主流DDR2内存颗粒

1、主流DDR2内存颗粒主流DDR2内存颗粒  目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。二类就是DRAM大厂的原厂内存。由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。  由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超

2、频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。  不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。三星(Samsung   三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400、GC

3、D5/ZCD5(多用于DDR2-533、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。使用三星ZCD5颗粒的DDR2-533内存在不加电压超频情况

4、下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力，且售价也较高，三星原厂条多选用这种颗粒。三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思第三位“T”代表内存为DDR2内存第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16第八位代表逻

5、辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533&

6、#160;4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。总体来说，三星DDR2内存颗粒的超频性能都不错，即便是D5、E6的DDR2颗粒，也可以超到700MHz、800MHz的水准。常采用三星内存颗粒的内存模块厂商：三星、金士顿、创见、超胜、Apacer等厂商英飞凌(Infineon  提起 Infineon(中文名：英飞凌这家由德国西门子(Siemens公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商，其生产的

7、内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇，笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS了。英飞凌DDR2内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循，我们可以将其分成9部分来解读内存规格，下面我们以“HYB18T256800AF25”为例：HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀18：工作电压为1.8VT：DDR2256：容量为256MB，如果是512则为256MB，1G则为1GB80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×160：Standard product(标准产品A：封装版本F：封装形式为FBG

8、A25：表示这是一款DDR2 800颗粒，如果是37则为DDR2 533(4-4-4，如果是3则为DDR2 677(4-4-4。在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种3S的参数，代表DDR2-667(5-5-5。  英飞凌DDR2颗粒在品质上都属于上乘货色，超频性也不错，目前采用英飞凌颗粒的厂商有Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商美光(Micron  美光的DDR2内存芯片编号比较特别，封装上的编号并不是正规的编号，从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号。对于这种情

9、况，用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为FBGA码输入到相关页面上(查询规格。  值得一提的是，虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍，但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异，它们就是被玩家称为“fatboy d9”的D9内存颗粒。D9内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”，由于五位编号会以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片DDR

10、2 400/533内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快时序并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事。  要知道这样的成绩是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超频内存大多数就是采用此类内存颗粒。但也不是所有的D9都好超，像绿色PCB上的

11、就是普通颗粒，超频能力并不理想。除了“FBGA D9”颗粒之外，美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9颗粒。其中该系列内存精选口碑出众的镁光D9GMH颗粒，在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后，FATBODYD9就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。这些编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DD

12、R2-533/667。  另外，还有易胜(Elixir、南亚等内存颗粒，在性能上属于中规中距，因此在这里就不再一一介绍了。如遇到颗粒表面覆盖了散热片或者颗粒表面已被内存厂商重新标注的情况，显然无法再用前面所讲的方法识别内存颗粒的标准规格。虽然用CPU-Z可以查到内存的相关信息，但并不能保证完全准确，因此我们建议大家最好是向厂商咨询。4、海力士(Hynix海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头第3、4位“5P”代表DDR2第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”

13、为 256Mb、“1G”为    1Gb、“2G”为2Gb。该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位第10位代表逻辑Bank数。其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks第11位代表接口类型。比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2&#