二极管晶闸管ppt课件

1、第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1.1 1.1 功率二极管功率二极管 1.2 1.2 晶闸管晶闸管 1.3 1.3 单相相控整流电路单相相控整流电路 1.4 1.4 晶闸管触发电路晶闸管触发电路 习题及思索题习题及思索题 第1章 功率二极管、晶闸管 及单相相控整流电路第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1.1.1 1.1.1 功率二极管的义务原理功率二极管的义务原理 功率二极管是以功率二极管是以PNPN结为根底的，实际上就是由一个面积较结为根底的，实际上就是由一个面积较大的大的PNPN结和两端引线封装组成的。功率二极管的构造和图形符结和两端引线封装组成的。功率二极管的构

2、造和图形符号如图号如图1-11-1所示。所示。 图 1-1 功率二极管的构造和图形符号 AKAKPN1.1 1.1 功功 率率 二二 极极 管管第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 功率二极管主要有螺栓型和平板型两种外形， 如图1-2 所示。 图 1-2 功率二极管的外形 (a) 螺栓型； (b) 平板型 AKAK(a)(b)第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 功率二极管和电子电路中的二极管义务原理一样，即假设二极管处于正向电压作用下，那么PN结导通， 正向管压降很小； 反之， 假设二极管处于反向电压作用下，那么PN结截止， 仅有极小的可忽略的漏电流流过二极管。经实验丈量可得

3、功率二极管的伏安特性曲线，如图1-3所示。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图1-3 功率二极管的伏安特性曲线 (a) 螺栓型； (b) 平板型 IUF0第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1 1正向平均电流正向平均电流I F(AV)I F(AV) 功率二极管的正向平均电流功率二极管的正向平均电流I F(AV)I F(AV)是指在规定的管壳是指在规定的管壳温度和散热条件下允许经过的最大工频半波电流的平均值温度和散热条件下允许经过的最大工频半波电流的平均值, , 元元件标称的额定电流就是这个电流。实际运用中，功率二极管所件标称的额定电流就是这个电流。实际运用中，功率二极管

4、所流过的最大有效电流为流过的最大有效电流为I I，那么其额定电流普通选择为，那么其额定电流普通选择为 57. 1)25 . 1 ()(IIAVF式中的系数1.52是平安系数。 1.1.2 1.1.2 功率二极管的主要参数功率二极管的主要参数第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2正向压降UF 正向压降UF是指在规定温度下，流过某一稳定正向电流时所对应的正向压降。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 反向反复峰值电压URRM 反向反复峰值电压是功率二极管能反复施加的反向最高电压， 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。普通在选用功率二极管时， 以其在电路中可以接受的反向峰值电压

5、的两倍来选择反向反复峰值电压。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 4反向恢复时间反向恢复时间trr 反向恢复时间是指功率二极管从所施加的反向偏置电流反向恢复时间是指功率二极管从所施加的反向偏置电流降至零起到恢复反向阻断才干为止的时间。降至零起到恢复反向阻断才干为止的时间。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1 整流二极管整流二极管 整流二极管多用于开关频率不高的场所，普通开关频整流二极管多用于开关频率不高的场所，普通开关频率在率在1 kHz以下。以下。 整流二极管的特点是电流定额和电压定整流二极管的特点是电流定额和电压定额可以到达很高，普通为几千安和几千伏，但反向恢复时

6、额可以到达很高，普通为几千安和几千伏，但反向恢复时间较长。间较长。 1.1.3 功率二极管的主要类型功率二极管的主要类型第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 快速恢复二极管 快速恢复二极管的特点是恢复时间短，尤其是反向恢复时间短，普通在5 s以内，可用于要求很小反向恢复时间的电路中，如用于与可控开关配合的高频电路中。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 肖特基二极管 肖特基二极管是以金属和半导体接触构成的势垒为根底的二极管，其反向恢复时间更短，普通为1040 ns。肖特基二极管在正向恢复过程中不会有明显的电压过冲，在反向耐压较低的情况下正向压降也很小，明显低于快速恢复

7、二极管，因此，其开关损耗和正导游通损耗都很小。肖特基二极管的缺乏是，当所接受的反向耐压提高时，其正向电压有较大幅度提高。它适用于较低输出电压和要求较低正向管压降的换流器电路中。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1.2.1 1.2.1 晶闸管的构造晶闸管的构造 晶闸管是一种大功率半导体变流器件，晶闸管是一种大功率半导体变流器件， 它具它具有三个有三个PNPN结的四层构造，其外形、结的四层构造，其外形、 构造和图形符构造和图形符号如图号如图1-41-4所示。由最外的所示。由最外的P1P1层和层和N2N2层引出两个电层引出两个电极，分别为阳极极，分别为阳极A A和阴极和阴极K K，由中

8、间，由中间P2P2层引出的电层引出的电极是门极极是门极G G也称控制极。也称控制极。 1.2 1.2 晶晶 闸闸 管管第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-4 晶闸管的外形、 构造和图形符号(a) 外形； (b) 构造； (c) 图形符号 P1N1P2N2GKAJ1J2J3(b)(c)AKG(a)AGKAGK第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 常用的晶闸管有螺栓式和平板式两种外形，如图1-4(a)所示。晶闸管在义务过程中会因损耗而发热，因此必需安装散热器。螺栓式晶闸管是靠阳极螺栓拧紧在铝制散热器上， 可自然冷却；平板式晶闸管由两个相互绝缘的散热器夹紧晶闸管，靠冷风冷却

9、。额定电流大于200 A的晶闸管都采用平板式外形构造。此外，晶闸管的冷却方式还有水冷、油冷等。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 我们经过图我们经过图1-51-5所示的电路来阐明晶闸管的义所示的电路来阐明晶闸管的义务原理。在该电路中，由电源务原理。在该电路中，由电源EaEa、白炽灯、晶闸管、白炽灯、晶闸管的阳极和阴极组成晶闸管主电路；由电源的阳极和阴极组成晶闸管主电路；由电源EgEg、开关、开关S S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路、晶闸管的门极和阴极组成控制电路, ,也称触发电也称触发电路。路。 1.2.2 1.2.2 晶闸管的义务原理晶闸管的义务原理第1章 功率二极管、晶闸管及

10、单相相控整流电路 图 1-5 晶闸管导通实验电路图 EaEgSEaEgSEaEgS第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 当晶闸管的阳极A接电源Ea的正端，阴极K经白炽灯接电源的负端时，晶闸管接受正向电压。当控制电路中的开关S断开时，白炽灯不亮，阐明晶闸管不导通。 当晶闸管的阳极和阴极接受正向电压，控制电路中开关S闭合，使控制极也加正向电压控制极相对阴极时，白炽灯亮，阐明晶闸管导通。 当晶闸管导通时，将控制极上的电压去掉即将开关S断开，白炽灯依然亮，阐明一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制造用。 当晶闸管阳极和阴极间加反向电压时，不论控制极加不加电压，灯都不亮，晶闸管截止。控制极加反向电压

11、，无论晶闸管主电路加正向电压还是反向电压，晶闸管都不导通。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 经过上述实验可知，晶闸管导通必需同时具备两个条件： 1晶闸管主电路加正向电压。 2晶闸管控制电路加适宜的正向电压。 为了进一步阐明晶闸管的义务原理，可把晶闸管看成是由一个PNP型和一个NPN型晶体管衔接而成的，衔接方式如图1-6所示。阳极A相当于PNP型晶体管V1的发射极，阴极K相当于NPN型晶体管V2的发射极。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-6 晶闸管义务原理等效电路KIKV2IC2PNPV1IC1NPNIAIGGSECAEAR(b)(a)N2N1P2GP1P2N

12、1KA第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 当晶闸管阳极接受正向电压，控制极也加正向电压时， 晶体管V2处于正向偏置，EC产生的控制极电流IG就是2的基极电流IB2，V2的集电极电流IC2 =2 IG 。而IC2 又是晶体管1的基极电流，1的集电极电流IC1=1IC2 =12 IG 1和2分别是1和V2的电流放大系数。电流IC1又流入V2的基极， 再一次放大。这样循环下去，构成了猛烈的正反响，使两个晶体管很快到达饱和导通，这就是晶闸管的导经过程。导通后， 晶闸管上的压降很小，电源电压几乎全部加在负载上，晶闸管中流过的电流即负载电流。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 在晶闸

13、管导通之后，它的导通外形完全依托管子本身的正反响作用来维持， 即使控制极电流消逝，晶闸管仍将处于导通外形。因此， 控制极的作用仅是触发晶闸管使其导通，导通之后，控制极就失去了控制造用。 要想关断晶闸管， 最根本的方法就是必需将阳极电流减小到使之不能维持正反响的程度，也就是将晶闸管的阳极电流减小到小于维持电流。 可采用的方法有： 将阳极电源断开； 改动晶闸管的阳极电压的方向， 即在阳极和阴极间加反向电压。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 晶闸管阳极与阴极间的电压晶闸管阳极与阴极间的电压UAUA和阳极电流和阳极电流IAIA的关系称为阳极伏安特性，的关系称为阳极伏安特性， 正确运用晶闸

14、管必需正确运用晶闸管必需求了解其伏安特性。求了解其伏安特性。 图图1-71-7所示即为晶闸管阳极所示即为晶闸管阳极伏安特性曲线，伏安特性曲线， 包括正向特性第一象限和反包括正向特性第一象限和反向特性第三象限两部分。向特性第三象限两部分。 1.2.3 1.2.3 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图图 1-7 1-7 晶闸管阳极伏安特性曲线晶闸管阳极伏安特性曲线 IA正向导通电压约1.5 V0IHUDRMUDSMUBO UA UAUROURSMURRM雪崩击穿 IAIG2 IG1 IG0第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 晶闸管的正向特性又有

15、阻断外形和导通外形之分。在正向阻断外形时， 晶闸管的伏安特性是一组随门极电流IG的添加而不同的曲线簇。当IG =0时，逐渐增大阳极电压UA，只需很小的正向漏电流，晶闸管正向阻断；随着阳极电压的添加，当到达正向转机电压UBO时，漏电流忽然剧增，晶闸管由正向阻断突变为正导游通外形。 这种在IG =0时，依托增大阳极电压而强迫晶闸管导通的方式称为“硬开通。多次“硬开通会使晶闸管损坏，因此通常不允许这样做。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 随着门极电流IG的增大，晶闸管的正向转机电压UBO迅速下降，当 IG足够大时，晶闸管的正向转机电压很小，可以看成与普通二极管一样，只需加上正向阳极电压

16、，管子就导通了。 晶闸管正导游通的伏安特性与二极管的正向特性类似，即当流过较大的阳极电流时， 晶闸管的压降很小。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 UDRM、 URRM正、 反向断态反复峰值电压； UDSM、URSM正、 反向断态不反复峰值电压； UBO正向转机电压； URO反向击穿电压。 晶闸管正导游通后，要使晶闸管恢复阻断，只需逐渐减小阳极电流IA，使IA下降到小于维持电流IH维持晶闸管导通的最小电流，那么晶闸管又由正导游通外形变为正向阻断外形。 图1-7中各物理量的含义如下： 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 晶闸管的反向特性与普通二极管的反向特性类似。在正常情况

17、下，当接受反向阳极电压时，晶闸管总是处于阻断外形，只需很小的反向漏电流流过。当反向电压添加到一定值时，反向漏电流添加较快，再继续增大反向阳极电压会导致晶闸管反向击穿， 呵斥晶闸管永久性损坏，这时对应的电压为反向击穿电压URO。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1 1 正向反复峰值电压正向反复峰值电压UDRMUDRM 在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可反复加在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可反复加在晶闸管两端的正向峰值电压称为正向反复峰值电压在晶闸管两端的正向峰值电压称为正向反复峰值电压UDRMUDRM。普通规定此电压为正向转机电压普通规定此电压为正向转机电压UBOUB

18、O的的80%80%。 2 2反向反复峰值电压反向反复峰值电压URRMURRM 在控制极断路时，可以反复加在晶闸管两端的反向在控制极断路时，可以反复加在晶闸管两端的反向峰值电压称为反向反复峰值电压峰值电压称为反向反复峰值电压URRMURRM。此电压取反向击穿电。此电压取反向击穿电压压UROURO的的80%80%。 1.2.4 1.2.4 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 通态平均电流IV(AV) 在环境温度小于40和规范散热及全导通的条件下， 晶闸管可以延续导通的工频正弦半波电流平均值称为通态平均电流IV(AV)或正向平均电流，通常所说晶闸管是多少

19、安就是指这个电流。 假设正弦半波电流的最大值为IM，那么 MMAVVIttdII)(sin210)(额定电流有效值为 2)()(sin21220MMVItdtII第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 然而在实际运用中，流过晶闸管的电流波形外形、波形导通角并不是一定的，各种含有直流分量的电流波形都有一个电流平均值，也就有一个电流有效值。现定义某电流波形的有效值与平均值之比为这个电流的波形系数，用Kf表示，即 电流平均值电流有效值fK 根据上式可求出正弦半波电流的波形系数 57.12)(AVVVfIIK 这阐明额定电流IV(AV)=100 A的晶闸管，其额定电流有效 值为IV=KfIV(A

20、V)=157 A。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 不同的电流波形有不同的平均值与有效值，波形系数Kf也不同。在选用晶闸管的时候，首先要根据管子的额定电流通态平均电流求出元件允许流过的最大有效电流。不论流过晶闸管的电流波形如何，只需流过元件的实际电流最大有效值小于或等于管子的额定有效值，且散热冷却在规定的条件下，管芯的发热就能限制在允许范围内。由于晶闸管的电流过载才干比普通电机、电器要小得多，因此在选用晶闸管额定电流时，根据实际最大的电流计算后至少要乘以1.52的平安系数，使其有一定的电流裕量。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 4维持电流IH和掣住电流IL 在室温且

21、控制极开路时，维持晶闸管继续导通的最小电流称为维持电流IH。维持电流大的晶闸管容易关断。维持电流与元件容量、结温等要素有关，同一型号的元件其维持电流也不一样。通常在晶闸管的铭牌上标明了常温下IH的实测值。 给晶闸管门极加上触发电压，当元件刚从阻断外形转为导通外形时就撤除触发电压，此时元件维持导通所需求的最小阳极电流称为掣住电流IL。对同一晶闸管来说，掣住电流 IL要比维持电流IH大24倍。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 5 晶闸管的开通与关断时间 1 开通时间tgt 普通规定：从门极触发电压前沿的10%到元件阳极电压下降至10%所需的时间称为开通时间tgt，普通晶闸管的tgt约

22、为6s。开通时间与触发脉冲的陡度大小、结温以及主回路中的电感量等有关。为了缩短开通时间，常采用实际触发电流比规定触发电流大35倍、前沿陡的窄脉冲来触发，称为强触发。另外， 假设触发脉冲不够宽，晶闸管就不可以触发导通。普通说来， 要求触发脉冲的宽度稍大于tgt，以保证晶闸管可靠触发。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 关断时间tq 晶闸管导通时，内部存在大量的载流子。晶闸管的关断过程是： 当阳极电流刚好下降到零时，晶闸管内部各PN结附近依然有大量的载流子未消逝，此时假设马上重新加上正向电压， 晶闸管仍会不经触发而立刻导通，只需再经过一定时间，待元件内的载流子经过复合而根本消逝之后

23、，晶闸管才干完全恢复正向阻断才干。我们把晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断才干所需求的这段时间称为关断时间tq。 晶闸管的关断时间与元件结温、关断前阳极电流的大小以及所加反压的大小有关。普通晶闸管的tq约为几十到几百微秒。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 6 通态电流临界上升率di/dt 门极流入触发电流后，晶闸管开场只在接近门极附近的小区域内导通，随着时间的推移，导通区才逐渐扩展到PN结的全部面积。假设阳极电流上升得太快，那么会导致门极附近的PN结因电流密度过大而烧毁，使晶闸管损坏。因此，对晶闸管必需规定允许的最大通态电流上升率，称通态电流临界上升率di/dt。 第1

24、章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 7 断态电压临界上升率du/dt 晶闸管的结面积在阻断外形下相当于一个电容，假设忽然加一正向阳极电压， 便会有一个充电电流流过结面，该充电电流流经接近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，假设这个电流过大，将会使元件误触发导通，因此对晶闸管还必需规定允许的最大断态电压上升率。我们把在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1 1 晶闸管的型号晶闸管的型号 图 1-8 晶闸管型号的含义 表示闸流特性普通反向阻断型(K-快速型 S-双向型 N-逆导型 G

25、-可关断型)额定正向平均电流正、反向重复峰值电压等级(额定电压)通态平均电压组别，共九级，用字母AI表示0.41.2 V(小于100 A不标)PK1.2.5 1.2.5 晶闸管的型号及简单测试方法晶闸管的型号及简单测试方法第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2晶闸管的简单测试方法 对于晶闸管的三个电极，可以用万用表粗测其好坏。根据PN结单导游电原理，用万用表欧姆挡测试元件的三个电极之间的阻值，可初步判别管子能否完好。如用万用表R1 k 挡丈量阳极A和阴极K之间的正、反向电阻都很大，在几百千欧以上，且正、反向电阻相差很小；用R10或R100挡丈量控制极G和阴极K之间的阻值，其正向电阻应

26、小于或接近于反向电阻，这样的晶闸管是好的。假设阳极与阴极或阳极与控制极间有短路，阴极与控制极间为短路或断路，那么晶闸管是坏的。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 晶闸管的派生系列 1快速晶闸管 快速晶闸管的外形、符号、根本构造和伏安特性与普通晶闸管一样，但它专为快速运用而设计。快速晶闸管的开通与关断时间短，允许的电流上升率高，开关损耗小，在规定的频率范围内可获得较平直的电流波形。普通晶闸管的关断时间为数百微秒，快速晶闸管那么为数十s。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 双向晶闸管 双向晶闸管可被以为是一对反并联衔接的普通晶闸管的集成。图1-9所示为它的根本构造、

27、等效电路及伏安特性。 双向晶闸管有两个主电极V1和2，一个门极G。门极使器件在主电极的正、反两个方向均可触发导通，因此双向晶闸管在第一和第三象限有对称的伏安特性。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 双向晶闸管门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通， 因此有四种触发方式： +、-表示V1、2间加正向电压时，正、负脉冲能触发晶闸管导通；+、-表示1、2间加反向电压时，正、负脉冲能触发晶闸管导通。 图1-9(c)中注明了两个主电极1和2相对的电压极性，并注明门极G相对主电极2的电压极性。四种触发方式的灵敏度各不一样， 其中+方式最低，因此在实际运用中只采用(+、 -)与(-、 -)两组触

28、发方式。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-9 双向晶闸管的构造及伏安特性(a) 根本构造； (b) 等效电路； (c) 伏安特性 PNNPNNNV1V2G(a)(b)V2V1GG(c)UIGV1V2GV1V2IG 00第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 双向晶闸管与一对反并联晶闸管相比是经济的，并且控制电路比较简单， 但有以下局限性： 1 双向晶闸管重新施加du/dt的才干差，这使它难以用于感性负载。双向晶闸管在交流电路中运用时，须接受正、 反两个半波电流和电压。它在一个方导游电虽已终了，但当管芯硅片各层中的载流子还没有回复到阻断外形的位置时就立刻接受反向电压，

29、这些载流子电流有可以成为晶闸管反向义务时的触发电流而使之误导通，呵斥换相失败。另外，其换相才干随结温升高而有所下降。 2 电路灵敏度比较低。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 管子的关断时间tq比较长。 双向晶闸管常在电阻性负载电路中用作相位控制，也用作固态继电器，有时还用于电动机控制，其供电频率通常被限制在工频附近。就目前的工艺程度而言，双向晶闸管的电压和电流定额比普通晶闸管低些。 由于双向晶闸管通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。以200 A(有效值)双向晶闸管为例,其峰值电流即为。而由式1-2可知，一个峰值为283 A的普通晶闸管的平均电流值

30、为283 A/90 A, 所以一个200 A(有效值)的双向晶闸管可替代两个90 A(平均值)的普通晶闸管。 A2832220第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1.3.1 1.3.1 电阻性负载电阻性负载 1 1 电路的义务原理电路的义务原理 电炉、白炽灯等均属于电阻性负载。电阻性负载的特点电炉、白炽灯等均属于电阻性负载。电阻性负载的特点是：是： 负载两端的电压和流过的电流波形一样，相位一样。负载两端的电压和流过的电流波形一样，相位一样。单相桥式全控整流电路如图单相桥式全控整流电路如图1-10(a)1-10(a)所示。电路由四个晶闸所示。电路由四个晶闸管和负载电阻管和负载电阻RdR

31、d组成。晶闸管组成。晶闸管V1V1和和V3V3组成一对桥臂，组成一对桥臂，V2V2和和V4V4组成另一对桥臂。组成另一对桥臂。 1.3 1.3 单相相控整流电路单相相控整流电路第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-10 单相全控桥式整流电路电阻性负载及其波形电路； (b) 电源电压； (c) 触发脉冲； (d) 输出电压； (e) 晶闸管上的电压； (f) 变压器副边电流 Tu2u1i2V2aV1V4V3budidRd(a)0u2t(b)ug0t1t2t(c)ud0tt0uV1,4i20t(d)(e)(f)第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 数值关系数值关系 由图

32、由图1-10d所示的负载上电压波形可知，所示的负载上电压波形可知， 在晶闸管接受在晶闸管接受正向电压的时间内，改动控制极触发脉冲的输入时辰正向电压的时间内，改动控制极触发脉冲的输入时辰(即移相即移相)， 负载上得到的电压波形就随之改动，这样就控制了负载上输负载上得到的电压波形就随之改动，这样就控制了负载上输出电压的大小。晶闸管在正向电压下不导通的电角范围称为出电压的大小。晶闸管在正向电压下不导通的电角范围称为控制角，有时也称其为移相角，用控制角，有时也称其为移相角，用表示；而导电范围称为导表示；而导电范围称为导通角，用通角，用表示。表示。 由图由图1-10可知整流输出电压的平均值为可知整流输出

33、电压的平均值为 2cos19 . 0)cos1 (2)(sin21222UUttdUUd1-5第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 当=0时，相当于不可控桥式整流，此时输出电压最大， 即Ud=0.9U2。当=180时，输出电压为零，故晶闸管的可控移相范围为0180。 整流输出电压的有效值为 22sin)()sin2(12220UtdtUU在负载上，输出电流的平均值Id和有效值I分别为 2cos19 . 02ddddRURUI2sin212ddRURUI第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 负载电流的波形系数为)cos1 ( 1)(22sindfIIK 由于晶闸管V1、V4和V2

34、、V3在电路中是轮番导通的，因此流过每个晶闸管的平均电流只需负载上平均电流的一半， 即 2cos145. 0212dddVRUII第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 流过晶闸管的电流有效值为IRUtdRtUIddV212sin212)(sin221222 在选择晶闸管以及导线截面积时， 要思索发热问题， 应根据电流的有效值进展计算。 在一个周期内电源经过变压器TR两次向负载提供能量，因此负载电流有效值I与变压器次级电流有效值I2一样，那么电路的功率因数可以按下式计算：22sincos222UUIUUISP第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 例例1-1 如图如图1-10(a)

35、所示单相全控桥式整流电路，所示单相全控桥式整流电路，Rd=4 ， 要求要求Id在在025 A之间变化，求：之间变化，求： 1 整流变压器整流变压器TR的变比不思索裕量；的变比不思索裕量； 2 衔接导线的截面积取允许电流密度衔接导线的截面积取允许电流密度J=6 A/mm2； 3 选择晶闸管的型号思索选择晶闸管的型号思索2倍的裕量；倍的裕量； 4 在不思索损耗的情况下，在不思索损耗的情况下， 选择整流变压器的容量；选择整流变压器的容量； 5 计算负载电阻的功率；计算负载电阻的功率； 6 计算电路的最大功率因数。计算电路的最大功率因数。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 解解 1 1 负

36、载上的最大平均电压为负载上的最大平均电压为Udmax=IdmaxRd=254=100V 又由于 ， 当=0时，Ud最大，即Udmax=0.9U2， 所以有2cos19 . 02UUdVUUd1119 . 01009 . 0max2所以变压器的变比211122021UUK第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 由于=0时，id的波形系数为11. 142)cos1 (2)(22sin2fK所以负载电流有效值为AIKIdf75.272511. 1选择导线截面积为26 . 4675.27mmJIS选BU70铜线。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 3 思索到每个晶闸管电流的有效值

37、， 那么晶闸管的额定电流为2/IIVAIIVAVV5 .1257. 1275.2757. 1)(思索2倍裕量，取IV(AV)为30A。 晶闸管接受的最高电压 ，思索2倍裕量，取400 V，选择KP30-4晶闸管。 VUUVM157111222第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 4 在不思索损耗的情况下， 整流变压器的容量为S=U2I2=U2I=11127.75=3.08 kVA 5 负载电阻耗费的功率为PR=I2Rd=27.7524=3.08 kVA6 电路的最大功率因数由式(1-12)可知为22sincos当=0时，cos=1。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1 1

38、单相全控桥式整流电路单相全控桥式整流电路 在消费实践中，除了电阻性负载外，最常见的负载还在消费实践中，除了电阻性负载外，最常见的负载还有电感性负载，如电动机的励磁绕组，整流电路中串入的有电感性负载，如电动机的励磁绕组，整流电路中串入的滤波电抗器等。为了便于分析和计算，在电路图中将电阻滤波电抗器等。为了便于分析和计算，在电路图中将电阻和电感分开表示。和电感分开表示。 当整流电路带电感性负载时，整流义务的物理过程和当整流电路带电感性负载时，整流义务的物理过程和电压、电流波形都与带电阻性负载时不同。由于电感对电电压、电流波形都与带电阻性负载时不同。由于电感对电流的变化有妨碍作用，即电感元件中的电流不

39、能突变，当流的变化有妨碍作用，即电感元件中的电流不能突变，当电流变化时电感要产生感应电动势而妨碍其变化，所以，电流变化时电感要产生感应电动势而妨碍其变化，所以，电路电流的变化总是滞后于电压的变化。电路电流的变化总是滞后于电压的变化。1.3.2 1.3.2 大电感负载大电感负载第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-11 单相全控桥式整流电路电感性负载及其波形电路； (b) 电源电压； (c) 触发脉冲； (d) 输出电压； (e) 输出电流； (f) 晶闸管V -1 , V -4上的电流； (g) 晶闸管V -2 , V -3上的电流； (h) 变压器副边电流； (i) 晶闸管V

40、 -1 , V -4上的电压Tu2u1i2V2V1V4V3udidR(a)(b)(c)(d)(e)(f)L(g)(h)(i)u20tug0t1t2tud0t0idtiV1,40iV2,30tti20uV1,40tt第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 负载电流延续时，整流电压平均值可按下式计算： cos9 . 0cos22)(sin21222UUttdUUd 输出电流波形因电感很大，平波效果很好而呈一条程度线。 两组晶闸管轮番导电，一个周期中各导电180， 且与无关， 变压器二次绕组中电流i2的波形是对称的正、负方波。负载电流的平均值Id和有效值I相等，其波形系数为1。在这种情况下：

41、当=0时，Ud=0.9U2； 当=90时，Ud=0，其移相范围为90。 晶闸管接受的最大正、反向电压都是。 2第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 流过每个晶闸管的电流平均值和有效值分别为dddVVdddVdVIIIIIIII22222122 很明显，单相全控桥式整流电路具有输出电流脉动小、功率因数高和变压器利用率高等特点。 然而值得留意的是，在大电感负载情况下，当控制角接近/2时，输出电压的平均值接近于零，负载上的电压太小，且理想的大电感负载是不存在的， 故实际电流波形不可以是一条直线， 而且在=/2之前电流就会出现断续。电感量越小，电流开场断续的值就越小。 第1章 功率二极管、晶闸

42、管及单相相控整流电路 2 2 单相半控桥式整流电路单相半控桥式整流电路图 1-12 单相半控桥式整流电路带大电感负载时的电压、 电流波形(a) 电路； (b) 波形Tu2u1i2V2V1VD1udidR(a)(b)LiV1VD2iV D1u20ud0id0iV10iV20iVD20iVD10i20uVD10ttttttttt第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 当u2的正半周、控制角为时，触发晶闸管V1，那么V1和VD2因接受正向电压而导通。当u2下降到零并开场变负时， 由于电感的作用，它将产生一感应电势使V1继续导通。但此时VD1已接受正向电压正偏导通，而VD2反偏截止，负载电流id

43、经VD1 、 V1流通。此时整流桥输出电压为V1和VD1的正向压降， 接近于零，所以整流输出电压ud没有负半周，这种景象我们把它叫做自然续流。 在这一点上， 半控桥和全控桥是不同的。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 u2的负半周具有与正半周类似的情况，控制角为时触发V2，V2、VD1导通，u2过零变正时经VD2、V2自然续流。 综上所述，单相半控桥式整流电路带大电感负载时的义务特点是：晶闸管在触发时辰换流，二极管那么在电源电压过零时换流；由于自然续流的作用，整流输出电压ud的波形与全控桥式整流电路带电阻性负载时一样，的移相范围为0180，ud 、Id的计算公式和全控桥带电阻性负载时

44、一样； 流过晶闸管和二极管的电流都是宽度为180的方波且与无关，交流侧电流为正、 负对称的交变方波。上述各波形如图1-12(b)所示。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 单相半控桥式整流电路带大电感性负载时，虽本身有自然续流的才干，似乎不需求另接续流二极管。但在实际运转中， 当忽然把控制角增大到180以上或忽然切断触发电路时， 会发生正在导通的晶闸管不断导通，两个二极管轮番导通的景象。此时触发信号对输出电压失去了控制造用，我们把这种景象称为失控。 失控景象在运用中是不允许的，为消除失控，带电感性负载的半控桥式整流电路还需另接续流二极管VD， 如图1-13(a)所示。 第1章 功率二极

45、管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-13 单相半控桥式整流电路带大电感负载接续流二极管时的波形(a) 电路； (b) 波形(a)Tu2u1i2V2V1VD1udidRLiV1VD2iVD1VD(b)u2200ud0iV10iV20iVD10iVD2i20id0iVD0ttttttttt第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 根据以上分析， 可求出输出电压平均值为2cos19 . 0)cos1 (2)(sin21222UUttdUUd(1-16)其输出电压有效值为22sin)(sin21222UtdtUU第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 在控制角为时，每个晶闸管一周内的导通角

46、为V=-，续流管的流通角为VD=2，那么流过晶闸管的电流平均值和有效值分别为ddVVddVdVIIIIII2222流经续流二极管的电流平均值和有效值分别为ddVDVDddVDdVDIIIIII22第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 1.4.1 对触发电路的要求对触发电路的要求 晶闸管的型号很多，其运用电路种类也很多，不同的晶闸管的型号很多，其运用电路种类也很多，不同的晶闸管型号、不同的晶闸管运用电路对触发信号都会有不晶闸管型号、不同的晶闸管运用电路对触发信号都会有不同的详细要求。归纳起来，同的详细要求。归纳起来， 晶闸管触发主要有移相触发、晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调

47、制触发等。不论是哪种触发电路，过零触发和脉冲列调制触发等。不论是哪种触发电路， 对对它产生的触发脉冲都有如下要求：它产生的触发脉冲都有如下要求： 1触发信号可为直流、交流或脉冲电压。由于晶闸管触发信号可为直流、交流或脉冲电压。由于晶闸管触发导通后，门极触发信号即失去控制造用，为了减小门触发导通后，门极触发信号即失去控制造用，为了减小门极的损耗，普通不采用直流或交流信号触发晶闸管，而广极的损耗，普通不采用直流或交流信号触发晶闸管，而广泛采用脉冲触发信号。泛采用脉冲触发信号。 1.4 1.4 晶闸管触发电路晶闸管触发电路第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 2 触发脉冲应有足够的功率。触发

48、脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的裕量。触发功率的大小是决议晶闸管元件能否可靠触发的一个关键目的。由于晶闸管元件门极参数的分散性很大，随温度的变化也大，为使一切合格的元件均能可靠触发，可参考元件出厂的实验数据或产品目录来设计触发电路的输出电压和电流值。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 (3 触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可以陡， 以使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超越掣住电流而维持导通。普通晶闸管的导通时间约为6s，故触发脉冲的宽度至少应有6s以上。对于电感性负载，由于电感会抵抗电流上升，因此触发脉冲的宽度应更大一些，通常为0.51 ms。此外，某些

49、详细的电路对触发脉冲的宽度会有一定的要求，如后续将要讨论的三相全控桥等电路的触发脉冲宽度要求大于60或采用双窄脉冲。 为了快速可靠地触发大功率晶闸管，常在触发脉冲的前沿叠加上一个强触发脉冲，其波形如图1-14所示。强触发电流的幅值igm可达最大触发电流的5倍，前沿t1约几微秒。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 tt10igmig图1-14 强触发电流波形第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 4 触发脉冲必需与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必需满足电路要求。为保证控制的规律性，要求晶闸管在每个阳极电压周期都必需在一样的控制角触发导通，这就要求触发脉冲的频率与阳极电压的频

50、率一致，且触发脉冲的前沿与阳极电压应坚持固定的相位关系，这叫做触发脉冲与阳极电压同步。不同的电路或者一样的电路在不同负载、不同用途时，要求的变化范围移相范围亦即触发脉冲前沿与阳极电压的相位变化范围不同， 所用触发电路的脉冲移相范围必需能满足实际的需求。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 单结晶体管也称为双基极二极管，它有一个发射极和两个单结晶体管也称为双基极二极管，它有一个发射极和两个基极基极, , 外形和普通三极管类似。外形和普通三极管类似。 单结晶体管的构造是在一块单结晶体管的构造是在一块高电阻率的高电阻率的N N型半导体基片上引出两个欧姆接触的电极：第一型半导体基片上引出两个欧

51、姆接触的电极：第一基极基极B1B1和第二基极和第二基极B2B2；在两个基极间接近；在两个基极间接近B2B2处，用合金法或分处，用合金法或分散法渗入散法渗入P P型杂质，引出发射极型杂质，引出发射极E E。单结晶体管共有上述三个电。单结晶体管共有上述三个电极，极， 其构造表示图和电气符号如图其构造表示图和电气符号如图1-151-15所示。所示。B2 B2 、B1B1间参与间参与正向电压后，正向电压后， 发射极发射极E E、 基极基极B1B1间呈高阻特性。间呈高阻特性。 但是当但是当E E的的电位到达电位到达B2 B2 、B1B1间电压的某一比值例如间电压的某一比值例如59%59%时，时，E E、

52、 B1B1间间立刻变成低电阻，这是单结晶体管最根本的特点。立刻变成低电阻，这是单结晶体管最根本的特点。 1.4.2 1.4.2 单结晶体管的构造和特性单结晶体管的构造和特性第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-15 单结晶体管的构造表示图和电气符号发射极E欧姆接触电阻B2第二基极B1第一基极EB2B1第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图1-16所示为单结晶体管特性实验电路及其等效电路。将单结晶体管等效成一个二极管和两个电阻RB1、RB2组成的等效电路，那么当基极上加电压UBB时，RB1上分得的电压为BBBBBBBBBBBBAUURRURRRU1211 式中， 为分压

53、比，是单结晶体管的主要参数，普通为0.50.9。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-16 单结晶体管特性实验电路及其等效电路(a) 特性实验电路； (b) 等效电路UBBB1B2ARB2RB1EREIERPUBBB1B2ERERP第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 下面分析单结晶体管的义务情况。 调理RP，使UE从零逐渐添加。当UE UBB时，单结晶体管PN结处于反向偏置外形，只需很小的反向漏电流。当发射极电位UE比UBB高出一个二极管的管压降UVD时，单结晶体管开场导通，这个电压称为峰点电压Up，故Up =UBB+ UVD, 此时的发射极电流称为峰点电流Ip,

54、Ip是单结晶体管导通所需的最小电流。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-17 单结晶体管发射极伏安特性曲线PVUpIpUvIvIE0UE第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 当IE增大至一定程度时，载流子的浓度使注入空穴遇到阻力， 即电压下降到最低点，这一景象称为饱和。欲使IE继续增大，必需增大电压UE。由负阻区转化到饱和区的转机点V称为谷点。与谷点对应的电压和电流分别称为谷点电压Uv和谷点电流Iv。谷点电压是维持单结晶体管导通的最小电压，一旦UE小于Uv ，那么单结晶体管将由导通转化为截止。 第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 综上所述， 单结晶体管具有

55、以下特点： 1 当发射极电压等于峰点电压Up时，单结晶体管导通。 导通之后，当发射极电压小于谷点电压Uv时，单结晶体管就恢复截止。 2 单结晶体管的峰点电压Up与外加固定电压及其分压比有关。 3 不同单结晶体管的谷点电压Uv和谷点电流Iv都不一样。 谷点电压大约在25 V之间。在触发电路中，常选用稍大一些，Uv低一些和Iv大一些的单结晶体管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 图 1-18 单结晶体管自激振荡电路及其波形(a) 电路； (b) 波形R2R1RECEuR100uCUpUvttuR1(a)(b)uC1.4.3 1.4.3 单结晶体管的自激振荡

56、电路单结晶体管的自激振荡电路第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 设电源未接通时，电容C上的电压为零。电源接通后，C经电阻RE充电，电容两端的电压uC逐渐升高，当uC到达单结晶体管的峰点电压Up时，单结晶体管导通，电容经单结晶体管的发射极、电阻RB1向电阻R1放电, 在R1上输出一个脉冲电压。 当电容放电至uC=Uv并趋向更低时，单结晶体管截止， R1上的脉冲电压终了。之后电容从Uv值又开场充电，充电到Up时，单结晶体管又导通，此过程不断反复下去，在R1上就得到一系列的脉冲电压。由于C的放电时间常数1= R1 +RB1C, 远小于充电时间常数2=REC，故脉冲电压为锯齿波。uC和u R1的波形如图1-18所示。改动RE的大小，可改动C的充电速度，从而改动电路的