DS18B20的外形和内部结构_第1页
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文档简介

1、 DS18B20的外形和内部结构 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管脚排列如下:        图2-12-4-1（1）DS18B20外形图 引脚定义： (1)    DQ为数字信号输入/输出端； (2)    GND为电源地； (3)    VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。 内部结构图 2-12-4-2

2、 DS18B20内部结构图 DS18B20有4个主要的数据部件：     （1）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。    （2） DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量

3、，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以/LSB形式表达，其中S为符号位。 表 2-12-4-3 DS18B20温度值格式表  这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。 例如+125的数字输出为07D0H，+的数字输出为0191H，的数字输出为FF6FH，-55的数字输出为FC90H。 表 2-12-4-4 DS

4、18B20温度数据表 （3）DS18B20温度传感器的存储器 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。 （4）配置寄存器 该字节各位的意义如下： 表 2-12-4-5 配置寄存器结构TMR1R011111     低五位一直都是1 ，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）分辨率设置表：   表

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