鞍山IGBT项目投资价值分析报告范文模板

1、CMC·泓域咨询 /鞍山IGBT项目投资价值分析报告目录第一章 项目背景、必要性11一、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心11二、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大12三、 大力发展高新技术产业16四、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新16五、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展21六、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解22第二章 项目建设单位说明24一、 公司基本信息24二、 公司简介24三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨29七、

2、公司发展规划29第三章 市场分析32一、 家电行业是IGBT器件的稳定市场32二、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代32三、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升34第四章 总论36一、 项目概述36二、 项目提出的理由37三、 以创新引领发展，激发高质量发展内生动力38四、 项目总投资及资金构成39五、 资金筹措方案39六、 项目预期经济效益规划目标40七、 原辅材料及设备40八、 项目建设进度规划40九、 环境影响41十、 报告编制依据和原则41十一、 研究范围42十二、 研究结论42十三、 主要经济指标一览表43主要经济指标一览表43第五章 建筑工程说明4

3、5一、 项目工程设计总体要求45二、 建设方案46三、 建筑工程建设指标47建筑工程投资一览表47第六章 产品规划方案49一、 建设规模及主要建设内容49二、 产品规划方案及生产纲领49产品规划方案一览表50第七章 项目选址52一、 项目选址原则52二、 建设区基本情况52三、 以人才集聚为核心，增强城市活力56四、 建设支撑高质量发展的现代产业体系58第八章 运营管理模式61一、 公司经营宗旨61二、 公司的目标、主要职责61三、 各部门职责及权限62四、 财务会计制度65五、 IGBT技术发展历程及趋势71六、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国产化机遇74七、 新能源应用驱动

4、IGBT快速增长75八、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币79第九章 法人治理82一、 股东权利及义务82二、 董事85三、 高级管理人员90四、 监事92第十章 SWOT分析说明95一、 优势分析（S）95二、 劣势分析（W）97三、 机会分析（O）97四、 威胁分析（T）99第十一章 进度计划方案107一、 项目进度安排107项目实施进度计划一览表107二、 项目实施保障措施108第十二章 原辅材料供应、成品管理109一、 项目建设期原辅材料供应情况109二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理109第十三章 环境影响分析111一、 编制依据111二、 环境影响合理

5、性分析111三、 建设期大气环境影响分析112四、 建设期水环境影响分析113五、 建设期固体废弃物环境影响分析113六、 建设期声环境影响分析114七、 建设期生态环境影响分析114八、 清洁生产115九、 环境管理分析116十、 环境影响结论120十一、 环境影响建议120第十四章 劳动安全122一、 编制依据122二、 防范措施123三、 预期效果评价129第十五章 投资计划方案130一、 投资估算的依据和说明130二、 建设投资估算131建设投资估算表135三、 建设期利息135建设期利息估算表135固定资产投资估算表136四、 流动资金137流动资金估算表138五、 项目总投资139

6、总投资及构成一览表139六、 资金筹措与投资计划140项目投资计划与资金筹措一览表140第十六章 项目经济效益分析142一、 基本假设及基础参数选取142二、 经济评价财务测算142营业收入、税金及附加和增值税估算表142综合总成本费用估算表144利润及利润分配表146三、 项目盈利能力分析146项目投资现金流量表148四、 财务生存能力分析149五、 偿债能力分析149借款还本付息计划表151六、 经济评价结论151第十七章 风险风险及应对措施152一、 项目风险分析152二、 项目风险对策154第十八章 总结说明157第十九章 附表159营业收入、税金及附加和增值税估算表159综合总成本费

7、用估算表159固定资产折旧费估算表160无形资产和其他资产摊销估算表161利润及利润分配表161项目投资现金流量表162借款还本付息计划表164建设投资估算表164建设投资估算表165建设期利息估算表165固定资产投资估算表166流动资金估算表167总投资及构成一览表168项目投资计划与资金筹措一览表169报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资13889.18万元，其中：建设投资11077.61万元，占项目总投资的79.76%；建设期利息119.83万元，占项目总投资的0.86%；流动资金2691.74万元，占项目总投资的19.38%。项目正常运营每年营业收入27200.00万元，综合总成本费用

8、22957.87万元，净利润3094.93万元，财务内部收益率15.61%，财务净现值2121.32万元，全部投资回收期6.30年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。新为能源车的快速发展为IITGBT带来广阔的增量市场。新能源车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能。硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系统中，约占整车成本的7%-10%，是除电池以外成本第二高的元件，也是决定整车能源效率的关键器件。根据中汽协数据，2021年6月新能源车产销分别为24.8万辆、25.6万辆，环比+14.

9、3%、+17.7%，同比增长1.3倍和1.4倍，2021年1-6月，新能源车产销分别达到121.5万辆和120.6万辆，同比增长均为2.0倍，新能源车的快速发展为IGBT带来广阔的市场空间。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景、必要性一、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心新能源车的制动原理是利用电磁效应驱动电机转动，IGBT优异的开关特性可以实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能，电动车充电时，通过IGBT将外部电源转变成直流电，并把外

10、部220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时，通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电，同时精确调整电压和频率，驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能，硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系统中，约占整车成本的7%-10%，是除电池以外成本第二高的元件，也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量：根据中汽协发布的数据统计，2019年新能源车新产销分别完成124.2万辆和120.6万辆，其中绝大部分为纯电动汽车，产销为102万辆和97.2万辆，插电式混合动力汽车产销为22.0

11、万辆和23.2万辆，2020年国内新能源车销量为136.7万辆。2021年5月，新能源汽车产销环比略增，同比继续保持高速增长，产销均为21.7万辆，环比增长0.5%和5.4%，同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量：电动汽车单车IGBT的价格在A00级车的主控IGBT模块价值量800-1000元，A级车1500左右，混动车在2000元左右，再综合空调、充电等部分，平均电动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的统计，2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元，单车的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算：据IDC预计，受政策推动等因素的影响，

12、中国新能源汽车市场将在未来5年迎来强劲增长，2020年至2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到36.1%，假设单台车IGBT用量3000元左右来预估，至2025年，国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。二、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供

13、电，在电能充足的时候，采用电动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-volumes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增

14、长率为62%；整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预

15、测，2021年全球新能源汽车销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽

16、协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveGroup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PH

17、EV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅

18、10%，前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。三、 大力发展高新技术产业充分利用鞍山老工业基地应用场景，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，推动成果转化，

19、做大产业规模，使高新技术产业成为鞍山发展的强力引擎和重要支撑。大力发展钢铁冶金工业自动化产业和新材料、新能源等战略性新兴产业，做大激光和新一代信息技术产业、精细化工产业。支持已经上市科技企业再融资。认真筛选现有高新技术企业，培育一批拟上市企业。积极培养一批“雏鹰”“瞪羚”“独角兽”企业和“隐形冠军”“单项冠军”企业。四、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，

20、具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电

21、子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅

22、片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021

23、年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一

24、代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导

25、通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热

26、耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用

27、领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂

28、商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。五、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展IGBT模块是变频器、逆变焊机、UPS电源等传统工业控制及电源行业的核心元器件，

29、根据集邦咨询数据，2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散，工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到167亿元。变频器行业：据前瞻产业研究院测算，我国变频器行业的市场规模整体呈上升态势，从2012年至2019年，中国变频器行业规模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均处于稳步增长状态。2019年我国变频器行业的市场规模达到495亿元，相比2018年增长4.7%。在一系列节能环保政策的指引下，预计未来5年内，变频器将在电力、冶金、煤炭、石油化工等领

30、域将保持稳定增长，在市政、轨道交通、电梯等领域需求进一步增加，从而促进市场规模扩大，未来几年整体增幅将保持在10%左右，到2025年，变频器市场规模将达到883亿。变频器靠内部IGBT的开关来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，变频器产业的快速发展势必导致IGBT需求提升。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过IGBT模块的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并

31、经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。根据国家统计局数据，2020年我国电焊机产量为1108.93万台，同比2019年增加了158.87万台。UPS，电源系统，IGBT被广泛应用于不间断电源系统(UPS)的设计中，数据显示，1200V/100AIGBT的导通电阻为同规格耐压功率MOSFET的1/10，开关时间为同规格GTR的1/10。据QYR电子研究中心统计，2018年全球不间断电源（UPS）市场价值为105.37亿美元，预计到2025年底将达到139.66亿美元。六、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解晶体管（含IGBT）交期周数高于大部分半导体产品交期。由于疫情所导致的供需失

32、衡，半导体产品交期在过去的812个月中大幅延长，虽然部分产品交期在7月略有缩短，但已于8月再次出现延长的态势。在各类半导体产品中，晶体管（含IGBT）整体交期已超过35周。IGBT大多为成熟制程（8英寸为主），8英寸制程由于前几年数量和产线不断下滑，部分设备大厂已不再生产8英寸晶圆所需的相关设备，设备紧缺导致扩产较12英寸晶圆厂少，供不应求导致成熟制程产能持续紧缺；同理，IGBT产能紧缺导致今年产品的交期周数大幅度提升。国际龙头企业TIGBT产品价格与拉货周期，均呈现上涨态势。由于产能持续紧缺，2021年IGBT产品货期持续拉长，且在Q3仍未出现缓解的现象。英飞凌与Microsemi部分IGB

33、T产品的交货周期已延长至50周。此外，ST、安森美、IXYS等国际龙头企业IGBT产品交货周期也呈现出继续延长的趋势，且相关产品价格也表现出上涨的趋势。第二章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx（集团）有限公司2、法定代表人：魏xx3、注册资本：520万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-10-287、营业期限：2013-10-28至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营

34、活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平

35、台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及

36、客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营

37、销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行

38、业和区域市场，带动经销商共同成长。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4819.393855.513614.54负债总额1950.421560.341462.82股东权益合计2868.972295.182151.73公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入19897.4715917.9814923.10营业利润4158.653326.923118.99利润总额3780.693024.552835.52净利润2835.522211.712041.57归属于母公司所有者的净利润2835.52221

39、1.712041.57五、 核心人员介绍1、魏xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。2、谢xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、邱xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9

40、月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、蒋xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。5、付xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。6、高xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019

41、年3月至今任公司董事。7、孟xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、龙xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨根据国家法律、行政法规的规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，以专业经营的方式管理和经营公司资产，为全体股东创造满意的投资回报。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、

42、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹

43、集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续

44、完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第三章 市场分析一、 家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度

45、贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。二、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英

46、寸升级迭代以特色工艺需要工艺与设计的积累，海外企业以MIDM为主。功率半导体主要以特色工艺为主，器件的技术迭代像逻辑、存储芯片依靠尺寸的缩小，因此特色工艺的要求更多需要行业的积累与know-how，包括工艺、产品、服务、平台等多个维度；功率器件产品性能与应用场景密切相关，导致平台多、产品类型多，因此更注重工艺的成熟度和稳定性，工艺平台的多样性。在这样的背景下，由于IDM可以按需生产不同电性功能的功率器件，加速技术及应用积累，在深度及广度上覆盖客户不同的需求，因此IGBT海外的企业大多的生产模式以IDM为主，国内相比海外发展较晚，因此催生出Fabless找代工厂生产的模式，专业化分工加速对海外的

47、追赶。代表IDM型IGBT厂商包括英飞凌、瑞萨、Vishay、罗姆、安森美、富士电机、士兰微、华微电子等；Fabless型IGBT厂商包括斯达半导、新洁能、宏微科技等。IGBT代工厂则包括高塔、华虹、东部高科等厂商。IGBT主要采用成熟制程，目前生产大多以以88英寸晶圆为主。IGBT产品对产线工艺依赖性较强，目前国际IGBT大厂主要采用8英寸生产线。为进一步提升产品性能与可靠性，IGBT制造厂正积极布局可用于12英寸晶圆的相关工艺。英飞凌作为IGBT龙头企业，已于2018年推出以12英寸晶圆生产的IGBT器件。同时，斯达半导12英寸IGBT产能也已实现量产。未来，随着各家IGBT厂商工艺的进步

48、，IGBT产品也将转向12英寸晶圆，并采用更先进的制程。IGBT需求增长扩厂计划持续推进，朝向300mm（12英寸）晶圆发展。英飞凌2021年9月公告其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营，随着数字化和电气化进程的加快，公司预计未来几年全球对功率半导体器件的需求将持续增长，因此当前正是新增产能的最好时机。2021年3月东芝公告准备开工建设300mm晶圆制造厂，由于功率器件是控制和降低汽车、工业和其他电气设备功耗的重要部件，公司预计电动汽车、工厂自动化和可再生能源领域的增长将继续推动功率器件的需求增长。2020年12月士兰微12英寸芯片生产线项目由厦门士兰集科微电子有

49、限公司负责实施运营，第一条12英寸产线，总投资70亿元，工艺线宽90纳米，计划月产8万片。本次投产的产线就是其中的一期项目，总投资50亿元，规划月产能4万片；项目二期将继续投资20亿元，规划新增月产能4万片。第二条12英寸生产线预计总投资100亿元，将建设工艺线宽65纳米至90纳米的12英寸特色工艺芯片生产线。三、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升半导体是汽车发展趋势（电驱化、数字互联）的核心。汽车在电动化、智能化、网联化的发展过程中，半导体是发展的核心支撑。1）电驱化（电动化），电动与混动汽车的发展要求动力传动系统向电气化迈进，其中由电池、电机、电控组成的三电系统主

50、要以功率半导体为主，包含IGBT、MOSFET等。2）数字互联（智能化、网联化），智能化发展带动具备AI计算能力的主控芯片市场规模快速成长；此外智能与网联相辅相成，核心都是加强人车交互，除了加强计算能力的主控芯片外，传感器、存储也是核心的汽车半导体，包含自动化驾驶的实现使传感器需求提升、数据量的增加带动存储的数量和容量的需求提升。汽车半导体绝对值在增长，从分类中功率半导体价值量增加幅度最大。新能源汽车相比传统燃油车，新能源车中的功率半导体价值量提升幅度较大。按照传统燃油车半导体价值量417美元计算，功率半导体单车价值量达到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV单车半导体价值量834美元计

51、算，功率半导体单车价值量达到458.7美元，价值量增加四倍多。第四章 总论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：鞍山IGBT项目2、承办单位名称：xxx（集团）有限公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xxx（待定）5、项目联系人：魏xx（二）主办单位基本情况公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务

52、为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭

53、诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约37.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx个IGBT/年。二、 项目提出的理由晶体管（含IGBT）交期周数高于大部分半导体产品交期。由于疫情所导致的供需失衡，半导体产品交期在过去的812个月中大幅延长，虽然部分产品交期在7月略有缩短，但已于8月再次出现延长的态势。在各类半导体产品中，晶体管（含IGBT）整体交期已超

54、过35周。IGBT大多为成熟制程（8英寸为主），8英寸制程由于前几年数量和产线不断下滑，部分设备大厂已不再生产8英寸晶圆所需的相关设备，设备紧缺导致扩产较12英寸晶圆厂少，供不应求导致成熟制程产能持续紧缺；同理，IGBT产能紧缺导致今年产品的交期周数大幅度提升。三、 以创新引领发展，激发高质量发展内生动力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，让创新贯穿鞍山全面振兴全方位振兴全过程、各方面。大力发展院士经济、院校经济、研究院经济。加强与院士密切合作，深化与院校合作，积极支持现有研究院发展。建立“三院经济”人才交流平台，打通合作通道。鼓励支持高新技术研发团队参与重点产业创新发展，积极与中冶焦耐、鞍

55、钢设计院、鞍钢技术中心、中钢热能院等来鞍、驻鞍、国内外研究院所合作，切实提高本地企业配套率。鼓励和支持民营研究院发展。强化企业创新主体地位。鼓励企业牵头组建创新联合体，构建产学研市场化利益联结机制。鼓励企业加大研发投入。积极培育创新型领军企业。优选一批创新能力强、引领作用大、研发水平高的科技型骨干企业，集中优势资源，在研发平台建设、重大技术攻关应用、高端人才引进培育等方面加大支持力度，在创新政策落实、产学研合作、知识产权管理等方面强化服务。提高科技成果转移转化成效。加快构建顺畅高效的技术创新和转移转化体系。鼓励企业与高校、科研院所共建创新平台，支持企业牵头组建创新联合体，打造一批以市场为导向的

56、新型研发机构。扎实做好科技金融服务，充分发挥政府资金引导作用，撬动金融资本和民间投资向科技成果转化集聚，加大对科技型企业的融资支持，促进新技术产业化规模化应用。探索建立赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权的机制和模式。健全知识产权保护运行体系、政策体系、工作体系。弘扬科学精神，加强科普工作，营造崇尚创新的社会氛围。四、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资13889.18万元，其中：建设投资11077.61万元，占项目总投资的79.76%；建设期利息119.83万元，占项目总投资的0.86%；流动资金2691.74万元，占项目总投资的19.38%。五、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资13889.18万元，根据资金筹措方案，xxx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）8998.24万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额4890.94万元。六、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：27200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：22957.87万元。3、项目达产年净利润（NP）：3094.93万