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文档简介

1、几种培养单晶的方法和大家共享单晶培养的方法一、挥发法原理:依靠溶液的不断挥发,使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态。条件:固体能溶解于较易挥发的有机溶剂一般丙酮、甲醇、乙醇、乙腈、乙酸乙酯、三氯甲烷、苯、甲苯、 四氢呋喃、水等。理论上,所有溶剂都可以,但一般选择沸点在60 120C。注意:不同溶剂可能培养出的单晶结构不同二、扩散法原理:利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂。固体易溶于 高沸点的溶剂,难溶或不溶于低沸点溶剂。在密封容器中,使低沸 点溶剂挥发进入高沸点溶剂中, 降低固体的溶解度,从而析出晶核, 生长成单晶。一般选难挥发的溶剂,如 DMF,DMS(甘油甚至离子液体等。条件:固体在难挥

2、发的溶剂中溶解度较大或者很大,在易挥发溶剂 中不溶或难溶。三、温差法原理:利用固体在某一有机溶剂中的溶解度,随温度的变化,有很 大的变化,使其在高温下达到饱和或接近饱和,然后缓慢冷却,析 出晶核,生长成单晶。一般,水,DMF, DMSO尤其是离子液体适用此方法。条件:溶解度随温度变化比较大。经验:高温中溶解度越大越好,完全溶解。推广:建议大家考虑使用离子液体做溶剂,尤其是对多核或者难溶性的配合物。四、接触法原理:如果配合物极易由二种或二种以上的物种合成,选择性高且 所形成的配合物很难找到溶剂溶解,则可使原料缓慢接触,在接触 处形成晶核,再长大形成单晶。一般无机合成,快反应使用此方法。方法:1.

3、用U形管,可采用琼脂降低离子扩散速度。2. 用直管,可做成两头粗中间细。3. 用缓慢滴加法或稀释溶液法(对反应不很快的体系可采用)4. 缓慢升温度(对温度有要求的体系适用)经验:原料的浓度尽可能的降低,可以人为的设定浓度或比例。0.1g0.5g的溶质量即可。五、高压釜法原理:利用水热或溶剂热,在咼温咼压下,是体系经过一个析出晶 核,生长成单晶的过程,因高温高压条件下,可发生许多不可预料 的反应。方法:将原料按组合比例放入高压釜中,选择好溶剂,利用溶剂的 沸点选择体系的温度,高压釜密封好后放入烘箱中,调好温度,反 应14小时均可。然后,关闭烘箱,冷至室温,打开反应釜,观察 情况按如下过程处理:1

4、.没有反应一一重新组合比例,调节条件, 包括换溶剂,调pH值,加入新组分等。2. 反应但全是粉末,且粉末什么都不溶解,首先从粉末中挑选单晶 或晶体,若不成,A :改变条件,换配体或加入新的盐,如季铵盐,羧酸盐等;B:破坏性实验,设法使其反应变成新物质。3. 部分固体,部分在溶液中:首先通过颜色或条件变化推断两部分的 大致组分,是否相同组成,固体挑单晶,溶液挥发培养单晶,若组成不同固体按1或2的方法处理。4. 全部为溶液一一旋蒸得到固体, 将固体提纯,将主要组成纯化,再根据特点接上述四种单晶培养方法培养单晶。总结:单晶培养的方法多种多样,如升华法、共结晶法等。最简单的最实用常用的有:1.溶剂缓慢

5、挥发法;2.液相扩散法3.气相扩散法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。一、单晶培养要点1、一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系, 但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。2、单晶培养的样品的预处理样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否 则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办法弄纯也没 关系,培养一次就相当于提纯了一次,也可用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但要多养几次。3、一定要做好记录,一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就 是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶

6、剂体系的办法。如果你有 50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验 10种溶 剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25m g这时做好记录就特 别重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系, 而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。4、培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你 不能一天去看几次也不能放在那里五六天不管。也许有的溶剂体系一天 就析出了晶体,结果五天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系(如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。5、液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2 - 1:4,可以尝试的溶剂系统:CH2

7、CI2/乙醚或戊烷;THF/乙醚或戊烷;甲苯/乙醚或戊烷;水/甲醇;CHCI3/正庚烷6、化合物结构中烷基链超过 4个碳的很难培养单晶。7、分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。8含氯的取代基一般容易长单晶,如 4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶。9、无水无氧条件下的单晶培养,最简单的方法就是将固体样品加入 一带橡皮塞的容器(最常用的就是核磁管,塞子是软的橡皮塞(塞 子要能密封且能扎针头),先抽真空,然后通氮气,再用注射器加 入良性溶剂,充分溶解(超声),然后再用注射器沿器壁加入不良溶剂即可。二、常用的两种方法挥发溶剂法:将纯的化合物溶于适当溶剂或混和溶剂。(理

8、想的溶剂是 一个易挥发的良溶剂和一个不易挥发的不良溶剂的混和物)此溶液最 好稀一些。用氮/氩鼓泡除氧。容器可用橡胶塞(可缓慢透过溶剂)。为了 让晶体长得致密,要挥发得慢一些,溶剂挥发性大的可置入冰箱。大约要长个几天到几星期吧。扩散法:在一个大容器内置入易挥发的不良溶剂(如戊烷、已烷),其中加一个内管,置入化合物的良溶剂溶液。将大容器密闭,也可 放入冰箱。经易挥发溶剂向内管扩散可得较好的晶体。时间可能比挥发法要长。另外如果这一化合物是室温反应得到,且产物比较单一,溶解度较小,可将反应物溶液分两层放置,不加搅拌,令其 缓慢反应沉淀出晶体。容易结晶的东西放在那里自己就出单晶,不 容易结晶的怎么弄也是

9、不出。好像不是想做就能做出来的。首先看 一下产物的溶解度,将产物抽干后用良性溶剂溶解成饱和溶液(如 用二氯甲烷),然后加入相同体积的不良性溶剂,若产物不稳定应 在惰性气体的保护下进行操作,完成后置于冰箱中冷冻至单晶析出, 或直接用惰性气体缓慢鼓泡直至单晶析出。另法一:在大烧杯里放一个小烧杯,小烧杯里放良溶剂和要结晶的 物质,大烧杯里放易挥发的不良溶剂,把大烧杯密封,放于室温即 可。另法二:在比色管中先用一种溶剂溶解产物,在慢慢地加入另一种 溶解性小的溶剂,密封会较快长出晶体。讨论:晶体的生长是一个动 力学过程,由化合物的内因(分子间色散力偶极力及氢键)与外因(溶剂 极性、挥发或扩散速度及温度)

10、决定。晶体的培养实质是一个饱和 溶液的重结晶过程,使溶液慢慢饱和的方法(如溶液挥发、不良溶剂的扩散及温度的降低)都可。三、培养单晶的七个注意事项1. 制备结晶,要注意选择合宜的溶剂和应用适量的溶剂。合宜的溶剂,最好是在冷时对所需要的成分溶解度较小,而热时溶解度较大。溶剂的沸点亦不宜太咼。一般常用甲醇、丙酮、氯仿、乙醇、乙酸 乙醋等。但有些化合物在一般溶剂中不易形成结晶,而在某些溶剂中则易于形成结晶。2. 制备结晶的溶液,需要成为过饱和的溶液。一般是应用适量的溶 剂在加热的情况下,将化合物溶解再放置冷处。如果在室温中可以析出结晶,就不一定放置于冰箱中,以免伴随结晶析出更多的杂质。“新 生态”的物

11、质即新游离的物质或无定形的粉未状物质,远较晶体物 质的溶解度大,易于形成过饱和溶液。一般经过精制的化合物,在 蒸去溶剂抽为无定形粉未时就是如此,有时只要加入少量溶剂,往往立即可以溶解,稍稍放置即能析出结晶。3. 制备结晶溶液,除选用单一溶剂外,也常采用混合溶剂。一般是先将化合物溶于易溶的溶剂中,再在室温下滴加适量的难溶的溶剂,直至溶液微呈浑浊,并将此溶液微微加温,使溶液完全澄清后放置。4. 结晶过程中,一般是溶液浓度高,降温快,析出结晶的速度也快些。但是其结晶的颗粒较小,杂质也可能多些。有时自溶液中析出的速度太快, 超过化合物晶核的形成分子定向排列的速度,往往只能得到无定形 粉未。有时溶液太浓

12、,粘度大反而不易结晶化。如果溶液浓度适当, 温度慢慢降低,有可能析出结晶较大而纯度较高的结晶。有的化合 物其结晶的形成需要较长的时间。5. 制备结晶除应注意以上各点外, 在放置过程中,最好先塞紧瓶塞, 避免液面先出现结晶,而致结晶纯度较低。如果放置一段时间后没 有结晶析出,可以加入极微量的种晶,即同种化合物结晶的微小颗 粒。加种晶是诱导晶核形成常用而有效的手段。一般地说,结晶化过程是有高度选择性的,当加入同种分子或离子,结晶多会立即长 大。而且溶液中如果是光学异构体的混合物,还可依种晶性质优先 析出其同种光学异构体。没有种晶时,可用玻璃棒蘸过饱和溶液一 滴,在空气中任溶剂挥散,再用以磨擦容器内

13、壁溶液边缘处,以诱 导结晶的形成。如仍无结晶析出,可打开瓶塞任溶液逐步挥散,慢 慢析晶。或另选适当溶剂处理,或再精制一次,尽可能除尽杂质后进行结晶操作。6. 在制备结晶时,最好在形成一批结晶后,立即倾出上层溶液,然 后再放置以得到第二批结晶。晶态物质可以用溶剂溶解再次结晶精 制。这种方法称为重结晶法。结晶经重结晶后所得各部分母液,再 经处理又可分别得到第二批、第三批结晶。这种方法则称为分步结 晶法或分级结晶法。晶态物质在一再结晶过程中,结晶的析出总是越来越快,纯度也越来越高。分步结晶法各部分所得结晶,其纯度 往往有较大的差异,但常可获得一种以上的结晶成分,在未加检查 前不要贸然混在一起。7.

14、化合物的结晶都有一定的结晶形状、色泽、熔点和熔距,可以作 为鉴定的初步依据。这是非结晶物质所没有的物理性质。化合物结 晶的形状和熔点往往因所用溶剂不同而有差异。原托品碱在氯仿中 形成棱往状结晶,熔点207C;在丙酮中则形成半球状结晶,熔点203C;在 氯仿和丙酮混合溶剂中则形成以上两种晶形的结晶。所以文献中常在 化合物的晶形、熔点之后注明所用溶剂。一般单体纯化合物结晶的 熔距较窄,有时要求在 0.5 C左右,如果熔距较长则表示化合物不纯。四、无水无氧条件下的单晶培养1、溶剂的选择与加入方法在单晶的培养过程中,通常是用适量极性大的溶剂提取你的反应物质,然后再滴加少量的极性小的溶剂,放 置结晶。这

15、样做的结果是结晶很慢,而且结晶的收率不高。也可以 采取背道而行的方法,先用极性小的溶剂提取。根据反应物质量, 加入适量的极性小的溶剂,不能全溶解,就加入适量的极性大的溶 剂(注意:切不可多加),如果此时还有少量没有溶解, 可以采取下 面的方法。A、你可以再加重复极性小的溶剂,再加极性大的溶剂,直到全溶解。B、也可以微热溶解(如果你的样品是热稳定好的话)这样的 做法是非常易结晶的。 C、微热还有些没溶解,就直接过滤。这样 也可以很快结晶,但是会损失些产物。2、温度的选择溶剂加入后就要选择放那里结晶了。不能总认为温度越低越好,要想得到好的晶体,温度的选择很重要的!首先放在 室温(必须无外界震动)一

16、两天看看,有无结晶,如有结晶说明室 温就能结出好晶体,无需放之低温。如果室温不结晶,再放如0度。 过两天看看,再不行,5度,10度,15度,20度,30度。 如过你一开始放于低温可能结晶很快但的不到好的晶体。可能是多 晶,而不是单晶。长晶体过程千万不能震动,有条件的单独一间房 间来结晶最好。低温结出的晶体再送测试前要处理,不能那出来就去测。晶体拿出来到室温,温度升高晶体就可能融化了。首先去掉 部分溶剂,只留少许即可。对水、氧气敏感的的用惰性气体如N2、Ar保 护起来再转移溶剂。转移完再冲N2下关闭装晶体的容器活塞, 然后送 去测试。3、利用溶剂的挥发无水无氧要求的金属配合物这种情况的培养单晶

17、要求有手套箱,在手套箱里(有这样的条件),可以用 Schlenk瓶、 小烧杯、以及核磁管来用作结晶的工具。容器的口部用封膜封好, 然后上面用细针扎几个小眼用来挥发溶剂。过几天会发现容器内壁会生长出晶体来。容器的内表面越光滑单晶性越好,否则晶体形状 不好缺陷多就会给后面的收单晶衍射数据带来麻烦,甚至会造成无法解析晶体结构;要强调的是用Schlenk及核磁管这两种容器用来结晶 是最好的。做无水无氧的人知道 Schlenk是无水无氧操作的专用瓶。 它有侧活塞用来开关瓶与外界的相通,所以操作方面很好。在获得 单晶后你要从手套箱里拿出来,如果你用别的容器,可能那些对空 气特别敏感的物质就不能够稳定到你测量完晶体结构。同样很小的 核磁管也很好封的,而且它要的量很少,不浪费样品。4、利用极性小(溶

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