大整流电流最大整流电流IF(2) 反向击穿电压反向击穿电压UBR和最大反向工作电压和最大反向工作电压UR 二极管反向电流二极管反向电流急剧增加时对应的反向急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压值称为反向击穿电压电压UBR。 为安全计，在实际为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压工作时，最大反向工作电压UR一般只按反向击穿电压一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。的一半计算。二极管长期连续工二极管长

19、期连续工作时，允许通过二作时，允许通过二极管的最大正向极管的最大正向电流的平均值。电流的平均值。 2.2.3 二极管的主要参数(3) 反向电流反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安级；锗二极管在微安( A)级。级。即即IS(4)最高工作频率最高工作频率fM （因（因PN结有电容效应）结有电容效应）(5) 极间电容极间电容CJ 2.2.3 二极管的主要参数将指数模型将指数模型 分段线化，得到二极管特性分段

20、线化，得到二极管特性的等效模型。的等效模型。1.二极管的简化模型二极管的简化模型 TSe1u UiI理想开关理想开关导通时导通时uD0截止时截止时IS0理想理想二极管二极管(1)理想模型理想模型2.3.1 晶体二极管的模型晶体二极管的模型2.3 晶体二极管电路的分析方法近似分析近似分析中最常用中最常用（2 2）恒压降模型）恒压降模型导通时导通时uUD(on)截止截止时时IS02.3 晶体二极管电路的分析方法（3） 折线模型导通时iD与uD成线性关系？应应根据不同情况选择不同的等效电路！根据不同情况选择不同的等效电路！100V？5V？1V？2.3 晶体二极管电路的分析方法Q越高，越高，rd越小。

21、越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用小信号作用小信号作用2.交流小信号等效模型 TSe1u UiITdDUrI TdDD26(mV)(mA)UrII（室温下)即根据DTsDDDdDDTTd1eduUIiiIruuUU 静态电流静态电流在在Q点上点上2.交流小信号等效模型2.交流小信号等效模型微变等效电路适用于进行放大电路的 。A. 图解法分析 B. 静态分析C. 动态分析 D. 静态和动态分析C2.

22、3.2 晶体二极管电路的分析方法1.数值解法数值解法DDDDuVi R DTDSe1uUiI联立求解联立求解 迭代法迭代法 2.图解分析法图解分析法DDDDVui R 负载线负载线二极管伏安关系二极管伏安关系 工作点工作点2.3.2 晶体二极管电路的分析方法3.简化模型分析法对如图所示简单二极管电路，采用不同的简化模型，得到不同的对如图所示简单二极管电路，采用不同的简化模型，得到不同的电路电路（1）理想模型理想模型，用短路线代替导通的二极管，用短路线代替导通的二极管 DDDD0V, =/UIVR （2）恒压降模型恒压降模型时，用恒压降模型等效电路代替二极管时，用恒压降模型等效电路代替二极管 D

23、DD(on)DD0.7V, =VUUIR (a) 理想模型电路理想模型电路 （b）恒压降模型电路）恒压降模型电路 简单二极管电路简单二极管电路 （3）折线模型折线模型，用折线模型等效电路代替二极管，用折线模型等效电路代替二极管 简单二极管电路简单二极管电路 （c） 折线模型电路折线模型电路 DDthDDD DD =, +thVUIUUI rR r 3.简化模型分析法讨论n 判断二极管工作状态的方法？判断二极管工作状态的方法？n 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？什么情况下应选用二极管的什么等效电路？uD=ViRQIDUDRuViDDV与与uD可比，则需图解：可比，则需图解：实测特性实测特性

24、 对对V和和Ui二极管二极管的模的模型有什么不同？型有什么不同？3.简化模型分析法解：（1）理想模型）理想模型oiuu 当当uiUREF时，二极管截止，时，二极管截止， 当当uiUREF时，二极管导通时，二极管导通 ，oREF3(V)uU波形如图所示波形如图所示 【例例2.3.1】电路如图所示电路如图所示R=1k,UREF=3V为直流参考电压源。为直流参考电压源。当当 ui=6sint(V)试分别用理想模型和恒压降模型分析该电路，试分别用理想模型和恒压降模型分析该电路，画出相应的输出电压画出相应的输出电压uo的波形。的波形。解解：（：（2）恒压降模型）恒压降模型波形如图所示波形如图所示 oiu

25、u 当当uiUREF+UD(on)时，二极管截止，时，二极管截止，当当uiUREF+UD(on)时，二极管导时，二极管导通通 ，oREFD(on)30.73.7(V)uUU(c) 恒压降模型恒压降模型3.简化模型分析法2.4 晶体二极管的应用及直流稳压电源直流电源的组成及各部分的作用直流电源的组成及各部分的作用改变电压值改变电压值通常为降压通常为降压交流变脉交流变脉动的直流动的直流减小脉动减小脉动1) 负载变化输出电压负载变化输出电压基本不变；基本不变；2) 电网电压变化输出电网电压变化输出电压基本不变。电压基本不变。 直流电源是能量转换电路，将直流电源是能量转换电路，将220V（或或380V

26、）50Hz的的交交流电转换为直流电。流电转换为直流电。半波整流半波整流全波整流全波整流 在分析电源电路时要特别考虑的两个问题：允许电网电在分析电源电路时要特别考虑的两个问题：允许电网电压波动压波动10，且负载有一定的变化范围。，且负载有一定的变化范围。（1） 工作原理u2的正半周，的正半周，D导通，导通， ADRLB，uO= u2 。 2uu2的负半周，的负半周，D截止，承受反向电压，为截止，承受反向电压，为u2； uO=0。2u1半波整流电路半波整流电路整流电路：利用二极管的单向导电性将交流电转化为直流电的电路整流电路：利用二极管的单向导电性将交流电转化为直流电的电路2.4.2. 小功率整流

27、滤波电路(2) UO（AV）和和 IO（AV）的估算的估算 已知变压器副边电压有效值为已知变压器副边电压有效值为U2 O(AV)2 012sin d( )2UUtt 2O(AV)220.45UUUO(AV)2O(AV)LL0.45UUIRR1半波整流电路 考虑到电网电压波动范围为考虑到电网电压波动范围为10，二极管的极限参数应，二极管的极限参数应满足：满足： 2FLDR20.451.1 1.1 2UIRUU (3) 二极管的选择二极管的选择D(RM)22UU 2D(AV)O(AV)L0.45UIIR1半波整流电路u2的正半周的正半周 AD1RLD3B，uO= u2u2的负半周 B D2RLD4

28、 A，uO= -u2四只管子如何接？集成的桥式整流电路集成的桥式整流电路称为整流堆。称为整流堆。(1) 工作原理工作原理若接反了呢？2、单相桥式整流电路(2) 输出电压和电流平均值的估算输出电压和电流平均值的估算 O(AV)2 012sin d( )UUtt LLO(AV)2L(AV)0.9UUIRR2O(AV)22 20.9UUU2、单相桥式整流电路D(RM)22UU 考虑到电网电压波动范围为考虑到电网电压波动范围为10，二极管的极限参数应满足：二极管的极限参数应满足： 与半波整流电路对二极管的要求相同2FLDR20.451.1 1.1 2UIRUU (3) 二极管的选择2、单相桥式整流电路

29、(1)工作原理工作原理充电放电速度与正弦波下降速度相似按指数规按指数规律下降律下降滤波后，输出电压平均值增大，脉动变小。滤波后，输出电压平均值增大，脉动变小。当当|u2|uC|时，有一对二极管导通，对电时，有一对二极管导通，对电容充电，容充电，充电充电非常小非常小当当|u2| ILmax ILmin（3）限流电阻的选择限流电阻的选择 保证稳压管既稳压又不损坏。保证稳压管既稳压又不损坏。 ZMmaxDZminDZZIIII且ZLmaxZinImminDZIIRUUI 电网电压最低且负载电流最大时，稳压管的电流最小。电网电压最低且负载电流最大时，稳压管的电流最小。LmaxZZinImIIUUR 电

30、网电压最高且负载电流最小时，稳压管的电流最大。电网电压最高且负载电流最小时，稳压管的电流最大。ZMLminZaxImmaxDZIIRUUI LminZMZaxImIIUUR 5.稳压管稳压电路的设计【例例2.4.1】 硅稳压管电路如图所示。其中待稳定的直流电压硅稳压管电路如图所示。其中待稳定的直流电压UI=18V，R=1k，RL=2k，硅稳压管，硅稳压管VDZ的稳定电压的稳定电压UZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。（1）试求）试求UO、IO、IR和和IZ的值。的值。（2）试求）试求RL值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定。值降低到多

31、大时，电路的输出电压将不再稳定。解：解：（1）LIZL21812(V)12RUURROZ10(V)UUOOL105(mA)2UIRIOR18108(mA)1UUIR ZRO853(mA)III（2）当）当 LIZLRUURR LL18101RR L1.25(k)R 讨论输出电压：输出电压：5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V输出电流：输出电流：1.5A(W7800)、0.5A (W78M00)、0.1A(W78L00)1. 固定输出的三端稳压器固定输出的三端稳压器 W7800系列系列（1）简介）简介2.4.4 三端集成稳压器CW78M05表示输出正电压表示输出正电压5V，输出电流，

32、输出电流0.5A引脚号标注方法按照引脚引脚号标注方法按照引脚电位从高到低的顺序标注电位从高到低的顺序标注保护二极管，使保护二极管，使Co不通过稳压器放电不通过稳压器放电抵销长线电感效应，抵销长线电感效应，消除自激振荡消除自激振荡 将输入端接整流滤波电路的输出，将输出端接负载电阻。将输入端接整流滤波电路的输出，将输出端接负载电阻。（2）基本应用消除高频噪声消除高频噪声电解电容，减小稳压电源输出端由输入电源引入的低频干扰电解电容，减小稳压电源输出端由输入电源引入的低频干扰注意：输入与输出之间电压差不低于注意：输入与输出之间电压差不低于3V（3）具有正、负两路输出的稳压电路 当需要同时输出正、负两路

33、电压时，当需要同时输出正、负两路电压时，可用可用78系列和系列和79系列两个集成稳压器系列两个集成稳压器2WO12O)1(RIURRU IW为几mA，UO与三端稳压器参数有关。隔离作用隔离作用123omax1RRRUUR123omin12RRRUURR （4）输出电压扩展电路2. 基准电压源三端可调式稳压器 W117 输出电压输出电压UREF1.25V，调整端电流只有几微安。调整端电流只有几微安。（1）简介）简介REF12O)1(URRU （2）基本应用这类稳压器依靠外接电阻来调节输出电压，为保证输出电压的精这类稳压器依靠外接电阻来调节输出电压，为保证输出电压的精度和稳定性，要选择精度高的电阻

34、，同时电阻要紧靠稳压器，度和稳定性，要选择精度高的电阻，同时电阻要紧靠稳压器，防止输出电流在连线电阻上产生误差电压防止输出电流在连线电阻上产生误差电压【例例2.4.2】 电路如图电路如图2.4.14所示，集成稳压器所示，集成稳压器7824的的2、3端电端电压压U23=UREF=24V，求输出电压，求输出电压UO和输出电流和输出电流IO的表达式，说明的表达式，说明该电路具有何种作用。该电路具有何种作用。解：图2.4.14 例2.4.2电路图（P50）讨论R1固定，固定， R2可调时，输出电压可调，而输出电流恒定可调时，输出电压可调，而输出电流恒定2.5 特殊二极管特殊二极管1太阳能电池太阳能电池它是没有外电压直接激励的它是没有外电压直接激励的PN结器件，