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文档简介
1、Y2O3-La2O3 复合助剂对无压烧结制备-AlON 透明陶瓷的分析 1引言尖晶石型氧氮化铝(-AlON)由于具有优良的光学性能和机械性能,因而成为颇具潜力的结构-功能一体化新型材料1。透明-AlON 陶瓷可以应用于照明、光学与医用仪器、激光、装甲、红外探测等领域2-4。高透过率陶瓷需要材料有很高的致密度,在陶瓷的烧结过程中,为了提高陶瓷的致密度,人们常引入稀土氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂5。Jiping Cheng6在Al2O3 和AlN 原料中添加约0.5wt%的Y2O3 作为烧结助剂,促进微波烧结过程中的样品致密化,得到0.6mm厚的
2、样品在0.52.5m 波段内的透过率在40%60%之间。Maguire7等以不超过0.5wt%的B2O3 和Y2O3 为添加剂,在高于1900C 低于2140C 下烧结2448h,制得致密度大于99%的-AlON 透明陶瓷,样品厚1.45mm,在3005000nm 波段内垂直直线透过率不低于50%。从这些研究可以看出,选择合适的烧结助剂和含量来提高-AlON 陶瓷的光学性能是十分重要的途径。但并没有从微观结构上深入探讨烧结助剂含量对-AlON 致密度的影响以及对烧结助剂促进-AlON 透过率提高的作用进行分析。结合目前的研究8-11,本文通过在-AlON 透明陶瓷中添加Y2O3 和La2O3
3、复合烧结助剂,来研究稀土复合烧结助剂含量对材料的物相组成、显微结构和性能的影响,分析其烧结致密化机理。2实验2.1 样品制备以71.47mol%-Al2O3 和28.53mol%AlN 粉末为原料,用固相反应法合成出平均粒径约1m、晶格常数为7.9472? 的-AlON 粉末。结合,可以看出,粉体具有高纯度、形貌规则、分布均匀等特点。将不同含量的Y2O3 和La2O3 复合烧结助剂与-AlON粉末均匀混合,13MPa 下预压成20mm 的圆片,在冷等静压机中经200MPa 保压5min 压制成型,得到厚度为4mm 的生坯。然后将生坯运用无压烧结法在N2 气氛下以10/min 的升温速率加热到1
4、900?C,保温24h,得到17mm、厚2.53mm 的烧结体。最后将烧结样品磨制、抛光得到厚度为1mm 的试样。W1、W2、W3、W4、W5 分别代表添加量为0wt%、0.1wt%、0.25wt%、0.5wt%和1wt%的-AlON 陶瓷样品。2.2 结构表征使用Rigaku Ultima III X 射线衍射仪确定粉体和烧结块体的物相成分,采用Cu靶在40KV电压和40mA 加速电流下,以4°/min 的速率在1090°进行扫描;运用扫描电镜(HitachiS-3400N, Japan)和场发射扫描电镜(Hitachi S-4800, Japan)分析粉末和烧结体的微观
5、形貌;使用阿基米德排水法测量烧结样品的相对密度;采用压痕法(加载力49N,保压15 s)测定烧结样品的硬度和断裂韧性;使用HP4294 型介电频谱仪测定烧结样品在1MHz 频率下的介电性能;采用紫外-可见分光光度计(UV-2550, SHIMADZU, Japan)测定样品0.21m 波长范围内的直线透光率;采用紫外-可见-近红外分光光度计(Lambda 900, Perkin-Elmer, USA)测定样品12.5m 波长范围内的直线透光率;采用傅里叶变换红外光谱仪(Nicolet NexusFourier Transform Infrared Spectroscopy, Thermo Ni
6、colet, USA)测定样品2.510m 波长范围内的直线透光率。3结果分析与讨论3.1 XRD 物相分析为添加不同复合烧结助剂含量的样品的XRD 谱图。没有添加烧结助剂的样品的衍射峰位置和强度与-AlON 标准卡片PDF80-2173 对应良好,表明本实验通过无压烧结制得的-AlON 纯度高;烧结助剂含量为0.1wt%0.5wt%的样品,与标准衍射谱比较无其它杂峰,从衍射图中没有检测到含有Y2O3 和La2O3 的衍射峰。复合烧结助剂添加量为0.1wt%-0.5wt%的陶瓷样品衍射峰的位置没有变化,但强度变化明显,这是可能由于是晶粒过大,由于存在晶粒的择优取向,导致衍射峰强度发生不同程度的
7、变化。复合烧结助剂添加量为1wt%的-AlON陶瓷样品中大部分衍射峰的位置与-AlON 标准卡片的图谱对应良好,但出现了AlYO3 的衍射峰,表明样品中有第二相的存在。3.2 材料性能为烧结样品的致密度、硬度、断裂韧性、介电常数、节电损耗,从表中可以看出添加了复合烧结助剂,样品致密度其致密度由98.37%增加到99.63%,而硬度、断裂韧性、介电常数等和致密度紧密相关,其中硬度由13.38GPa 增加到14.93GPa,断裂韧性由1.58MPa·m1/2增加到1.97MPa·m1/2,介电常数由 增加到,而介电损耗由1.5%降为0.7%;当烧结助剂添加量继续增加时,其致密度
8、反而下降,硬度、断裂韧性、介电常数都下降,介电损耗增加。给出了在1900 ?C 下保温24h 所得样品W2 的表观照片,其显示出较高的透明度。为样品W1-W5 的透过率测试结果。样品W2-W4 的光学透过率相比W1 显著提高,而W5 基本不透明。其中W2 样品,直线光学透过率超过60%,其透光性比没有添加烧结助剂的样品透明性显著提高50%。可见适量的烧结助剂可以明显的提高材料的致密度和光学透过率,烧结助剂过量反而使致密度和光学透过率快速下降。3.3 微观结构特征是在1900烧结24h 制备的-AlON 陶瓷,在1750热腐蚀15min 陶瓷样品的表面SEM 照片。样品W1 较致密,但存在较多的
9、晶内气孔;这是由于在烧结过程中晶粒生长过快,将气孔包裹进来形成晶内气孔.所示的样品W2,样品晶界结合紧密,晶粒形状规则、均匀、无明显的气孔存在。复合烧结助剂Y2O3-La2O3的添加可减少晶内气孔,提高-AlON 透明陶瓷的致密度。样品W3 中晶粒开始出现异常长大,且晶粒大小分布不均匀,无明显的晶内气孔存在。样品W4 中晶粒有异常长大,晶粒大小分布不均匀,晶界处有气孔存在,但无明显晶内气孔存在所示的样品W5,晶粒异常长大非常明显,晶粒形状变得圆润,晶粒大小分布非常不均匀,表面有明显的凹坑缺陷,且数量较多。为了弄清楚样品W3、W4、W5 中出现的晶粒异常长大,晶粒形状变得圆润,晶界气孔增多等异常
10、现象,我们通过FESEM 和EDS 对样品W2 和W5作出了进一步的分析。是样品W2和W5在1750热腐蚀15min 陶瓷样品的表面FESEM照片和EDS 分析。中Y2O3-La2O3 复合烧结助剂添加量为0.1wt%,在其晶粒和三角晶界处没有第二相的存在,晶界结合紧密,无明显的气孔和缺陷。Lior Miller and Wayne D12研究表明,在AlON 中,1870时La 和Y 的溶解度分别为498±82 ppm 和1775±128 ppm。与本实验的的添加量为0.1wt%,其中La2O3 和Y2O3 添加量分别为400ppm 和1600ppm 的实验结果相符合。而
11、K. X.Song 等人13认为Y2O3 添加剂的烧结机制是通过固溶到氧化铝晶粒中,阻碍氧化铝晶界移动,使得氧化铝晶粒细小而致密。结合上述可以看出Y2O3-La2O3 复合烧结助剂在-AlON 陶瓷烧结过程中的作用机理是Y2O3 和La2O3 以离子的形式固溶到-AlON 晶粒内部,阻碍了氧氮化铝的晶界移动,使气孔不会包裹在晶粒内部,气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集得到排除,促进了材料致密化,有利于光学性能和机械性能的提高。中复合烧结助剂添加量为1wt%时,在其三角晶界处存在明显的第二相。XRD 也印证了第二相得存在。是典型的液相烧结显微结构,其主要特征是第二相颗粒圆润。中可以
12、发现样品中有Y 元素存在。结合XRD 和EDS 分析可以确定,三角晶界处的第二相含有Al、O、Y 元素。W5 的光学透过率等性能也比W1 低。添加1wt%的样品缺陷较多,有晶粒的异常长大出现,出现明显的第二相且烧结过程中有液相产生。样品W3、W4 也印证了这一点。结合上述可以看出复合烧结助剂含量过多,Y2O3 和La2O3 会在晶界处富集,烧结过程中形成液相,液相可以促进异常晶粒的长大,晶粒和第二相颗粒变得圆润,烧结完成后残留在-AlON 陶瓷晶体内的第二相,使晶体晶界变宽,严重影响了材料的致密度、光学透过性和其他的机械性能。4结论(1)以-AlON 粉末为原料,以Y2O3-La2O3 为复合
13、烧结助剂,在N2 气氛下,1900下无压烧结,保温24h 可以制备出AlON 透明陶瓷,当Y2O3-La2O3 复合烧结助剂含量为0.1wt%时,可得到样品厚度为1mm,最大直线透过率超过60%的-AlON 透明陶瓷,其最大直线透过率比没有添加烧结助剂的AlON 陶瓷提高50%。(2)当含量为0.1wt%时,Y2O3-La2O3 复合烧结助剂在-AlON 陶瓷的无压烧结中通过固溶到-AlON 晶粒中促进材料致密化,有利于光学性能的提高;当复合烧结助剂含量继续增加时,过多的烧结助剂在烧结过程中形成液相并残留在晶界中,导致-AlON 陶瓷的致密度和光学透过性下降。参考文献1 江东亮透明陶瓷无机材料
14、研究与发展重要方向之一无机材料学报,2009,24(5): 873-8802 Hartnett T M Optical Properties of AlON. Infared Physics & Technology, 1998, 39:203-2053 Hartnett T M, Bernstein S D, Maguire E A, et alOptical properties of AION (aluminum oxynitride) JInfrared Physics & Technology,1998,39:203-2114 Joseph M Wahl, Thoma
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17、的影响辽宁:辽宁工学院,20079 Parimal J, Gilde,GaryTransient liquid phase reactive sintering of aluminum oxynitride (AlON)US Patent,7045091, 2006-0510 B. Paliwal, K. T. Ramesh, J. W. McCauley. Direct observation of the dynamic compressive failure of atransparent polycrystalline ceramic(AlON)J.J. Am. Ceram. Soc., 2006, 89(7): 2128-2133.11 Uchiyama, A, Hotta,N, Watanabe, RProcessing of translucent aluminum oxynitride ceramics andAr-HIPIMPROVED CERAMICS THROUGH NEW MEASUREMENTS, PROCESSING ANDSTANDARDS, 2002(133): 177-18212 Lior
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